IRF3710Z/S/LPbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
35
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.10
14
–––
–––
–––
–––
–––
–––
82
19
27
17
77
41
56
4.5
7.5
2900
290
150
1130
170
280
–––
–––
18
4.0
–––
20
250
200
-200
120
28
40
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
s V
DS
= 50V ，我
D
= 35A
μA V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
NC I
D
= 35A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
NS V
DD
= 50V
I
D
= 35A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
D
nH的铅之间，
f
f
f
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
50
100
59
A
240
1.3
75
160
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 35A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 35A ，V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的
f
S
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
f
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25 ° C，L = 0.27mH ，
R
G
= 25, I
AS
= 35A ，V
GS
= 10V 。不属于
推荐使用高于此值。
I
SD
≤
35A ， di / dt的
≤
380A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
从样品失效人口这个值来决定。 100 ％
测试，在生产该值。
这个被施加到D
2
白，装在1"方形PCB时
（FR-4或G- 10材料） 。对于推荐的足迹，
焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
www.irf.com
IRF3710Z/S/LPbF
60
50
ID ，漏电流（ A）
3.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
2.5
ID = 59A
V GS = 10V
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
TC ，外壳温度（ ° C）
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
0.1
0.01
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
35
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.10
14
–––
–––
–––
–––
–––
–––
82
19
27
17
77
41
56
4.5
7.5
2900
290
150
1130
170
280
–––
–––
18
4.0
–––
20
250
200
-200
120
28
40
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
s V
DS
= 50V ，我
D
= 35A
μA V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
NC I
D
= 35A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
NS V
DD
= 50V
I
D
= 35A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
D
nH的铅之间，
f
f
f
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
50
100
59
A
240
1.3
75
160
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 35A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 35A ，V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的
f
S
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
f
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25 ° C，L = 0.27mH ，
R
G
= 25, I
AS
= 35A ，V
GS
= 10V 。不属于
推荐使用高于此值。
I
SD
≤
35A ， di / dt的
≤
380A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
从样品失效人口这个值来决定。 100 ％
测试，在生产该值。
这个被施加到D
2
白，装在1"方形PCB时
（FR-4或G- 10材料） 。对于推荐的足迹，
焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
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60
50
ID ，漏电流（ A）
3.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
2.5
ID = 59A
V GS = 10V
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
TC ，外壳温度（ ° C）
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
0.1
0.01
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
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0.01
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T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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