IRF614
1998年1月
2.0A ， 250V ， 2.0欧姆，
N沟道功率MOSFET
描述
这是一个N沟道增强型硅栅功率
科幻场效晶体管。它是一种先进的功率MOSFET
设计，测试，并保证承受一个特定的编
能在操作击穿雪崩模式水平
化。这种功率MOSFET是专为应用，
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这种类型的可以直接从集成电路来操作。
以前发育类型TA17443 。
特点
2.0A ， 250V
r
DS （ ON）
= 2.0
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
IRF614
包
TO-220AB
BRAND
IRF614
G
注：订货时，使用整个零件编号。
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
3273.1
1
IRF614
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRF614
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
250
250
2.0
1.3
8.0
±20
20
0.16
61
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ， （图10）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125
o
C
民
250
2.0
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
-
4.0
25
250
单位
V
V
A
A
A
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
I
D（上）
I
GSS
r
DS （ ON）
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10V,
（图7）
V
GS
=
±20V
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.5A， （图8,9 ）
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 2.5A,
（图12）
V
DD
= 0.5× Raterd BV
DSS
, I
D
≈
2.0A ，R
L
= 61
V
GS
= 10V， （图17,18 ）
MOSFET开关时间基本上是不知疲倦
工作温度的吊灯
2.0
-
-
±100
2.0
-
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
-
-
0.8
-
1.6
1.2
nA
A
S
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
-
-
-
-
8.9
12
18
8.9
9.6
13
18
27
15
14.4
ns
ns
ns
ns
nC
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.0A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
I
G（ REF ）
= 1.5毫安（图14 ， 19 ， 20 ）门
收费基本上是独立运营的
温度
-
-
-
2.4
4.5
180
53
14
3.6
6.7
-
-
-
nC
nC
pF
pF
pF
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V中，f = 1MHz时， （图11）
-
-
-
2
IRF614
电气连接特定的阳离子
参数
内部排水电感
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
L
D
测试条件
测量从
漏极引线的6mm
（ 0.25英寸），从包
以模具中心
测量从
来源铅的6mm
（ 0.25英寸）从包头到
来源粘合垫
修改MOSFET
符号显示的
内部设备
电感
D
L
D
G
L
S
S
民
-
典型值
4.5
最大
-
单位
nH
内部源极电感
L
S
-
7.5
-
nH
热阻结到外壳
热阻结到环境
R
θJC
R
θJA
自由空气操作
-
-
-
-
6.4
62.5
o
C / W
o
C / W
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注3）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改对称MOSFET
BOL显示积分
反向P- N结
整流器器
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
2.0
8.0
单位
A
A
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 2.0A ，V
GS
= 0V时， （图13）
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 2.0A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 2.0A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
67
0.24
-
-
0.54
2.0
340
1.2
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 10V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 6.18mH ，R
G
= 50Ω ，峰值I
AS
= 5A 。参见图15，图16 。
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
除非另有规定编
2.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
D
，漏电流（ A）
0
50
100
150
1.6
1.2
0.8
0.4
0
25
50
T
C
，外壳温度（
o
C)
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
图1.归功耗与
外壳温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
3
QQ：2881677436 复制
