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IRF4N60

功率MOSFET

概述

这种先进的高电压MOSFET的设计

在雪崩模式和开关承受高能量

有效的。这种新的高能器件还提供了一个

漏极 - 源极二极管具有快速恢复时间。设计

高电压，高速开关应用如

电源，转换器，功率电机控制和

电桥电路。

特点

更高的额定电流

低RDS （ ON）

较低的电容

低总栅极电荷

更严格的VSD技术指标

较高的雪崩能量

引脚配置

TO-220/TO-220FP

符号

顶视图

摹吃

SOU RCE

漏

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

等级

漏电流

连续

脉冲

栅极 - 源极电压

总功耗

TO-220

TO-220FP

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

热阻

结到外壳

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

= 25

= 100V, V

= 10V ，我

= 4A ，L = 10MH ，R

= 25 )

符号

GSM

价值

4.0

±20

±40

单位

CONTINUE

不重复

, T

英镑

-55到150

1.70

300

第1页

IRF4N60

功率MOSFET

订购信息

产品型号

IRF4N60FP

包

TO- 220封装完整

....................IRF4N60..............................................TO-220

电气特性

除非另有规定，T

= 25

CIRF4N60

特征

漏源击穿电压

= 0 V，I

= 250 A)

漏极 - 源极漏电流

=600 V, V

= 0 V)

门源漏电流，正向

GSF

= 20 V, V

= 0 V)

门源漏电流，反向

GSR

= 20 V, V

= 0 V)

栅极阈值电压

= V

, I

= 250 A)

静态漏源导通电阻（V

= 10 V，I

= 2.0A) *

正向跨导（V

= 50 V，I

= 2.0 A) *

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

= 300 V，I

= 4.0 A,

= 10 V,

= 9.1 ) *

= 480 V，I

= 4.0 A,

= 10 V)*

符号

（ BR ） DSS

DSS

0.1

GSSF

GSSR

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

2.0

100

-100

4.0

民

600

典型值

最大

单位

................1.5...............

2.5

520

125

8.0

7.0

5.0

2.7

2.0

4.5

7.5

730

180

姆欧

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

向前开启时间

反向恢复时间

= 4.0 A,

= 100A / μs）内

655

1.5

*脉冲测试：脉冲宽度300μS ，占空比

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

第2页

IRF4N60

OWER

MOSFET

典型电气特性

第3页

IRF4N60

OWER

MOSFET

包装尺寸为

TO-220

引脚1 ：门

引脚2 ：排水

引脚3 ：源

前视图

SIDE VIEW

TO-220FP

0.1

前视图

SIDE VIEW

后视图

第4页

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