【PD -94198IRF5810HEXFET功率MOSFETlllll超低导通电阻双P沟道MOSFE】,IC型号IRF5810,IRF5810 PDF资料,IRF5810经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD -94198

IRF5810

HEXFET

功率MOSFET

超低导通电阻

双P沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

低栅电荷

DSS

-20V

)

DS （ ON）

MAX（ MΩ）

90@V

= -4.5V

135@V

= -2.5V

-2.9A

-2.3A

描述

这些P型沟道HEXFET

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现非常低的导通电阻

每硅片面积。这样做的好处提供设计师

用一个非常有效的装置，用于在电池的使用和

负荷管理应用。

这双TSOP - 6封装应用的理想选择

其中，印刷电路板空间非常珍贵和

其中，最大的功能是必需的。两

每包死， IRF5810可提供

两SOT- 23封装在一个较小的功能

足迹。它独特的散热设计和研发

DS （ ON）

还原能增加电流处理

能力。

TSOP-6

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ -4.5V

连续漏电流， V

@ -4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-20

-2.9

-2.3

-11

0.96

0.62

0.008

± 12

-55到+ 150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

θJA

最大结点到环境

马克斯。

130

单位

° C / W

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6/6/01

IRF5810

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

（ BR ） DSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

分钟。

-20

–––

-0.45

5.4

–––

典型值。

–––

0.011

–––

6.4

1.2

1.7

8.2

650

110

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= -1mA

= -4.5V ，我

= -2.9

135

= -2.5V ，我

= -2.3A

-1.2

= V

, I

= -250A

–––

= -10V ，我

= -2.9A

-1.0

= -16V, V

= 0V

-25

= -16V, V

= 0V ，T

= 70°C

-100

= -12V

100

= 12V

9.6

= -2.9A

1.8

= -10V

2.6

= -4.5V

–––

= -10V

–––

= -1.0A

–––

= 6.0

–––

= -4.5V

–––

= 0V

–––

= -16V

–––

= 1kHz时

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

110

130

-1.0

-11

-1.2

170

200

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= -1.0A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= -1.0A

的di / dt = -100A / μs的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

表面安装在1平方铜电路板

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

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IRF5810

100

VGS

顶部

-10V

-7.0V

-4.5V

-3.0V

-2.5V

-1.8V

-1.5V

BOTTOM -1.2V

100

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

-10V

-7.0V

-4.5V

-3.0V

-2.5V

-1.8V

-1.5V

BOTTOM -1.2V

顶部

0.1

-1.2V

20μs的脉冲宽度

= 150

100

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

= 25

100

0.1

-V

，漏极至源极电压（ V）

-V

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100.0

2.0

T J = 25°C

10.0

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= -2.9A

-I D，漏 - 源电流

(Α

)

1.5

T J = 150℃

1.0

0.5

0.1

1.0

1.5

VDS = -15V

20μs的脉冲宽度

2.0

2.5

3.0

0.0

-60 -40 -20

= -4.5V

80 100 120 140 160

-V GS ，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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1000

800

-V

，栅 - 源极电压（ V）

国际空间站

RSS

OSS

0V,

F = 1MHz的

+ C

GD ，

短

+ C

-2.9A

= -16V

= -10V

C，电容（pF ）

国际空间站

600

400

200

OSS

RSS

100

-V

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

在这一领域

限于由R DS （ ON）

-I

，反向漏电流（ A）

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

= 150

100sec

1msec

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

= 25

10msec

0.1

0.4

= 0 V

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.1

-V

，源极到漏极电压（V ）

100

-V DS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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3.0

2.5

D.U.T.

-I

，漏电流（ A）

2.0

1.5

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

1.0

图10A 。

开关时间测试电路

0.5

D（上）

D（关闭）

0.0

100

125

150

10%

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

90%

图10B 。

开关时间波形

1000

热响应（Z

thJA

)

100

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJA

+ T

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.00001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

典型的有效瞬态热阻抗，结到环境

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2000

Micro-6

代理Infineon Technologies专营，原装现货优势

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TSOP-6

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6-TSOP

原厂一级代理，原装现货

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6-TSOP

全新原装现货，原厂代理。

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