【PD - 93930EIRF6100HEXFET功率MOSFETllllll超低RDS （ ON）每】,IC型号IRF6100,IRF6100 PDF资料,IRF6100经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 93930E

IRF6100

HEXFET

功率MOSFET

l

超低

R

DS （ ON）

每占位面积

低

热阻

P沟道MOSFET

SOT -23的三分之一足迹

超扁平（ <.8毫米）

在磁带&卷轴可用测试

V

DSS

-20V

R

DS （ ON）

最大

0.065

@V

GS

= -4.5V

0.095

@V

GS

= -2.5V

I

D

-5.1A

-4.1A

描述

真正的芯片级封装可从国际

整流器。通过采用先进的加工技

niques ，和一个独特的包装概念，极低

导通电阻和功率密度最高的

业界已提供电池和负载

管理应用程序。这些优点，结合

在坚固耐用的设备设计，即国际整流器

是众所周知的，

为设计者提供了一个EX-

D

G

S

FlipFET

等距

tremely高效，可靠的装置。

该FlipFET 封装，是一个三分之一的足迹

可比SOT-23封装并具有更小的轮廓

比0.8毫米。结合的低热阻

管芯级设备，这使得FlipFET 最好

设备的应用程序，其中印刷电路板空间

溢价和极薄的应用环境

ments如电池组，手机和PCMCIA

卡。

绝对最大额定值

参数

V

DS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

V

GS

T

J,

T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-20

±5.1

±3.5

±35

2.2

1.4

17

± 12

-55到+ 150

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

V

°C

热阻

符号

R

θJA

R

θJ -PCB

参数

结到环境

结到PCB安装

典型值。

35

马克斯。

56.5

–––

单位

° C / W

www.irf.com

1

5/2/05

IRF6100

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

-20

–––

-0.45

9.8

–––

TYP 。 MAX 。单位

条件

––– –––

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

-0.010 --- V / ° C参考到25° C，I

D

= -1mA

––– 0.065

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -5.1A

––– 0.095

V

GS

= -2.5V ，我

D

= -4.1A

––– -1.2

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

––– –––

S

V

DS

= -10V ，我

D

= -5.1A

––– -1.0

V

DS

= -20V, V

GS

= 0V

A

––– -25

V

DS

= -16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

––– 100

V

GS

= 12V

nA

––– -100

V

GS

= -12V

14

21

I

D

= -5.1A

1.9 2.9

NC V

DS

= -16V

5.0 7.5

V

GS

= -5.0V

12 –––

V

DD

= -10V

12 –––

I

D

= -1.0A

ns

50 –––

R

G

= 5.8

50 –––

V

GS

= -4.5V

1230 –––

V

GS

= 0V

250 –––

pF

V

DS

= -15V

180 –––

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

48

34

-2.2

A

-33

-1.2

72

51

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

G

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= -2.2A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= -2.2A

的di / dt = 100A / μs的

D

S

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

当安装在1平方英寸2盎司覆铜的FR- 4 。

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

2

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IRF6100

100

VGS

-7.00V

-5.00V

-4.50V

-2.50V

-1.80V

-1.50V

-1.20V

BOTTOM -1.00V

顶部

100

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

VGS

-7.00V

-5.00V

-4.50V

-2.50V

-1.80V

-1.50V

-1.20V

BOTTOM -1.00V

顶部

1

-1.00V

0.1

1

-1.00V

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

T

J

= 25

°

C

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= -5.1A

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

T

J

= 150

°

C

10

1.0

0.5

1

1.0

V DS = -15V

20μs的脉冲宽度

1.5

2.0

2.5

3.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= -4.5V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRF6100

2000

1600

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

10

I

D

=

-5.1A

V

DS

=-16V

8

C，电容（pF ）

西塞

1200

6

800

4

400

科斯

CRSS

1

10

100

2

0

4

8

12

16

20

24

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

-I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10

T

J

= 150

°

C

-I

D

，漏电流（ A）

I

100

10us

10

100us

1ms

1

10ms

1

T

J

= 25

°

C

0.1

0.0

V

GS

= 0 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

0.1

T

A

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

1

10

100

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF6100

6.0

V

DS

5.0

R

D

V

GS

R

G

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

-I

D

，漏电流（ A）

D.U.T.

+

4.0

3.0

2.0

图10A 。

开关时间测试电路

1.0

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

0.0

V

GS

25

50

75

100

125

150

10%

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

90%

V

DS

图10B 。

开关时间波形

100

热响应（Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

1

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

0.1

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

www.irf.com

-

V

DD

5

PD - 93930E

IRF6100

HEXFET

功率MOSFET

l

超低

R

DS （ ON）

每占位面积

低

热阻

P沟道MOSFET

SOT -23的三分之一足迹

超扁平（ <.8毫米）

在磁带&卷轴可用测试

V

DSS

-20V

R

DS （ ON）

最大

0.065

@V

GS

= -4.5V

0.095

@V

GS

= -2.5V

I

D

-5.1A

-4.1A

描述

真正的芯片级封装可从国际

整流器。通过采用先进的加工技

niques ，和一个独特的包装概念，极低

导通电阻和功率密度最高的

业界已提供电池和负载

管理应用程序。这些优点，结合

在坚固耐用的设备设计，即国际整流器

是众所周知的，

为设计者提供了一个EX-

D

G

S

FlipFET

等距

tremely高效，可靠的装置。

该FlipFET 封装，是一个三分之一的足迹

可比SOT-23封装并具有更小的轮廓

比0.8毫米。结合的低热阻

管芯级设备，这使得FlipFET 最好

设备的应用程序，其中印刷电路板空间

溢价和极薄的应用环境

ments如电池组，手机和PCMCIA

卡。

绝对最大额定值

参数

V

DS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

V

GS

T

J,

T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-20

±5.1

±3.5

±35

2.2

1.4

17

± 12

-55到+ 150

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

V

°C

热阻

符号

R

θJA

R

θJ -PCB

参数

结到环境

结到PCB安装

典型值。

35

马克斯。

56.5

–––

单位

° C / W

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1

5/2/05

IRF6100

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

-20

–––

-0.45

9.8

–––

TYP 。 MAX 。单位

条件

––– –––

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

-0.010 --- V / ° C参考到25° C，I

D

= -1mA

––– 0.065

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -5.1A

––– 0.095

V

GS

= -2.5V ，我

D

= -4.1A

––– -1.2

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

––– –––

S

V

DS

= -10V ，我

D

= -5.1A

––– -1.0

V

DS

= -20V, V

GS

= 0V

A

––– -25

V

DS

= -16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

––– 100

V

GS

= 12V

nA

––– -100

V

GS

= -12V

14

21

I

D

= -5.1A

1.9 2.9

NC V

DS

= -16V

5.0 7.5

V

GS

= -5.0V

12 –––

V

DD

= -10V

12 –––

I

D

= -1.0A

ns

50 –––

R

G

= 5.8

50 –––

V

GS

= -4.5V

1230 –––

V

GS

= 0V

250 –––

pF

V

DS

= -15V

180 –––

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

48

34

-2.2

A

-33

-1.2

72

51

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

G

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= -2.2A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= -2.2A

的di / dt = 100A / μs的

D

S

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

当安装在1平方英寸2盎司覆铜的FR- 4 。

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

2

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IRF6100

100

VGS

-7.00V

-5.00V

-4.50V

-2.50V

-1.80V

-1.50V

-1.20V

BOTTOM -1.00V

顶部

100

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

VGS

-7.00V

-5.00V

-4.50V

-2.50V

-1.80V

-1.50V

-1.20V

BOTTOM -1.00V

顶部

1

-1.00V

0.1

1

-1.00V

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

T

J

= 25

°

C

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= -5.1A

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

T

J

= 150

°

C

10

1.0

0.5

1

1.0

V DS = -15V

20μs的脉冲宽度

1.5

2.0

2.5

3.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= -4.5V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRF6100

2000

1600

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

10

I

D

=

-5.1A

V

DS

=-16V

8

C，电容（pF ）

西塞

1200

6

800

4

400

科斯

CRSS

1

10

100

2

0

4

8

12

16

20

24

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

-I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10

T

J

= 150

°

C

-I

D

，漏电流（ A）

I

100

10us

10

100us

1ms

1

10ms

1

T

J

= 25

°

C

0.1

0.0

V

GS

= 0 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

0.1

T

A

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

1

10

100

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF6100

6.0

V

DS

5.0

R

D

V

GS

R

G

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

-I

D

，漏电流（ A）

D.U.T.

+

4.0

3.0

2.0

图10A 。

开关时间测试电路

1.0

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

0.0

V

GS

25

50

75

100

125

150

10%

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

90%

V

DS

图10B 。

开关时间波形

100

热响应（Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

1

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

0.1

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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