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开关电源MOSFET

PD - 95293

IRF6216PbF

HEXFET

功率MOSFET

应用

复位开关的有源钳位复位

DC- DC转换器

LEAD -FREE

好处

低栅极到漏极电荷降低

开关损耗

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计（见

应用程序。注AN1001 ）

充分界定雪崩电压

和电流

DSS

-150V

DS （ ON）

最大

0.240

= -10V -2.2A

顶视图

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗？

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

-2.2

-1.9

-19

2.5

0.02

± 20

7.8

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

符号

θJL

θJA

参数

结到漏极引线

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

单位

° C / W

笔记

通过

是第8页

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06/06/05

IRF6216PbF

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

GS （ TH）

栅极阈值电压

DSS

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

-150

–––

-3.0

–––

典型值。

–––

-0.17

–––

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= -1mA

0.240

= -10V ，我

= -1.3A

-5.0

= V

, I

= -250A

-25

= -150V, V

= 0V

-250

= -120V, V

= 0V ，T

= 125°C

-100

= -20V

100

= 20V

动态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

2.7

–––

典型值。

–––

7.2

1280

220

1290

220

MAX 。单位

条件

–––

= -50V ，我

= -1.3A

= -120V

= -10V,

–––

= -75V

–––

= -1.3A

–––

= 6.5

–––

= -10V

–––

= 0V

–––

= -25V

–––

= 1.0MHz的

–––

= 0V, V

= -1.0V ， = 1.0MHz的

–––

= 0V, V

= -120V ， = 1.0MHz的

–––

= 0V, V

= 0V至-120V

雪崩特性

参数

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

马克斯。

200

-4.0

单位

二极管的特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

310

-2.2

-19

-1.6

120

460

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= -1.3A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= -1.3A

的di / dt = -100A / μs的

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IRF6216PbF

100

顶部

VGS

-15V

-12V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.0V

-5.5V

-5.0V

100

顶部

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

底部

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

底部

VGS

-15V

-12V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.0V

-5.5V

-5.0V

0.1

20μs的脉冲宽度

= 25

0.01

0.1

100

20μs的脉冲宽度

= 150

0.1

100

-V

，漏极至源极电压（ V）

-V

漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.5

= -2.2A

2.0

（归一化）

= 150

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

= 25

1.5

1.0

0.5

V DS -50V

20μs的脉冲宽度

0.1

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

= -10V

0.0

-60

-40

-20

100

120

140

160

-V

栅极 - 源极电压（ V）

，结温

(

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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IRF6216PbF

10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

DS短路

CRSS = C

COSS = C + C

-V

，栅 - 源极电压（ V）

-1.3A

= -120V

= -75V

= -30V

C，电容（pF ）

1000

西塞

科斯

100

CRSS

100

1000

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100sec

1msec

10msec

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

100

1000

= 150

= 25

= 0 V

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

-I

，反向漏电流（ A）

0.1

-V

，源极到漏极电压（V ）

-VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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2.5

2.0

D.U.T.

-I

，漏电流（ A）

1.5

1.0

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

0.5

90%

0.0

100

125

150

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

环境温度

10%

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

100

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

热响应

0.05

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

0.1

0.0001

0.001

0.01

0.1

/ t

100

1000

0.02

0.01

= P

X Z

thJA

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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