PD - 94149
IRF3205S/L
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 8.0m
G
S
I
D
= 110A
描述
先进的HEXFET
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率
能力和尽可能低的导通电阻，在任何现有的表面
贴装封装。对D
2
白是适合于高电流的应用
因为它的低的内部连接电阻和功耗最高
到2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRF3205L ）可用于低轮廓
应用程序。
D
2
PAK
IRF3205S
TO-262
IRF3205L
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
110
80
390
200
1.3
± 20
62
20
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态）
*
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.75
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
03/09/01
IRF3205S/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。
55
–––
–––
2.0
44
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
8.0
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 62A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 62A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
146
I
D
= 62A
35
NC V
DS
= 44V
54
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 28V
–––
I
D
= 62A
ns
–––
R
G
= 4.5
–––
V
GS
= 10V ，参照图10
铅之间，
4.5 –––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
7.5 –––
而中心的模具接触
3247 –––
V
GS
= 0V
781 –––
V
DS
= 25V
211 –––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
1050 ？ 264 ？兆焦耳我
AS
= 62A ，L = 138μH
典型值。
–––
0.057
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
101
50
65
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
110
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– ––– 390
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 62A ，V
GS
= 0V
––– 69 104
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 62A
––– 143 215
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为75A 。
起始物为
J
= 25℃时，L = 138μH
R
G
= 25, I
AS
= 62A 。 （参见图12）
I
SD
≤
62A ， di / dt的
≤
207A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
这是在破坏设备的典型值，代表
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C.
*
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
www.irf.com
IRF3205S/L
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
10
10
4.5V
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
1000
2.5
I
D
= 107A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
2.0
100
1.5
1.0
10
0.5
1
4
6
8
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
10
12
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
PD - 94149A
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
HEXFET
功率MOSFET
D
IRF3205S
IRF3205L
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 8.0m
G
S
I
D
= 110A
描述
先进的HEXFET
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率
能力和尽可能低的导通电阻，在任何现有的表面
贴装封装。对D
2
白是适合于高电流的应用
因为它的低的内部连接电阻和功耗最高
到2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRF3205L ）可用于低轮廓
应用程序。
D
2
PAK
IRF3205S
TO-262
IRF3205L
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
110
80
390
200
1.3
± 20
62
20
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态）
*
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.75
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
09/06/02
IRF3205S/IRF3205L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
55
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.057 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 8.0
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 62A
2.0
––– 4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
44
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 62A
––– ––– 25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 20V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -20V
––– ––– 146
I
D
= 62A
––– ––– 35
nC
V
DS
= 44V
––– ––– 54
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
14 –––
V
DD
= 28V
––– 101 –––
I
D
= 62A
ns
–––
50 –––
R
G
= 4.5
–––
65 –––
V
GS
= 10V ，参照图10
铅之间，
4.5 –––
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
–––
7.5 –––
而中心的模具接触
––– 3247 –––
V
GS
= 0V
––– 781 –––
V
DS
= 25V
––– 211 –––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
--- 1050 ？ 264 ？兆焦耳我
AS
= 62A ，L = 138μH
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 110
展示
A
G
整体反转
––– ––– 390
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 62A ，V
GS
= 0V
––– 69 104
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 62A
––– 143 215
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 138μH
R
G
= 25, I
AS
= 62A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为75A 。
I
SD
≤
62A ， di / dt的
≤
207A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
这是在破坏设备的典型值，代表
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C.
*
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
www.irf.com
IRF3205S/IRF3205L
1000
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
10
10
4.5V
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
1000
2.5
I
D
= 107A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
2.0
100
1.5
1.0
10
0.5
1
4
6
8
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
10
12
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
