【PD - 95047先进的工艺技术l动态的dv / dt额定值l175 ° C工作温度l快速开关l全】,IC型号IRF630NPBF,IRF630NPBF PDF资料,IRF630NPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD - 95047

先进的工艺技术

l

动态的dv / dt额定值

l

175 ° C工作温度

l

快速开关

l

全额定雪崩

l

易于并联的

l

简单的驱动要求

l

LEAD -FREE

描述

l

IRF630NPbF

IRF630NSPbF

IRF630NLPbF

HEXFET

功率MOSFET

D

V

DSS

= 200V

R

DS （ ON）

= 0.30

G

S

第五代HEXFET

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现极低的导通电阻元

硅片面积。这样做的好处，结合快速开关

速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个

极其有效的和为在一个广泛使用的可靠装置

各种应用程序。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功耗水平

到大约50瓦。的低热阻和

在TO- 220封装低的成本促进其广泛

接受整个行业。

对D

2

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了

最高功率能力和尽可能低的导通

在任何现有的表面电阻贴装封装。该

D

2

白是适合的，因为高电流应用其

较低的内部连接性和功耗最高

2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。

通孔版（ IRF630NL ）可用于低

配置文件应用程序。

I

D

= 9.3A

TO-220AB

IRF630NPbF

D

2

PAK

IRF630NSPbF

TO-262

IRF630NLPbF

绝对最大额定值

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

参数

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

9.3

6.5

37

82

0.5

±20

94

9.3

8.2

8.1

-55到+175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

www.irf.com

1

2/25/04

IRF630NPbF/SPbF/LPbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

200

–––

–––

2.0

4.9

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.26

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

7.9

14

27

15

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.30

V

GS

= 10V ，我

D

= 5.4A

4.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 5.4A

25

V

DS

= 200V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 160V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

35

I

D

= 5.4A

6.5

nC

V

DS

= 160V

17

V

GS

= 10V

–––

V

DD

= 100V

–––

I

D

= 5.4A

ns

–––

R

G

= 13

–––

R

D

= 18

D

铅之间，

4.5 –––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

7.5 –––

而中心的模具接触

S

575 –––

V

GS

= 0V

89 –––

V

DS

= 25V

25 –––

pF

= 1.0MHz的

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 9.3

展示

A

G

整体反转

––– ––– 37

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 5.4A ，V

GS

= 0V

––– 117 176

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 5.4A

––– 542 813

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

结到环境（印刷电路板安装）

典型值。

–––

0.50

–––

–––

马克斯。

1.83

–––

62

40

单位

° C / W

www.irf.com

2

IRF630NPbF/SPbF/LPbF

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

顶部

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

100

10

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

1

4.5V

4.5V

1

0.1

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

0.1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

100

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

I

D

= 9.3A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

T

J

= 175

°

C

1

T

J

= 25

°

C

0.1

4.0

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

10.0

0.0

-60 -40 -20 0

V

GS

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRF630NPbF/SPbF/LPbF

1200

1000

CRSS = C

gd

COSS = C + C

DS GD

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V中，f = 1兆赫

西塞= C + C ，C短路

GS GD DS

16

I

D

=

5.4A

V

DS

= 160V

V

DS

= 100V

V

DS

= 40V

12

C，电容（pF ）

800

西塞

600

8

400

科斯

4

200

CRSS

0

1

10

100

1000

0

0

5

10

15

20

25

30

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

100

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10

I

D

，漏电流（ A）

100

10us

10

100us

1ms

T

J

= 175

°

C

T

J

= 25

°

C

1

1

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0.1

T

C

= 25 °C

T

J

= 175 °C

单脉冲

1

10

100

10ms

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

1000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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4

IRF630NPbF/SPbF/LPbF

V

DS

V

GS

R

G

R

D

12

12

D.U.T.

+

V

DD

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

9

9

-

10V

6

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

6

图10A 。

开关时间测试电路

3

3

V

DS

90%

0

25

25

0

50

50

T

T

C C

外壳温度（ ° C）

,

75

100

125

150

75

100

125

150

° C)

，外壳温度（

175

175

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

1 D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

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原装原厂公司现货

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12000

TO-220AB-3

原装现货超低价，可拆包

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IR

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32560

TO-220

【原装优势★★★绝对有货】

深圳市楷瑞达科技电子有限公司

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原装正品

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18000

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IR

21+

4520

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5000

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全新原装欢迎咨询

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