IRF640S ， IRF640L ， SiHF640S ， SiHF640L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
70
13
39
单身
D
特点
200
0.18
表面贴装
低调的通孔
可用磁带和卷轴
动态的dv / dt额定值
150 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK
(TO-263)
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
容纳芯片尺寸最多HEX - 4 。它提供了最高
功率能力和最后尽可能低的导通电阻
任何现有的表面贴装封装。对D
2
朴适用
为，由于其低的内高电流的应用
连接性和可耗散高达2.0 W的一
典型的表面贴装应用。通孔版
（ IRF640L / SiHF640L ）可用于小尺寸应用。
G
G
D
S
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF640SPbF
SiHF640S-E3
IRF640S
SiHF640S
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF640STRLPbF
a
SiHF6340STL-E3
a
IRF640STRL
a
SiHF640STL
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF640STRRPbF
a
SiHF640STR-E3
a
IRF640STRR
a
SiHF640STR
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRF640LPbF
SiHF640L-E3
IRF640L
SiHF640L
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B，E
雪崩电流
a
Repetiitive雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
当前
A，E
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
200
± 20
18
11
72
1.0
580
18
13
3.1
130
5.0
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 2.7 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 18 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
18 A， di / dt的
≤
150 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。采用IRF640 / SiHF640数据和试验条件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91037
S- 81241 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
1
IRF640S ， IRF640L ， SiHF640S ， SiHF640L
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
（ PCB安装，稳态）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
40
1.0
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
c
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 11 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 11 A
d
200
-
2.0
-
-
-
-
6.7
-
0.29
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.18
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
d
-
-
-
-
1300
430
130
-
-
-
14
51
45
36
-
-
-
70
13
39
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 18 A，V
DS
= 160 V,
参见图。 6和13
B，C
-
-
-
V
DD
= 100 V，I
D
= 18 A,
R
G
= 9.1
Ω,
R
D
= 5.4
Ω,
参见图。 10
B，C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
3.4
18
A
72
2.0
610
7.1
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 18 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 18 A， di / dt的= 100 A / μs的
B，C
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
。采用IRF640 / SiHF640数据和试验条件。
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2
文档编号： 91037
S- 81241 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
IRF640S ， IRF640L ， SiHF640S ， SiHF640L
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
J
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
J
= 175 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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IRF640S ， IRF640L ， SiHF640S ， SiHF640L
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R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
15
V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T.
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
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PD -90902B
IRF640S/L
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
表面贴装（ IRF640S ）
通孔低调（ IRF640L ）
可在磁带&卷（ IRF640S ）
动态的dv / dt额定值
150 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 200V
R
DS （ ON）
= 0.18
G
S
I
D
= 18A
描述
国际整流器第三代HEXFETs提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高
功率能力和尽可能低的导通电阻，在任何
现有的表面贴装封装。对D
2
白是适合于高
由于其较低的内部连接的当前应用程序
性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面
安装application.The通孔版（ IRF640L ）是
适用于薄型应用。
D 2 P AK
T O服务-26 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
18
11
72
3.1
130
1.0
± 20
580
18
13
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.0
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
7/20/99
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
IRF640S/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
200
–––
–––
2.0
6.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.29
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
51
45
36
7.5
1300
430
130
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
0.18
V
GS
= 10V ，我
D
= 11A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 11A
25
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
70
I
D
= 18A
13
NC V
DS
=160V
39
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
=100V
–––
I
D
= 18A
ns
–––
R
G
= 9.1
–––
R
D
= 5.4Ω ，参照图10
铅之间，
nH
–––
而中心的模具接触
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 25V
–––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 18
展示
A
G
整体反转
––– ––– 72
S
p-n结二极管。
––– ––– 2.0
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 18A ，V
GS
= 0V
––– 300 610
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 18A
––– 3.4 7.1
C
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRF640数据和测试条件
V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 2.7mH
R
G
= 25, I
AS
= 18A 。 （参见图12）
T
J
≤
150°C
**当安装在1 ＆ QUOT ;方形板（FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
I
SD
≤
图18A中， di / dt的
≤
150A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
2
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IRF640S/L
图1 。
典型的输出特性，
T
J
= 25
o
C
图2 。
典型的输出特性，
T
J
= 175
o
C
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
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IRF640S/L
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF640S/L
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
-
V
DD
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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