【PD - 94284AHEXFET功率MOSFET表面贴装（ SMD- 0.5 ）IRF5NJ621】,IC型号IRF5NJ6215,IRF5NJ6215 PDF资料,IRF5NJ6215经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94284A

HEXFET

功率MOSFET

表面贴装（ SMD- 0.5 ）

IRF5NJ6215

150V ， P- CHANNEL

产品概述

产品型号

IRF5NJ6215

BVDSS

-150V

DS （ ON）

0.29

-11A

第五代HEXFET

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现尽可能低的导通电阻

每个芯片单位面积。这样做的好处，并结合

开关速度快和坚固耐用的设备的设计

该HEXFET功率MOSFET是众所周知的，

为设计者提供了一个非常有效的装置

用于在多种应用中使用。

这些装置非常适合于应用程序，例如

如开关电源，马达控制， invert-

器，砍砸器，音频放大器和高能量脉冲

电路。

SMD-0.5

产品特点：

低R

DS （ ON）

额定雪崩能量

动态的dv / dt额定值

简单的驱动要求

易于并联的

密封式

表面贴装

重量轻

绝对最大额定值

参数

ID @ VGS = -10V ， TC = 25℃连续漏电流

ID @ VGS = -10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流

IDM

PD @ TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv / dt的

T英镑

漏电流脉冲

马克斯。功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

包安装表面温度

重量

300 （ 5秒）

1.0 （典型值）

-11

-7.2

-44

0.6

±20

130

-11

7.5

-55到150

W / ℃，

单位

V / ns的

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9/11/01

IRF5NJ6215

电气特性

@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）

参数

民

典型值最大值单位

—

-0.17

—

4.0

—

0.29

-4.0

—

-25

-250

-100

100

—

V /°C的

S( )

测试条件

VGS = 0V ，ID = -250μA

参考至25℃ ， n = -1.0mA

VGS = -10V ，ID = -7.2A

VDS = VGS ，ID = -250μA

VDS = -25V ， IDS = -7.2A

VDS = -150V ， VGS = 0V

VDS = -120V ，

VGS = 0V ， TJ = 125°C

VGS = -20V

VGS = 20V

VGS = -10V ，ID = -7.2A

VDS = -120V

VDD = -75V ， ID = -7.2A ，

VGS = -10V ， RG = 6.8Ω

BVDSS

漏极至源极击穿电压

-150

ΔBV

DSS / ΔTJ分解温度系数 -

电压

RDS （ ON）

静态漏 - 源极导通状态

—

阻力

VGS （ TH）

栅极阈值电压

-2.0

政府飞行服务队

正向跨导

2.3

IDSS

零栅极电压漏极电流

—

IGSS

Q GS

Q GD

（上）

（关闭）

LS + LD

栅极 - 源极漏进

栅极 - 源极漏反

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总电感

—

从中心测量

漏极焊盘源垫的中心

VGS = 0V ， VDS = -25V

F = 1.0MHz的

西塞

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

—

990

230

120

—

源极 - 漏极二极管额定值和特性

参数

ISM

VSD

吨RR

Q RR

吨

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

最小典型最大单位

—

-11

-44

-1.6

240

1.7

测试条件

= 25°C ， IS = -7.2A ， VGS = 0V

TJ = 25°C ， IF = -7.2A ， di / dt的

≤

-100A/s

VDD

≤

-25V

固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。

热阻

参数

RthJC

结到外壳

最小典型最大单位

—

1.67

° C / W

测试条件

注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。

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IRF5NJ6215

100

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

-15V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.0V

-5.5V

-5.0V

BOTTOM -4.5V

顶部

100

VGS

-15V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.0V

-5.5V

-5.0V

BOTTOM -4.5V

顶部

-4.5V

20μs的脉冲宽度

T = 25℃

100

0.1

20μs的脉冲宽度

T = 150℃

100

-V

，漏极至源极电压（ V）

-V

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.5

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

= 25

= 150

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= -11A

2.0

1.5

1.0

0.5

0.1

V DS = -50V

20μs的脉冲宽度

0.0

-60 -40 -20

= -10V

80 100 120 140 160

-V

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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IRF5NJ6215

2000

1600

-V

，栅 - 源极电压（ V）

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

GD ，

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

= -7.2A

= -120V

= -75V

= -30V

C，电容（pF ）

西塞

1200

800

OSS

RSS

400

100

测试电路

见图13

-V

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

运行在有限的BY RDS本领域（上）

-I

，反向漏电流（ A）

= 150

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

= 25

1ms

10ms

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0.1

100

1000

-VDS ，漏toSource电压（V ）

0.1

0.4

= 0 V

0.8

1.2

1.6

-V

，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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IRF5NJ6215

-I

，漏电流（ A）

D.U.T.

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

D（上）

D（关闭）

100

125

150

10%

，外壳温度（ ° C）

90%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.01

0.00001

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T

0.1

0.001

0.01

0.0001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳