IRF2907ZS-7PPbF
100000
OSS = C DS + C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
12.0
ID = 110A
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VDS = 60V
VDS = 38V
VDS = 15V
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
50
100
150
200
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
1000
100sec
100
1msec
ISD ，反向漏电流（ A）
100
T J = 175℃
T J = 25°C
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
10msec
1
DC
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0
1
10
100
1000
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.1
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF2907ZS-7PPbF
200
不限按包
160
ID ，漏电流（ A）
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
3.0
ID = 180A
2.5
VGS = 10V
120
2.0
80
1.5
40
1.0
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.1
0.20
0.10
0.05
0.01
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
τ
C
0.1072
0.000896
τ
0.2787
0.1143
0.009380
0.121118
τ
1
τ
2
τ
3
0.001
CI-
τi /日
次I /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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100000
OSS = C DS + C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
12.0
ID = 110A
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VDS = 60V
VDS = 38V
VDS = 15V
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
50
100
150
200
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
1000
100sec
100
1msec
ISD ，反向漏电流（ A）
100
T J = 175℃
T J = 25°C
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
10msec
1
DC
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0
1
10
100
1000
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.1
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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200
不限按包
160
ID ，漏电流（ A）
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
3.0
ID = 180A
2.5
VGS = 10V
120
2.0
80
1.5
40
1.0
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.1
0.20
0.10
0.05
0.01
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
τ
C
0.1072
0.000896
τ
0.2787
0.1143
0.009380
0.121118
τ
1
τ
2
τ
3
0.001
CI-
τi /日
次I /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
PD - 97031C
IRF2907ZS-7PPbF
特点
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 75V
R
DS （ ON）
= 3.8m
G
S
描述
专门设计用于大电流，高可靠性
应用中，这HEXFET
功率MOSFET泌尿道感染
lizes最新的加工技术和先进的
封装技术，实现极低的导通
性和世界级的额定电流。额外
这种设计的tional特点是一个175 ° C的结
工作温度，快速开关速度和
改进型重复雪崩额定值。这些特点
Tures的结合起来，使这个设计非常
高效，可靠的设备，用于在服务器&使用
电信或运算，汽车低压电机
驱动应用。
S（引脚2 ，3，5 ，6，7 ）
G（引脚1 ）
I
D
= 160A
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （参见图9）中
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
马克斯。
180
120
160
700
300
2.0
± 20
160
410
看到图12a ， 12b中， 15,16
-55 + 175
单位
A
c
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
c
h
d
g
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
结到环境（ PCB安装，稳态）
j
参数
典型值。
–––
0.50
马克斯。
0.50
–––
62
40
单位
° C / W
j
ij
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
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12/07/06
IRF2907ZS-7PPbF
100000
OSS = C DS + C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
12.0
ID = 110A
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VDS = 60V
VDS = 38V
VDS = 15V
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
50
100
150
200
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
1000
1毫秒100微秒
T J = 175℃
T J = 25°C
100
10
10
不限按包
10msec
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VSD ，源极到漏极电压（V ）
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1.0
DC
0.1
10.0
100.0
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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200
不限按包
160
ID ，漏电流（ A）
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
3.0
ID = 180A
2.5
VGS = 10V
120
2.0
80
1.5
40
1.0
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.1
0.20
0.10
0.05
0.01
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
τ
C
0.1072
0.000096
τ
0.2787
0.1143
0.002614
0.013847
τ
1
τ
2
τ
3
0.001
CI-
τi /日
次I /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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