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PD - 95130

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

LEAD -FREE

描述

IRF540NSPbF

IRF540NLPbF

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= 100V

DS （ ON）

= 44m

先进的HEXFET

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现极低的导通电阻元

硅片面积。这样做的好处，结合快速

开关速度和坚固耐用的设备的设计，

HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供了

设计师用一种极其有效和可靠的

装置，用于在各种各样的应用中使用。

对D

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了

最高功率能力和尽可能低的导通

在任何现有的表面电阻贴装封装。该

白是适合的，因为高电流应用

其较低的内部连接性和功耗最高

到2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。

通孔版（ IRF540NL ）可用于低

配置文件的应用程序。

= 33A

PAK

IRF540NSPbF

TO-262

IRF540NLPbF

绝对最大额定值

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

参数

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

110

130

0.87

± 20

7.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） **

典型值。

–––

马克斯。

1.15

单位

° C / W

www.irf.com

3/18/04

IRF540NS/LPbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

（ BR ） DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

单脉冲雪崩能量

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

100 ––– –––

= 0V时，我

= 250A

--- 0.12 --- V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安

––– ––– 44

毫欧V

= 10V ，我

= 16A

2.0

––– 4.0

= V

, I

= 250A

––– –––

= 50V ，我

= 16A

––– ––– 25

= 100V, V

= 0V

––– ––– 250

= 80V, V

= 0V ，T

= 150°C

––– ––– 100

= 20V

––– ––– -100

= -20V

––– ––– 71

= 16A

––– ––– 14

NC V

= 80V

––– –––

= 10V ，参照图6和13

–––

11 –––

= 50V

–––

35 –––

= 16A

–––

39 –––

= 5.1

–––

35 –––

= 10V ，参照图10

铅之间，

4.5

–––

6毫米（0.25英寸）。

从包

–––

7.5

–––

而中心的模具接触

––– 1960 –––

= 0V

––– 250 –––

= 25V

–––

40 –––

= 1.0MHz的，见图。五

--- 700 ？ 185 ？兆焦耳我

= 16A ，L = 1.5mH

源极 - 漏极额定值和特性

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

MOSFET符号

––– –––

展示

整体反转

––– ––– 110

p-n结二极管。

––– ––– 1.2

= 25 ° C，I

= 16A ，V

= 0V

––– 115 170

= 25 ° C，I

= 16A

––– 505 760

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

起始物为

= 25℃时，L = 1.5mH

= 25, I

= 16A 。（参见图12）

≤ 16A,

的di / dt

≤

340A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

≤

175°C

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

这是在破坏设备的典型值，代表

操作之外的额定范围。

这是限定至T的计算值

= 175°C .

使用IRF540N数据和试验条件。

**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。为

推荐的足迹和焊接技术是指应用程序

注意＃ AN- 994

www.irf.com

IRF540NS/LPbF

1000

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

1000

，漏极 - 源极电流（A ）

100

，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

4.5V

0.1

20μs的脉冲宽度

= 25

100

0.1

20μs的脉冲宽度

= 175

100

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.5

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= 33A

，漏极 - 源极电流（A ）

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-60 -40 -20 0

100

= 25

= 175

4.0

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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IRF540NS/LPbF

3000

2500

，栅 - 源极电压（ V）

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

GD ，

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

= 16A

= 80V

= 50V

= 20V

C，电容（pF ）

2000

西塞

1500

1000

科斯

500

CRSS

100

测试电路

见图13

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

，反向漏电流（ A）

100

= 175

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

100sec

1msec

= 25

T A = 25°C

T J = 175℃

单脉冲

100

10msec

0.1

0.2

= 0 V

0.6

1.0

1.4

1.8

0.1

，源极到漏极电压（V ）

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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IRF540NS/LPbF

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

D.U.T.

，漏电流（ A）

图10A 。

开关时间测试电路

90%

100

125

150

175

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳