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PD - 91405C
IRF5210S/L
HEXFET
功率MOSFET
先进的工艺技术
l
表面贴装( IRF5210S )
l
通孔低调( IRF5210L )
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
P沟道
l
全额定雪崩
描述
l
D
V
DSS
= -100V
R
DS ( ON)
= 0.06
G
I
D
= -40A
S
国际整流器第五代HEXFETs利用
先进的加工技术,以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处,并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计,
HEXFET功率MOSFET是众所周知的,提供了
设计师有一个非常有效和可靠的装置,用于
在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高
功率能力和尽可能低的导通电阻
任何现有的表面贴装封装。对D
2
朴适用
为,由于其低的内高电流的应用
连接性和功耗最高2.0W的
典型的表面贴装应用。
通孔版( IRF5210L )可用于低
配置文件的应用程序。
D 2 P AK
T O服务-26 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ -10V
连续漏电流, V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
-40
-29
-140
3.8
200
1.3
± 20
780
-21
20
-5.0
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境( PCB安装,稳态) **
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.75
40
单位
° C / W
5/13/98
IRF5210S/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
V
( BR ) DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-100
–––
–––
-2.0
10
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
-0.11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
17
86
79
81
7.5
2700
790
450
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= -1mA ?
0.06
V
GS
= -10V ,我
D
= -24A
-4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -50V ,我
D
= -21A
-25
V
DS
= -100V, V
GS
= 0V
A
-250
V
DS
= -80V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
180
I
D
= -21A
25
NC V
DS
= -80V
97
V
GS
= -10V ,见图。 6和13
–––
V
DD
= -50V
–––
I
D
= -21A
ns
–––
R
G
= 2.5
–––
R
D
= 2.4Ω ,参照图10
铅之间,
nH
–––
而中心的模具接触
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -25V
–––
= 1.0MHz的,见图。 5 ?
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– -40
展示
A
G
整体反转
––– ––– -140
p-n结二极管。
S
––– ––– -1.6
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= -24A ,V
GS
= 0V
––– 170 260
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= -21A
––– 1.2 1.8
C
的di / dt = -100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
使用IRF5210数据和测试条件
起始物为
J
= 25℃时,L = 3.1mH
R
G
= 25, I
AS
= -21A 。 (参见图12)
T
J
175°C
**当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料) 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994 。
I
SD
-21A , di / dt的
-480A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
IRF5210S/L
1000
VGS
- 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOT汤姆 - 4.5V
以P
1000
-ID ,D雨来-S OU RC式C urre NT (A )
100
-ID ,漏极 - 源极电流(A )
VGS
- 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
顶部
100
10
10
-4 .5V
4 0μ S·P ü LS东西TH ID
T
C
= 1 75 °C
0.1
1
10
1
0.1
1
-4.5 V
4 0μ S·P ü LS东西TH ID
T C = 2 5℃
A
10
100
1
100
A
-VD S,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
-VD S,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
R
S(上)
,D RA在对-S URC ê n个R (E S)是TA NC ê
(N RM艾莉婕四)
I
D
= -3 5A
-I
D
,D雨来-S环境允许光凭目前 (A )
2.5
100
T
J
= 2 5 °C
T
J
= 17 5 °C
2.0
1.5
10
1.0
0.5
1
4
5
6
7
V
DS
= -5 0 V
4 0μ S·P ü L南东西TH ID
8
9
A
10
0.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= -10 V
100 120 140 160 180
A
-V
的s
,尕德以诚源沃尔特GE ( V)
T
J
,J UNC化牛逼EM perature ( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRF5210S/L
6000
20
5000
-V
的s
,G吃了对-S环境允许的V oltage ( V)
C
国际空间站
V
GS
C
国际空间站
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1MHz的
C
的s
+ C
, C
S
中文 TE
C
gd
C
ds
+ C
I
D
= -2 1A
V
S
= -80 V
V
S
= -50 V
V
S
= -20 V
16
C,电容(pF )
4000
C
OSS
3000
12
C
RSS
2000
8
4
1000
0
1
10
100
A
0
0
40
80
FO TE S T CIR ú IT
性S E ê图ú 1 3
120
160
A
200
-V
S
,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
Q
G
,共有摹吃哈耶( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
-I
SD
,反向雨电流(A )
P·E·R一件T IO N的牛逼H是A R ê A L IM ITE
B Y形
S(O N)
-I
D
,D雨光凭目前 (A )
100
100
10 s
T
J
= 1 75 °C
T
J
= 2 5°C
10
100s
10
1米s
1
0.4
0.8
1.2
1.6
V
的s
= 0V
2.0
A
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐P ü LSE
10
10米s
2.4
A
100
1000
-V
S.D。
,S ourc E-到-D雨V oltage ( V)
-V
S
,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
IRF5210S/L
50
V
DS
40
R
D
V
GS
R
G
-I
D
,漏电流( A)
D.U.T.
+
30
-10V
20
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
10
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
0
25
50
75
100
125
150
175
V
GS
10%
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
90%
V
DS
图10B 。
开关时间波形
1
热响应(Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
2
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
-
V
DD
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    IRF5210L
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    -
    -
    -
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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IRF5210L
Infineon Technologies
24+
5000
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
原装正品现货
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
IRF5210L
Infineon
2025+
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TO-262-3
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电话:13510131896
联系人:欧阳
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IR
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IRF5210L
IR
2443+
23000
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-83247290
联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
IRF5210L
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23+
4530
原厂原封装
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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