【PD- 95475B开关电源MOSFET应用l高频DC- DC转换器好处l低栅极到漏极电荷降低开关损】,IC型号IRF5802TRPBF,IRF5802TRPBF PDF资料,IRF5802TRPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD- 95475B

开关电源MOSFET

应用

高频DC- DC转换器

好处

低栅极到漏极电荷降低

开关损耗

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

充分界定雪崩电压

和电流

LEAD -FREE

无卤

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗？

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

IRF5802PbF

HEXFET

功率MOSFET

DS （ ON）

最大

1.2

= 10V

0.9A

DSS

150V

＆ QUOT ;

TSOP-6

马克斯。

0.9

0.7

7.0

2.0

0.02

± 30

7.1

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJA

最大结点到环境

马克斯。

62.5

单位

° C / W

笔记

通过

是第8页

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04/20/10

IRF5802PbF

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

GS （ TH）

栅极阈值电压

DSS

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

150

–––

3.0

–––

典型值。

–––

0.19

–––

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安

1.2

= 10V ，我

= 0.54A

5.5

= V

, I

= 250A

= 150V, V

= 0V

250

= 120V, V

= 0V ，T

= 125°C

100

= 30V

-100

= -30V

动态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

0.55 ––– –––

= 50V ，我

= 0.54A

–––

4.5 6.8

= 0.54A

–––

1.0 1.5

= 120V

–––

2.4 3.6

= 10V,

–––

6.0 –––

= 75V

–––

1.6 –––

= 0.54A

–––

7.5 –––

= 6.0

–––

9.2 –––

= 10V

–––

88 –––

= 0V

–––

26 –––

= 25V

–––

7.7 –––

= 1.0MHz的

––– 110 –––

= 0V, V

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

14 –––

= 0V, V

= 120V ， = 1.0MHz的

–––

3.0 –––

= 0V, V

= 0V至120V

雪崩特性

参数

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

马克斯。

9.5

0.9

单位

二极管的特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

1.8

1.3

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= 0.54A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= 0.54A

的di / dt = 100A / μs的

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IRF5802PbF

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.5V

7.0V

6.5V

BOTTOM 6.0V

顶部

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.5V

7.0V

6.5V

BOTTOM 6.0V

顶部

6.0V

0.1

6.0V

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

= 25

100

0.1

20μs的脉冲宽度

= 150

100

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

2.5

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

，漏极 - 源极电流（A ）

= 25

= 150

= 0.9A

2.0

1.5

1.0

0.5

0.1

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

，栅 - 源极电压（ V）

0.0

-60 -40 -20

= 10V

80 100 120 140 160

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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1000

，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

DS短路

CRSS = C

COSS = C + Cgd的

0.54A

= 120V

= 75V

= 30V

C，电容（pF ）

100

西塞

科斯

CRSS

100

1000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

，反向漏电流（ A）

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

= 150

100sec

1msec

= 25

0.1

T A = 25°C

T J = 150℃

单脉冲

10msec

0.1

0.4

= 0 V

0.6

0.8

1.0

1.2

0.01

100

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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1.0

0.8

，漏电流（ A）

D.U.T.

0.6

10V

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

0.4

图10A 。

开关时间测试电路

0.2

90%

0.0

，外壳温度（ ° C）

100

125

150

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

100

热响应（Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJA

+ T

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.00001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

典型的有效瞬态热阻抗，结到环境

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