PD - 94310
先进的工艺技术
l
动态的dv / dt额定值
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
易于并联的
l
简单的驱动要求
描述
l
第五代HEXFET
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固装置
设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计者提供了一个非常有效和可靠的
装置，用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 220封装普遍首选的所有commercial-
工业应用中的功耗水平
大约50瓦。的低热阻和低
在TO- 220封装成本有助于其广泛接受
在整个工业。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高
功率能力和尽可能低的导通电阻，在任何
现有的表面贴装封装。对D
2
白是适合于高
由于其较低的内部连接的当前应用程序
性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面
安装应用程序。
通孔版（ IRF634NL ）可用于低
配置文件应用程序。
IRF634N
IRF634NS
IRF634NL
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 250V
R
DS （ ON）
= 0.435
G
S
I
D
= 8.0A
TO-220AB
IRF634N
D
2
PAK
IRF634NS
TO-262
IRF634NL
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
8.0
5.6
32
88
3.8
0.59
± 20
110
4.8
8.8
7.3
-55到+175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
www.irf.com
1
9/10/01
IRF634N/S/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
250 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- 0.33 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.435
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.8A
2.0
––– 4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
5.4
––– –––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 4.8A
––– ––– 25
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 20V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -20V
––– ––– 34
I
D
= 4.8A
––– ––– 6.5
NC V
DS
= 200V
––– ––– 16
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
8.4 –––
V
DD
= 125V
–––
16 –––
I
D
= 4.8A
ns
–––
28 –––
R
G
= 1.3
–––
15 –––
V
GS
= 10V ，参照图10
D
铅之间，
4.5 –––
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
–––
–––
7.5
而中心的模具接触
S
––– 620 –––
V
GS
= 0V
–––
84 –––
V
DS
= 25V
–––
23 –––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 8.0
展示
A
G
整体反转
––– –––
32
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 4.8A ，V
GS
= 0V
––– 130 200
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 4.8A
––– 650 980
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
结到环境（印刷电路板安装）
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
1.7
–––
62
40
单位
° C / W
2
www.irf.com
IRF634N/S/L
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
1
4.5V
1
4.5V
0.1
0.01
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.5
I
D
= 7.9A
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
3.0
2.5
10
T
J
= 175
°
C
2.0
1.5
1
T
J
= 25
°
C
1.0
0.5
0.1
4.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF634N ， IRF634NL ， IRF634NS ， SiHF634N ， SiHF634NL ， SiHF634NS
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
34
6.5
16
单身
250
0.435
特点
先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175°C的工作温度
快速开关
全额定雪崩
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
I
2
PAK （ TO- 262 ）
TO-220
D
S
G
D
G
D
2
PAK （ TO-263 ）
S
N沟道
MOSFET
克
S
Vishay的第五代功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
对D
2
PAK （ TO- 263 ）是一种表面贴装功率封装
可容纳的芯片尺寸最多HEX -4 。它提供
最高功率能力和尽可能低的
的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
PAK （ TO-263 ） ，适用于大电流的应用
因为它的低的内部连接电阻和能的
耗散高达2.0 W的一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRF634NL / SiHF634NL ）是
适用于薄型应用。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF634NPbF
SiHF634N-E3
IRF634N
SiHF634N
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF634NSPbF
SiHF634NS-E3
IRF634NS
SiHF634NS
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF634NSTRLPbF
a
SiHF634NSTL-E3
a
IRF634NSTRL
a
SiHF634NSTL
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF634NSTRRPbF
a
SiHF634NSTR-E3
a
IRF634NSTRR
a
SiHF634NSTR
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRF634NLPbF
SiHF634NL-E3
-
-
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
雪崩电流
a
Repetiitive雪崩
能源
a
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91033
S-挂起-REV 。 A， 19军08
www.vishay.com
1
E
AS
I
AR
E
AR
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
250
± 20
8.0
5.6
32
0.59
110
4.8
8.8
W / ℃，
mJ
A
mJ
A
单位
V
WORK -IN -PROGRESS
IRF634N ， IRF634NL ， IRF634NS ， SiHF634N ， SiHF634NL ， SiHF634NS
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
最大功率耗散
最大功率耗散（PCB
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
d
10秒
6-32或M3螺丝
坐骑）
e
符号
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
88
3.8
7.3
- 55 + 175
300
c
10
1.1
单位
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 9.5 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 4.8 A，V
GS
= 10 V.
。 1.6毫米的情况。
。这仅适用于TO-220封装。
。这个被施加到D
2
PAK ，当安装1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结点到环境
（ PCB安装）
b
最大结至外壳（漏）
案件到水槽，平面，脂表面
a
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
R
乡镇卫生院
典型值。
-
-
-
0.50
马克斯。
62
40
1.7
-
° C / W
单位
笔记
一。这仅适用于TO-220封装。
B 。这个被施加到D
2
PAK ，当安装1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 125 V，I
D
= 4.8 A,
R
G
= 1.3
Ω,
参见图。 10
b
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
I
D
= 4.8 A，V
DS
= 200 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
620
84
23
-
-
-
8.4
16
28
15
-
-
-
34
6.5
16
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.8 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 4.8 A
b
250
-
2.0
-
-
-
-
5.4
-
0.33
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.435
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
www.vishay.com
2
文档编号： 91033
S-挂起-REV 。 A， 19军08
IRF634N ， IRF634NL ， IRF634NS ， SiHF634N ， SiHF634NL ， SiHF634NS
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
动态
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
L
D
L
S
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
G
4.5
7.5
-
nH
-
-
S
-
-
-
-
-
-
-
-
130
650
8.0
A
32
1.3
200
980
V
ns
nC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 4.8 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 4.8 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
2
V
GS
顶部
10
2
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
15
V
10
V
8.0 V
7.0
V
10
6.0
V
5.5
V
5.0
V
底部4.5
V
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
1
4.5
V
0.1
20
s
脉冲
宽度
T
C
=
25 °C
1
10
10
2
V
GS
15
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
底部4.5
V
顶部
4.5
V
1
10
-2
0.1
91033_01
0.1
0.1
91033_02
20
s
脉冲
宽度
T
C
=
175 °C
1
10
10
2
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 1 - 典型的输出特性
V
DS ，
漏 - 源
电压
(V)
图。 2 - 典型的输出特性
文档编号： 91033
S-挂起-REV 。 A， 19军08
www.vishay.com
3
IRF634N ， IRF634NL ， IRF634NS ， SiHF634N ， SiHF634NL ， SiHF634NS
Vishay Siliconix公司
10
2
1200
1000
C
国际空间站
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
T
J
= 175
°
C
C，电容（pF ）
V
GS
= 0
V,
F = 1 MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
800
C
OSS
600
400
200
0
C
RSS
1
T
J
= 25
°
C
20
s
脉冲
宽度
V
DS
=
50
V
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
0.1
4.0
91033_03
1
91033_05
10
10
2
10
3
V
GS ，
栅极 - 源
电压
(V)
图。 3 - 典型的传输特性
V
DS ，
漏 - 源
电压
(V)
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
I
D
= 7.9 A
V
GS
= 10
V
20
I
D
= 4.8 A
V
DS
= 200
V
V
DS
= 125
V
16
12
V
DS
= 50
V
8
4
测试电路
见图13
0.0
- 60 - 40- 20 0 20 40 60
80
100 120 140 160 180
0
0
91033_06
10
20
30
40
91033_04
T
J,
结温（ ° C）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
www.vishay.com
4
文档编号： 91033
S-挂起-REV 。 A， 19军08
IRF634N ， IRF634NL ， IRF634NS ， SiHF634N ， SiHF634NL ， SiHF634NS
Vishay Siliconix公司
10
2
10.0
I
SD
，反向漏电流（ A）
10
T
J
= 175
°
C
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 0
V
1.2
91033_09
8.0
6.0
1
T
J
= 25
°
C
4.0
2.0
0.1
0.2
91033_07
0.4
0.6
0.8
1.0
0.0
25
50
75
100
125
150
175
V
SD
，源极到漏极
电压
(V)
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
R
D
V
DS
V
GS
10
2
D.U.T.
+
-
V
DD
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域有限
by
R
DS （ ON）
R
G
10
V
10
100
s
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
1
T
C
= 25
°C
T
J
= 175
°C
单脉冲
1
10
10
2
1
ms
V
DS
90
%
10
ms
10
3
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
0.1
91033_08
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 8 - 最高安全工作区
图。 10B - 开关时间波形
文档编号： 91033
S-挂起-REV 。 A， 19军08
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5
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