IRF640NPbF/SPbF/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
200
–––
–––
2.0
6.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.25
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10
19
23
5.5
4.5
7.5
1160
185
53
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.15
V
GS
= 10V ，我
D
= 11A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 11A
25
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
67
I
D
= 11A
11
nC
V
DS
= 160V
33
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 100V
–––
I
D
= 11A
ns
–––
R
G
= 2.5
–––
R
D
= 9.0Ω ，参照图10
D
铅之间，
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
–––
而中心的模具接触
S
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 18
展示
A
G
整体反转
72
––– –––
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 11A ，V
GS
= 0V
––– 167 251
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 11A
--- 929 1394 NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
结到环境（印刷电路板安装）
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
1.0
–––
62
40
单位
° C / W
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2
IRF640NPbF/SPbF/LPbF
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
10
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1
4.5V
4.5V
1
0.1
0.01
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
100
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
D
= 18A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 175
°
C
10
T
J
= 25
°
C
1
0.1
4.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
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