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PD - 95108

IRF3710SPbF

IRF3710LPbF

l

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

D

V

DSS

= 100V

R

DS （ ON）

= 23m

G

S

I

D

= 57A

描述

先进的HEXFET

国际整流器功率MOSFET采用

先进的加工技术，以实现极低的导通电阻元

硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，

为设计者提供了在一个非常有效和可靠的设备使用

各种各样的应用程序。

对D

2

白是一种表面贴装可容纳芯片的功率封装

尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率容量和最低

可能的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。对D

2

Pak是

适合，因为它的低内部连接的高电流的应用

性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。

通孔版（ IRF3710L ）可用于低轮廓的应用程序。

D

2

PAK

IRF3710SPbF

TO-262

IRF3710LPbF

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

57

40

180

200

1.3

± 20

28

20

5.8

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳

结到环境

（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

0.75

40

单位

° C / W

www.irf.com

1

9/16/04

IRF3710S/LPbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

E

AS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

单脉冲雪崩能量

分钟。

100

–––

2.0

32

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安？

23

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

=28A

4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 28A

25

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

130

I

D

= 28A

26

nC

V

DS

= 80V

43

V

GS

= 10V ，参照图6和13 ？

–––

V

DD

= 50V

–––

I

D

= 28A

ns

–––

R

G

= 2.5

–––

V

GS

= 10V ，参照图10

铅之间，

4.5 –––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

7.5 –––

而中心的模具接触

3130 –––

V

GS

= 0V

410 –––

V

DS

= 25V

72 –––

pF

= 1.0MHz的，见图。 5 ？

1060 ?? 280 ??兆焦耳我

AS

= 28A ，L = 0.70mH

典型值。

–––

0.13

–––

12

58

45

47

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

57

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 230

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.2

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 28A ，V

GS

= 0V

––– 140 220

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 28A

--- 670 1010 NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（见图11）。

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.70mH ，R

G

= 25,

I

AS

= 28A ，V

GS

= 10V 。（参见图12）。

I

SD

≤

28A ， di / dt的

≤

380A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C.

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

这是在破坏设备的典型值，代表

操作之外的额定范围。

这是限定至T的计算值

J

= 175°C .

使用IRF3710数据和试验条件。

**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。为

推荐的足迹和焊接技术是指应用程序

注意＃ AN- 994 。

2

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IRF3710S/LPbF

1000

VGS

顶部

16V

10V

7.0V

6.0V

5.0V

4.5V

4.0V

BOTTOM 3.5V

1000

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

16V

10V

7.0V

6.0V

5.0V

4.5V

4.0V

BOTTOM 3.5V

顶部

10

3.5V

1

3.5V

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

1

10

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

0.1

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.00

3.0

I

D

= 57A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

2.5

T J = 175℃

10.00

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

100.00

2.0

（归一化）

1.5

T J = 25°C

1.00

1.0

0.10

3.0

4.0

5.0

VDS = 15V

20μs的脉冲宽度

6.0

7.0

8.0

9.0

0.5

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

V

GS

= 10V

100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温

(

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRF3710S/LPbF

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

12

I

D

=

28A

10000

COSS = C + Cgd的

ds

10

V

DS

= 80V

V

DS

= 50V

V

DS

= 20V

C，电容（pF ）

西塞

1000

7

科斯

5

100

CRSS

2

10

1

10

100

0

20

40

60

80

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.00

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.00

TJ = 175℃

10.00

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

100sec

10

1msec

1.00

T J = 25°C

VGS = 0V

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

10msec

0.10

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

VSD ，源toDrain电压（ V）

0.1

100

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF3710S/LPbF

60

V

DS

50

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

+

40

-

V

DD

I

D

，漏电流（ A）

30

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

20

图10A 。

开关时间测试电路

10

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

( °C)

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

1

(Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

热响应

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

t

1

/ t

2

+T

C

1

J

= P

DM

X Z

thJC

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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