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MOSFET
INCHANGE
IRF630F
N沟道场效应晶体管的晶体管
特点
·带
TO- 220F封装
ULOW
上stateand热阻
·快速
开关
V
DSS
= 200V ;
DS （ ON）
≤0.4Ω;I
D
=9A
1.gate
2.drain 3.source
123
绝对最大额定值TC = 25 ℃
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
合计
T
j
T
英镑
参数
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流连续@ T
C
=25℃
总功耗@ TC = 25 ℃
工作结温
储存温度
等级
200
±20
9
35
150
-65~150
单位
V
V
A
W
℃
℃
TO-220F
电气特性TC = 25 ℃
符号
参数
条件
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
GSS
I
DSS
V
SD
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻的阶段
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
二极管的正向电压
V
GS
=0; I
D
=0.25mA
V
DS
= V
GS
; I
D
=1mA
V
GS
= 10V ;我
D
=5.4A
V
GS
=
±20V
;V
DS
=0
V
DS
=200V; V
GS
=0
I
F
= 9A ; V
GS
=0
200
2
4
400
±100
V
V
mΩ
nA
uA
V
10
1.2
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IDT72V275L20PF
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ISL9005AIRLZ-T
IP120MH-12-DESC
IDT7204S25TP
IRKJ71/14A
IP123SMD-15
IDT54FCT237TPB
供货商
型号
厂家
批号
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封装
单价/备注
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