IRF540NPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
100 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- 0.12 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 44
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
2.0
––– 4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
21
––– –––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 16A
––– ––– 25
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 20V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -20V
––– ––– 71
I
D
= 16A
––– ––– 14
NC V
DS
= 80V
––– –––
21
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
11 –––
V
DD
= 50V
–––
35 –––
I
D
= 16A
ns
–––
39 –––
R
G
= 5.1
–––
35 –––
V
GS
= 10V ，参照图10
铅之间，
4.5 –––
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
–––
7.5 –––
而中心的模具接触
––– 1960 –––
V
GS
= 0V
––– 250 –––
V
DS
= 25V
–––
40 –––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
––– 700 185
兆焦耳我
AS
= 16A ，L = 1.5mH
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
33
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– ––– 110
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.2
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 16A ，V
GS
= 0V
––– 115 170
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A
––– 505 760
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 1.5mH
R
G
= 25, I
AS
= 16A 。 （参见图12）
I
SD
≤ 16A,
的di / dt
≤
340A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
这是在破坏设备的典型值，代表
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
2
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IRF540NPbF
1000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
4.5V
10
10
4.5V
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.5
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 33A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
100
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
10
4.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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