PD - 94149A
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先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
HEXFET
功率MOSFET
D
IRF3205S
IRF3205L
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 8.0m
G
S
I
D
= 110A
描述
先进的HEXFET
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率
能力和尽可能低的导通电阻，在任何现有的表面
贴装封装。对D
2
白是适合于高电流的应用
因为它的低的内部连接电阻和功耗最高
到2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRF3205L ）可用于低轮廓
应用程序。
D
2
PAK
IRF3205S
TO-262
IRF3205L
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
110
80
390
200
1.3
± 20
62
20
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态）
*
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.75
40
单位
° C / W
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1
09/06/02
IRF3205S/IRF3205L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
55
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.057 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 8.0
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 62A
2.0
––– 4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
44
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 62A
––– ––– 25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 20V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -20V
––– ––– 146
I
D
= 62A
––– ––– 35
nC
V
DS
= 44V
––– ––– 54
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
14 –––
V
DD
= 28V
––– 101 –––
I
D
= 62A
ns
–––
50 –––
R
G
= 4.5
–––
65 –––
V
GS
= 10V ，参照图10
铅之间，
4.5 –––
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
–––
7.5 –––
而中心的模具接触
––– 3247 –––
V
GS
= 0V
––– 781 –––
V
DS
= 25V
––– 211 –––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
--- 1050 ？ 264 ？兆焦耳我
AS
= 62A ，L = 138μH
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 110
展示
A
G
整体反转
––– ––– 390
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 62A ，V
GS
= 0V
––– 69 104
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 62A
––– 143 215
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 138μH
R
G
= 25, I
AS
= 62A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为75A 。
I
SD
≤
62A ， di / dt的
≤
207A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
这是在破坏设备的典型值，代表
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C.
*
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
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IRF3205S/IRF3205L
1000
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
10
10
4.5V
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
1000
2.5
I
D
= 107A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
2.0
100
1.5
1.0
10
0.5
1
4
6
8
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
10
12
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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