PD - 9.1304B
IRF3205S/L
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
表面贴装（ IRF32305S ）
通孔低调（ IRF3205L ）
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.008
G
I
D
= 110A
S
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性，可以消散
高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRF3205L ）可用于低
配置文件的应用程序。
D 2白
T O服务-2 6 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
110
80
390
3.8
200
1.3
± 20
480
59
20
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.75
40
单位
° C / W
8/25/97
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IRF3205S/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
55
–––
–––
2.0
20
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.057
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
100
43
70
7.5
4000
1300
480
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
=1mA
0.008
V
GS
= 10V ，我
D
= 59A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 59A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
170
I
D
= 59A
32
nC
V
DS
= 44V
74
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 28V
–––
I
D
= 59A
ns
–––
R
G
= 2.5
–––
R
D
= 0.39Ω ，参照图10
铅之间，
nH
–––
而中心的模具接触
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 25V
–––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 110
展示
A
G
整体反转
––– ––– 390
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 59A ，V
GS
= 0V
––– 110 170
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 59A
––– 450 680
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRF3205数据和测试条件
基于最大允许计算出的连续电流
结温;推荐电流处理的
包参考设计提示＃ 93-4
起始物为
J
= 25℃时，L = 190μH
R
G
= 25, I
AS
= 59A 。 （参见图12）
I
SD
≤
59A ， di / dt的
≤
290A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
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IRF3205S/L
1000
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
1000
I，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
D
I，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
D
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTT OM 4.5V
顶部
100
100
4.5V
10
0.1
1
4.5 V
2 0μ s PU LSE W ID TH
T
C
= 25°C
T
J
= 2 5°C
10
20微秒P UL SE W ID
A
10
0.1
T
C
= 175°C
T
J
= 17 5°C
1
10
A
100
100
V·D S，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
V·D S，漏极 - 源极V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
T
J
= 2 5 °C
T
J
= 1 7 5 ° C
100
R
S（O N）
，D RA在-to -S ü RC ê n个R é SI站 CE
（N RM一个李泽四）
I
D
= 98 A
I
D
， ，D R AIN-到-S ourc式C urre NT （A ）
1.5
1.0
10
0.5
1
4
5
6
7
V
DS
= 2 5 V
2 0 μ S·P ü L SE W ID TH
8
9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160 180
A
V
的s
，尕德对S 0 urce V oltage （ V）
T
J
，结牛逼emperature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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IRF3205S/L
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
1
10
100
0
0
30
60
90
20
C，C的P是C ITA N c个E（ P F）
C
为s
C
OS s
V
的s
，G一德以诚-S ü RC è V LTA克E（ V）
V
GS
C
为s
C
RS s
C
SS
= 0 V,
F = 1M ^ h
= C
的s
+ C
gd
, C
ds
SH或TED
= C
gd
= C
ds
+ C
gd
I
D
= 5 9A
V
DS
= 44 V
V
DS
= 28 V
V
DS
= 11 V
16
12
8
C
RS s
4
FO TES T C IR CU IT
SEE图ü 13
120
150
180
A
A
V
S
，D-雨到-S环境允许的电压（V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
S.D。
在C R é é V RSE RA ④此T（A ）
PER ATION在TH为AR EA LIM ITE
由R
S（O N）
10s
I
D
，D RA C语言④此T（A ）
100
1 00s
100
T
J
= 175 °C
1米s
10
10米s
T
J
= 2 5°C
10
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
V
的s
= 0 V
2.6
A
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐脉
10
3.0
A
100
V
S.D。
，源到-D-雨V oltage （V）的
V
S
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
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图8 。
最大安全工作区
IRF3205S/L
V
DS
120
不限按包
100
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
80
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
60
图10A 。
开关时间测试电路
40
V
DS
90%
20
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度
( ° C)
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
1
图10B 。
开关时间波形
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
2
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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