【PD - 94818IRF520NPbF先进的工艺技术动态的dv / dt额定值175 ° C工作温】,IC型号IRF520NPBF,IRF520NPBF PDF资料,IRF520NPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94818

IRF520NPbF

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

LEAD -FREE

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。低热

电阻和TO- 220封装的低费用

促进整个公司的广泛认可

业。

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= 100V

DS （ ON）

= 0.20

= 9.7A

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

9.7

6.8

0.32

± 20

5.7

4.8

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

3.1

–––

单位

° C / W

11/5/03

IRF520NPbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

（ BR ） DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

100

–––

2.0

2.7

–––

典型值。

–––

0.11

–––

4.5

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安

0.20

= 10V ，我

= 5.7A

4.0

= V

, I

= 250A

–––

= 50V ，我

= 5.7A

= 100V, V

= 0V

250

= 80V, V

= 0V ，T

= 150°C

100

= 20V

-100

= -20V

= 5.7A

4.8

= 80V

= 10V ，参照图6和13

–––

= 50V

–––

= 5.7A

–––

= 22

–––

= 8.6Ω ，参照图10

铅之间，

4.5 –––

6毫米（0.25英寸）。

从包

7.5 –––

而中心的模具接触

330 –––

= 0V

92 –––

= 25V

54 –––

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

390

9.7

1.3

150

580

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= 5.7A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= 5.7A

的di / dt = 100A / μs的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

= 25V ，起始物为

= 25℃时，L = 4.7mH

= 25, I

= 5.7A 。（参见图12）

≤

5.7A ， di / dt的

≤

240A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

≤

175°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

IRF520NPbF

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

我，漏 - 源电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

4.5V

20μs的脉冲宽度

= 175°C

100

4.5V

0.1

20μs的脉冲宽度

= 25°C

100

0.1

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

3.0

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= 9.5A

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

2.0

= 25°C

= 175°C

1.5

1.0

0.5

= 50V

20μs的脉冲宽度

0.0

-60 -40 -20

= 10V

80 100 120 140 160 180

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRF520NPbF

600

500

国际空间站

400

300

OSS

，栅 - 源极电压（ V）

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

, C

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

= 5.7A

= 80V

= 50V

= 20V

C，电容（pF ）

200

RSS

100

测试电路

见图13

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10s

，漏电流（ A）

100s

= 175°C

= 25°C

1ms

10ms

0.4

0.6

0.8

1.0

= 0V

1.2

1.4

0.1

= 25°C

= 175°C

单脉冲

100

1000

，源极到漏极电压（V ）

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRF520NPbF

10.0

D.U.T.

8.0

，漏电流（ A）

10V

6.0

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

4.0

图10A 。

开关时间测试电路

90%

2.0

0.0

，外壳温度（ ° C）

100

125

150

175

10%

D（上）

D（关闭）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

查看更多IRF520NPBFPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

QQ：2881677436 复制

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

IRF520NPBF

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

QQ：2880707522 复制

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

IRF520NPBF

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市银芯龙科技有限公司

QQ：

QQ：1184826453 复制

电话：13510131896

联系人：欧阳

地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514

IRF520NPBF

INFINEON

2033+

5000

全新原装欢迎咨询

深圳市金嘉锐电子有限公司

QQ：

QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859

联系人：朱先生

地址：深圳福田区振兴路华康大厦211

IRF520NPBF

25+

32560

TO-220AB

【原装优势★★★绝对有货】

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

IRF520NPBF

Infineon Technologies

2440+

3000

TO-220-3

代理Infineon Technologies专营，原装现货优势

深圳市正信鑫科技有限公司

QQ：

QQ：1686616797 复制

QQ：2440138151 复制

电话：0755-22655674/15099917285

联系人：小邹

地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室

IRF520NPBF

ＩＲ

22+

6364

原厂封装

原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈

深圳市俊晖半导体有限公司

QQ：

QQ：421123133 复制

电话：13410941925

联系人：李先生【原装正品,可开发票】

地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12

IRF520NPBF

IR(国际整流器)

24+

7800

原装正品现货，可开增值税专用发票

深圳市煦洪科技有限公司

QQ：

QQ：2891128682 复制

电话：18820154873

联系人：李

地址：华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10

IRF520NPBF

INFINEON/英飞凌

25+

88280

原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！

深圳市昌和盛利电子有限公司

QQ：

QQ：2360675383 复制

QQ：1551106297 复制

电话：0755-83679110 0755-23125986

联系人：朱生/李小姐

地址：█★◆█★◣█★█◆█★深圳福田区华强北海外装饰大厦B座7B-20（门市：新亚洲电子市场4楼)★【长期高价回收全新原装正品电子元器件】

IRF520NPBF

IR【专注原装正品现货】

NEW

47188

TO-220

█◆★【专注原装正品现货】★价格最低★！量大可定！欢迎惠顾！(长期高价回收全新原装正品电子元器件)

深圳市华创欧科技有限公司

QQ：

QQ：3065848471 复制

QQ：1391615788 复制

QQ：2319599090 复制

电话：0755-23945755 83248872

联系人：朱先生

地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

IRF520NPBF

INFINEON

22+

47000

TO-220

原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0755-23945755 QQ:3065848471

江苏芯钻时代电子科技有限公司

QQ：

QQ：1316996791 复制

电话：18913062888

联系人：陈先生

地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号

IRF520NPBF

Infineon Technologies

24+

5000

TO-220-3

原装正品现货

深圳信泰电子器材有限公司

QQ：

QQ：1248156793 复制

QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658

联系人：廖先生

地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★

IRF520NPBF

IR/INFINEON

24+

8000

TO-220

100%原装正品，只做原装正品

查询更多IRF520NPBF供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司