【PD - 91434AIRF5210HEXFET功率MOSFETlllllll先进的工艺技术超低导通】,IC型号IRF5210,IRF5210 PDF资料,IRF5210经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 91434A

IRF5210

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

P沟道

全额定雪崩

DSS

= -100V

DS （ ON）

= 0.06

= -40A

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。在低热阻

和TO- 220封装低的成本导致其广泛

接受整个行业。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ -10V

连续漏电流， V

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

马克斯。

-40

-29

-140

200

1.3

± 20

780

-21

-5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.75

–––

单位

° C / W

5/13/98

IRF5210

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

GS （ TH）

栅极阈值电压

正向跨导

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

-100

–––

-2.0

–––

典型值。

–––

-0.11

–––

4.5

7.5

2700

790

450

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= -1mA

0.06

= -10V ，我

= -24A

-4.0

= V

, I

= -250A

–––

= -50V ，我

= -21A

-25

= -100V, V

= 0V

-250

= -80V, V

= 0V ，T

= 150°C

100

= 20V

-100

= -20V

180

= -21A

NC V

= -80V

= -10V ，见图。 6和13

–––

= -50V

–––

= -21A

–––

= 2.5

–––

= 2.4Ω ，参照图10

铅之间，

–––

6毫米（0.25英寸）。

从包

–––

而中心的模具接触

–––

= 0V

–––

= -25V

–––

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

MOSFET符号

––– ––– -40

展示

整体反转

––– ––– -140

p-n结二极管。

––– ––– -1.6

= 25 ° C，I

= -21A ，V

= 0V

––– 170 260

= 25 ° C，I

= -21A

––– 1.2 1.8

μC的di / dt = -100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

= -25V ，起始物为

= 25℃时，L = 3.5mH

= 25, I

= -21A 。（参见图12）

≤

-21A ， di / dt的

≤

-480A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

≤

175°C

IRF5210

1000

VGS

- 15V

- 10V

- 8.0V

- 7.0V

- 6.0V

- 5.5V

- 5.0V

BOT汤姆 - 4.5V

以P

1000

-ID ，D雨来-S OU RC式C urre NT （A ）

-ID ，D雨来-S环境允许光凭目前（A ）

VGS

- 15V

- 10V

- 8.0V

- 7.0V

- 6.0V

- 5.5V

- 5.0V

BOTTOM - 4.5V

顶部

100

-4 .5V

4 0μ S·P ü LS东西ID牛逼

= 1 75 °C

0.1

-4.5 V

4 0μ S·P ü LS东西TH ID

T C = 2 5℃

100

-VD S，D雨来-S ourc é V oltage （ V）

-VD S，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

S（上）

，D雨来-S环境允许 n个R esistance

（N ORM alized ）

= -35 A

-I

，D雨来-S环境允许光凭目前（A ）

2.5

100

= 2 5 °C

= 1 7 5 °C

2.0

1.5

1.0

0.5

= -5 0 V

4 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼

0.0

-60

-40

-20

的s

= -1 0V

100 120 140 160 180

-V

的s

，G一德以诚-S ü RC è V LTA克E（ V）

，结牛逼EM perature （ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRF5210

6000

5000

-V

的s

，G吃了对-S环境允许的V oltage （ V）

国际空间站

RS s

0V ,

F = 1MHz的

的s

+ C

克

, C

中文 TE

+ C

克

= -2 1A

= -80 V

= -50 V

= -20 V

C，电容（pF ）

4000

OSS

3000

RSS

2000

1000

100

FO TE S T CIR ú IT

性S E ê图ú 1 3

120

160

200

-V

，D雨来-S ourc é V oltage （ V）

，共有摹吃哈耶（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

-I

S.D。

，R EVERSE漏光凭目前（A ）

P·E·R一件T IO N的牛逼H是A R ê A L IM ITE

B Y形

S（O N）

-I

，D雨光凭目前（A ）

100

10 s

= 1 75 °C

= 2 5°C

100s

1米s

0.4

0.8

1.2

1.6

的s

= 0V

2.0

= 25 °C

= 17 5°C

S荷兰国际集团乐P ü LSE

10米s

100

1000

2.4

-V

S.D。

，S ourc E-到-D雨V oltage （ V）

-V

，D雨来-S ourc é V oltage （ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRF5210

D.U.T.

-I

，漏电流（ A）

-10V

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

D（上）

D（关闭）

10%

100

125

150

175

90%

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳