【PD - 95880汽车MOSFETIRF3805IRF3805SIRF3805LHEXFET功率M】,IC型号IRF3805,IRF3805 PDF资料,IRF3805经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 95880

汽车MOSFET

IRF3805

IRF3805S

IRF3805L

HEXFET

功率MOSFET

D

特点

l

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

G

V

DSS

= 55V

R

DS （ ON）

= 3.3m

描述

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低的导通

每硅片面积的阻力。的附加功能

这样的设计是175 ° C的结温工作

TURE ，开关速度快，提高了重复

雪崩额定值。这些功能结合起来，使

这种设计的一个非常有效和可靠的设备

在汽车应用中使用，各种

的其他应用程序。

S

I

D

= 75A

TO-220AB

IRF3805

D

2

PAK

IRF3805S

马克斯。

220

160

75

890

130

2.2

± 20

TO-262

IRF3805L

单位

A

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

D

@ T

C

= 25°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS （限热）

E

AS

（测试）

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

（硅有限公司）

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

（包装有限公司）

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩能量测试值

雪崩电流

重复性雪崩能量

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

°C

d

h

工作结

存储温度范围

g

730

940

看到图12a ， 12b中，15，16

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

热阻

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

i

y

参数

结到外壳

外壳到散热器，平板油脂润滑表面

结到环境

典型值。

马克斯。

0.45

–––

62

40

单位

° C / W

i

–––

0.50

–––

结到环境（印刷电路板安装）

j

www.irf.com

1

10/21/04

IRF3805/S/L

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

55

–––

2.0

75

–––

0.051

2.6

–––

190

52

72

150

20

93

87

4.5

7.5

7960

1260

630

4400

980

1550

–––

3.3

4.0

–––

20

250

200

-200

290

–––

nH

–––

pF

ns

nC

nA

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 75A

V

A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 25V ，我

D

= 75A

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

I

D

= 75A

V

DS

= 44V

V

GS

= 10V

V

DD

= 28V

I

D

= 75A

R

G

= 2.6

V

GS

= 10V

e

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 44V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至44V

f

源极 - 漏极额定值和特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

36

47

75

A

890

1.3

54

71

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 75A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 75A ，V

DD

= 28V

的di / dt = 100A / μs的

e

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

2

www.irf.com

IRF3805/S/L

1000

顶部

1000

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

底部

100

10

4.5V

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

10

0.1

4.5V

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

1

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.0

200

TJ = 175℃

政府飞行服务队，正向跨导（ S）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

TJ = 25°C

160

TJ = 175℃

100.0

120

10.0

TJ = 25°C

1.0

80

VDS = 20V

0.1

4.0

5.0

6.0

40

≤

在60μs脉冲宽度

7.0

8.0

VDS = 10V

380μs脉宽

0

20

40

60

80 100 120 140 160 180

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型正向跨导

与漏电流

www.irf.com

3

IRF3805/S/L

14000

12000

10000

8000

6000

4000

2000

0

1

10

100

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

20

ID = 75A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VDS = 44V

VDS = 28V

16

C，电容（pF ）

西塞

12

8

科斯

CRSS

4

0

50

100

150

200

250

300

QG总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

10000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

TJ = 175℃

ISD ，反向漏电流（ A）

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.0

1000

100

100sec

10.0

TJ = 25°C

1.0

10

1

VGS = 0V

0.1

0.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

1msec

10msec

100

1000

0.1

VSD ，源极到漏极电压（V ）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF3805/S/L

240

不限按包

200

ID ，漏电流（ A）

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

2.0

ID = 75A

VGS = 10V

160

120

80

40

0

25

50

75

100

125

150

175

TC ，外壳温度（ ° C）

1.5

1.0

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

TJ ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

1

D = 0.50

热响应（Z thJC ）

0.1

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

R

1

R

1

τ

J

τ

1

τ

2

R

2

R

2

τ

C

τ

2

0.01

τ

J

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

0.11

0.001016

0.097

0.012816

τ

1

0.001

CI-

τi /日

次I /日

单脉冲

（热反应）

0.0001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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PD - 95880

汽车MOSFET

IRF3805

IRF3805S

IRF3805L

HEXFET

功率MOSFET

D

特点

l

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

G

V

DSS

= 55V

R

DS （ ON）

= 3.3m

描述

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低的导通

每硅片面积的阻力。的附加功能

这样的设计是175 ° C的结温工作

TURE ，开关速度快，提高了重复

雪崩额定值。这些功能结合起来，使

这种设计的一个非常有效和可靠的设备

在汽车应用中使用，各种

的其他应用程序。

S

I

D

= 75A

TO-220AB

IRF3805

D

2

PAK

IRF3805S

马克斯。

220

160

75

890

130

2.2

± 20

TO-262

IRF3805L

单位

A

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

D

@ T

C

= 25°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS （限热）

E

AS

（测试）

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

（硅有限公司）

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

（包装有限公司）

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩能量测试值

雪崩电流

重复性雪崩能量

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

°C

d

h

工作结

存储温度范围

g

730

940

看到图12a ， 12b中，15，16

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

热阻

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

i

y

参数

结到外壳

外壳到散热器，平板油脂润滑表面

结到环境

典型值。

马克斯。

0.45

–––

62

40

单位

° C / W

i

–––

0.50

–––

结到环境（印刷电路板安装）

j

www.irf.com

1

10/21/04

IRF3805/S/L

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

55

–––

2.0

75

–––

0.051

2.6

–––

190

52

72

150

20

93

87

4.5

7.5

7960

1260

630

4400

980

1550

–––

3.3

4.0

–––

20

250

200

-200

290

–––

nH

–––

pF

ns

nC

nA

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 75A

V

A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 25V ，我

D

= 75A

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

I

D

= 75A

V

DS

= 44V

V

GS

= 10V

V

DD

= 28V

I

D

= 75A

R

G

= 2.6

V

GS

= 10V

e

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 44V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至44V

f

源极 - 漏极额定值和特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

36

47

75

A

890

1.3

54

71

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 75A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 75A ，V

DD

= 28V

的di / dt = 100A / μs的

e

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

2

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1000

顶部

1000

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

底部

100

10

4.5V

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

10

0.1

4.5V

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

1

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.0

200

TJ = 175℃

政府飞行服务队，正向跨导（ S）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

TJ = 25°C

160

TJ = 175℃

100.0

120

10.0

TJ = 25°C

1.0

80

VDS = 20V

0.1

4.0

5.0

6.0

40

≤

在60μs脉冲宽度

7.0

8.0

VDS = 10V

380μs脉宽

0

20

40

60

80 100 120 140 160 180

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型正向跨导

与漏电流

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3

IRF3805/S/L

14000

12000

10000

8000

6000

4000

2000

0

1

10

100

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

20

ID = 75A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VDS = 44V

VDS = 28V

16

C，电容（pF ）

西塞

12

8

科斯

CRSS

4

0

50

100

150

200

250

300

QG总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

10000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

TJ = 175℃

ISD ，反向漏电流（ A）

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.0

1000

100

100sec

10.0

TJ = 25°C

1.0

10

1

VGS = 0V

0.1

0.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

1msec

10msec

100

1000

0.1

VSD ，源极到漏极电压（V ）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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240

不限按包

200

ID ，漏电流（ A）

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

2.0

ID = 75A

VGS = 10V

160

120

80

40

0

25

50

75

100

125

150

175

TC ，外壳温度（ ° C）

1.5

1.0

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

TJ ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

1

D = 0.50

热响应（Z thJC ）

0.1

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

R

1

R

1

τ

J

τ

1

τ

2

R

2

R

2

τ

C

τ

2

0.01

τ

J

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

0.11

0.001016

0.097

0.012816

τ

1

0.001

CI-

τi /日

次I /日

单脉冲

（热反应）

0.0001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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