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PD- 94948

开关电源MOSFET

应用

高频隔离DC- DC

转换器的同步整流

对于电信和工业应用

高频降压转换器的

服务器处理器电源同步FET

优化的同步降压

转换器包括电容感应

开启免疫

LEAD -FREE

好处

超低栅极阻抗

非常低的RDS（on ），在4.5V V

IRF3711PbF

IRF3711SPbF

IRF3711LPbF

HEXFET

功率MOSFET

DSS

20V

DS （ ON）

最大

6.0m

110A

TO-220AB

IRF3711PbF

PAK

IRF3711SPbF

TO-262

IRF3711LPbF

绝对最大额定值

符号

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

, T

英镑

充分界定雪崩电压

和电流

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

结温和存储温度范围

马克斯。

± 20

110

440

120

3.1

0.96

-55到+ 150

单位

W / ℃，

°C

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

结到环境（印刷电路板安装）

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

1.04

–––

单位

° C / W

笔记

通过

在第11页

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2/27/04

IRF3711/S/LPbF

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

分钟。

–––

静态漏 - 源极导通电阻

–––

栅极阈值电压

1.0

–––

漏极至源极漏电流

–––

栅 - 源正向漏

–––

栅 - 源反向漏

–––

典型值。

–––

0.022

4.7

6.2

–––

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安

6.0

= 10V ，我

= 15A

8.5

= 4.5V ，我

= 12A

3.0

= V

, I

= 250A

= 16V, V

= 0V

100

= 16V, V

= 0V ，T

= 125°C

200

= 16V

-200

= -16V

动态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

OSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

输出栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

–––

典型值。

–––

7.3

8.9

220

2980

1770

280

MAX 。单位

条件

–––

= 16V ，我

= 30A

= 15A

–––

NC V

= 10V

–––

= 4.5V

–––

= 0V, V

= 10V

–––

= 10V

–––

= 30A

–––

= 1.8

–––

= 4.5V

–––

= 0V

–––

= 10V

–––

= 1.0MHz的

雪崩特性

符号

参数

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

马克斯。

460

单位

二极管的特性

符号

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向

恢复

时间

收费

时间

收费

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

––– 110

–––

440

1.3

–––

––– 0.88

––– 0.82

––– 50

––– 61

––– 48

––– 65

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= 30A ，V

= 0V

≤ 125 ° C，I

= 30A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= 16A ，V

=10V

的di / dt = 100A / μs的

≤ 125 ° C，I

= 16A ，V

=10V

的di / dt = 100A / μs的

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IRF3711/S/LPbF

1000

VGS

顶部

15V

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

1000

，漏极 - 源极电流（A ）

100

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

顶部

100

2.7V

20μs的脉冲宽度

= 25

100

0.1

20μs的脉冲宽度

= 150

100

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

= 25

= 150

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

2.0

= 110A

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

100

1.0

0.5

2.0

V DS = 25V

20μs的脉冲宽度

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

0.0

-60 -40 -20

= 10V

80 100 120 140 160

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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100000

，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

DS短路

CRSS = C

COSS = C + Cgd的

= 30A

= 16V

= 10V

C，电容（pF ）

10000

西塞

科斯

1000

CRSS

100

测试电路

见图13

VDS ，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

10000

，反向漏电流（ A）

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100

= 150

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1000

100

100sec

1msec

= 25

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

VDS ，漏toSource电压（V ）

10msec

0.1

0.2

= 0 V

0.8

1.4

2.0

2.6

，源极到漏极电压（V ）

100

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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120

不限按包

100

D.U.T.

，漏电流（ A）

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

90%

100

125

150

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

0.0001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

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