【PD - 94758汽车MOSFETIRF540ZIRF540ZSIRF540ZLHEXFET功率M】,IC型号IRF540ZS,IRF540ZS PDF资料,IRF540ZS经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94758

汽车MOSFET

IRF540Z

IRF540ZS

IRF540ZL

HEXFET

功率MOSFET

D

特点

●

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

G

V

DSS

= 100V

R

DS （ ON）

= 26.5m

S

描述

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低的导通

每硅片面积的阻力。的附加功能

这样的设计是175 ° C的结温工作

TURE ，开关速度快，提高了重复

雪崩额定值。这些功能结合起来，使

这种设计的一个非常有效和可靠的设备

在汽车应用中使用，各种

的其他应用程序。

I

D

= 36A

TO-220AB

IRF540Z

D

2

PAK

IRF540ZS

TO-262

IRF540ZL

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C连续漏电流， V

GS

@ 10V

（硅有限公司）

I

D

@ T

C

= 100℃连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

I

DM

马克斯。

36

25

140

92

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

P

D

@T

C

= 25 °C功耗

线性降额因子

V

GS

栅极 - 源极电压

E

AS （限热）

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩能量测试值

E

AS

（测试）

d

0.61

± 20

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

雪崩电流

h

83

120

看到图12a ， 12b中，15，16

-55 + 175

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

g

i

°C

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

外壳到散热器，平板油脂润滑表面

结到环境

y

典型值。

马克斯。

1.64

–––

62

40

单位

° C / W

i

–––

0.50

–––

结到环境（印刷电路板安装）

j

www.irf.com

1

10/31/03

IRF540Z/S/L

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

100

–––

2.0

36

–––

0.093

21

–––

42

9.7

15

51

43

39

4.5

7.5

1770

180

100

730

110

170

–––

26.5

4.0

–––

20

250

200

-200

63

–––

nH

–––

pF

ns

nC

nA

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 22A

e

V

A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 25V ，我

D

= 22A

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

I

D

= 22A

V

DS

= 80V

V

GS

= 10V

V

DD

= 50V

I

D

= 22A

R

G

= 12

V

GS

= 10V

e

D

G

S

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 80V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至80V

f

源极 - 漏极额定值和特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

33

41

36

A

140

1.3

50

62

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 22A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 22A ，V

DD

= 50V

的di / dt = 100A / μs的

e

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

2

www.irf.com

IRF540Z/S/L

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

100

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

4.5V

10

4.5V

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

在60μs脉冲宽度

TJ = 175℃

1

0.1

0

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

80

政府飞行服务队，正向跨导（ S）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

T J = 175℃

60

100

T J = 175℃

40

T J = 25°C

20

VDS = 10V

380μs脉宽

0

10

20

30

40

50

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10

T J = 25°C

VDS = 25V

在60μs脉冲宽度

1

4.0

5.0

6.0

7.0

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型正向跨导

与漏电流

www.irf.com

3

IRF540Z/S/L

3000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

20

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID = 22A

VDS = 80V

VDS = 50V

VDS = 20V

2500

16

C，电容（pF ）

2000

西塞

12

1500

8

1000

4

测试电路

见图13

500

科斯

CRSS

0

1

10

100

0

10

20

30

40

50

60

QG总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ISD ，反向漏电流（ A）

100.0

T J = 175℃

10.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

100sec

1.0

T J = 25°C

VGS = 0V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

VSD ，源toDrain电压（ V）

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

1msec

10msec

100

1000

0.1

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF540Z/S/L

40

3.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID = 22A

VGS = 10V

2.5

ID ，漏电流（ A）

30

2.0

20

1.5

10

1.0

0

25

50

75

100

125

150

175

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

T J ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

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PD - 94758

汽车MOSFET

IRF540Z

IRF540ZS

IRF540ZL

HEXFET

功率MOSFET

D

特点

●

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

G

V

DSS

= 100V

R

DS （ ON）

= 26.5m

S

描述

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低的导通

每硅片面积的阻力。的附加功能

这样的设计是175 ° C的结温工作

TURE ，开关速度快，提高了重复

雪崩额定值。这些功能结合起来，使

这种设计的一个非常有效和可靠的设备

在汽车应用中使用，各种

的其他应用程序。

I

D

= 36A

TO-220AB

IRF540Z

D

2

PAK

IRF540ZS

TO-262

IRF540ZL

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C连续漏电流， V

GS

@ 10V

（硅有限公司）

I

D

@ T

C

= 100℃连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

I

DM

马克斯。

36

25

140

92

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

P

D

@T

C

= 25 °C功耗

线性降额因子

V

GS

栅极 - 源极电压

E

AS （限热）

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩能量测试值

E

AS

（测试）

d

0.61

± 20

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

雪崩电流

h

83

120

看到图12a ， 12b中，15，16

-55 + 175

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

g

i

°C

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

外壳到散热器，平板油脂润滑表面

结到环境

y

典型值。

马克斯。

1.64

–––

62

40

单位

° C / W

i

–––

0.50

–––

结到环境（印刷电路板安装）

j

www.irf.com

1

10/31/03

IRF540Z/S/L

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

100

–––

2.0

36

–––

0.093

21

–––

42

9.7

15

51

43

39

4.5

7.5

1770

180

100

730

110

170

–––

26.5

4.0

–––

20

250

200

-200

63

–––

nH

–––

pF

ns

nC

nA

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 22A

e

V

A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 25V ，我

D

= 22A

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

I

D

= 22A

V

DS

= 80V

V

GS

= 10V

V

DD

= 50V

I

D

= 22A

R

G

= 12

V

GS

= 10V

e

D

G

S

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 80V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至80V

f

源极 - 漏极额定值和特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

33

41

36

A

140

1.3

50

62

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 22A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 22A ，V

DD

= 50V

的di / dt = 100A / μs的

e

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

2

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IRF540Z/S/L

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

100

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

4.5V

10

4.5V

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

在60μs脉冲宽度

TJ = 175℃

1

0.1

0

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

80

政府飞行服务队，正向跨导（ S）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

T J = 175℃

60

100

T J = 175℃

40

T J = 25°C

20

VDS = 10V

380μs脉宽

0

10

20

30

40

50

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10

T J = 25°C

VDS = 25V

在60μs脉冲宽度

1

4.0

5.0

6.0

7.0

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型正向跨导

与漏电流

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3000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

20

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID = 22A

VDS = 80V

VDS = 50V

VDS = 20V

2500

16

C，电容（pF ）

2000

西塞

12

1500

8

1000

4

测试电路

见图13

500

科斯

CRSS

0

1

10

100

0

10

20

30

40

50

60

QG总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ISD ，反向漏电流（ A）

100.0

T J = 175℃

10.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

100sec

1.0

T J = 25°C

VGS = 0V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

VSD ，源toDrain电压（ V）

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

1msec

10msec

100

1000

0.1

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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40

3.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID = 22A

VGS = 10V

2.5

ID ，漏电流（ A）

30

2.0

20

1.5

10

1.0

0

25

50

75

100

125

150

175

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

T J ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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