PD -91340A
IRF520NS/L
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
表面贴装（ IRF520NS ）
通孔低调（ IRF520NL ）
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 100V
R
DS （ ON）
= 0.20
G
S
I
D
= 9.7A
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进
加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。
这样做的好处，结合快速开关速度和加固装置
设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供了
设计师用在各种各样的非常有效和可靠的装置，用于使用
的应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装可容纳芯片的功率封装
尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率容量和最低
可能的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。对D
2
Pak是
适合，因为它的低内部连接的高电流的应用
性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRF520NL ）可用于低轮廓的应用程序。
D 2 P AK
T O服务-26 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
9.7
6.8
38
3.8
48
0.32
± 20
91
5.7
4.8
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
3.1
40
单位
° C / W
5/13/98
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IRF520NS/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
100
–––
–––
2.0
2.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
4.5
23
32
23
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
0.20
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.7A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 5.7A
25
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
25
I
D
= 5.7A
4.8
NC V
DS
= 80V
11
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 50V
–––
I
D
= 5.7A
ns
–––
R
G
= 22
–––
R
D
= 8.6Ω ，参照图10
铅之间，
nH
7.5 –––
而中心的模具接触
330 –––
V
GS
= 0V
92 –––
pF
V
DS
= 25V
54 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 9.7
展示
A
G
整体反转
––– ––– 38
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 5.7A ，V
GS
= 0V
––– 99 150
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 5.7A
––– 390 580
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRF520N数据和测试条件
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 4.7mH
R
G
= 25, I
AS
= 5.7A 。 （参见图12）
T
J
≤
175°C
**当使用最小的占用空间，建议安装在FR- 4电路板。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
I
SD
≤
5.7A ， di / dt的
≤
240A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
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IRF520NS/L
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BO TTOM 4.5V
以P
100
10
I，D雨 - 源极电流（A ）
D
I，D RA在对-S URC式C rren T（A ）
D
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
4 .5V
2 0μ S·P ü L南东西TH ID
T
C
= 17 5°C
0.1
1
10
100
4 .5V
2 0μ S·P ü L南东西ID
T
C
= 25 °C
0.1
1
10
100
1
A
1
A
V·D S，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
V DS ，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
R
S（上）
，漏到-S环境允许 n个电阻
（N ORM alized ）
I
D
= 9 .5A
I
D
，D大雨到那么urce urren T（A ）
2.5
2.0
T
J
= 25 °C
10
T
J
= 1 7 5°C
1.5
1.0
0.5
1
4
5
6
7
V
DS
= 5 0V
2 0μ S·P ü L南东西TH ID
8
9
10
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160 180
A
V
的s
，G吃了对-SO urce Voltag E（ V）
T
J
，结牛逼EM perature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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600
500
C
国际空间站
C，电容（pF ）
400
300
C
OSS
V
的s
，G吃了对-S环境允许的V oltage （ V）
V
GS
C
为s
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1M ^ h
C
的s
+ C
克
, C
S
中文 T E
C
gd
C
S
+ C
gd
20
I
D
= 5.7 A
16
V
S
= 80 V
V
S
= 50 V
V
S
= 20 V
12
8
200
C
RSS
100
4
0
1
10
100
A
0
0
5
10
FO 释T C IR ú IT
性S E ê图ú 1 3
15
20
25
A
V
S
，D雨来-S ourc é V oltage （ V）
Q
G
，T otal摹吃哈耶（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
I
SD
，反向雨光凭目前 （A ）
P·E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE
B Y形
S（O N）
10s
I
D
，排水光凭目前 （A ）
10
100 s
T
J
= 17 5°C
10
T
J
= 2 5°C
1米s
1
10米s
1
0.4
0.6
0.8
1.0
V
的s
= 0V
1.2
A
0.1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐P ü LSE
10
100
1.4
1000
A
V
S.D。
，S ourc E-到-D雨V oltage （ V）
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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V
DS
10.0
R
D
V
GS
R
G
8.0
D.U.T.
+
-
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
10V
6.0
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
4.0
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
2.0
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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