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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第206页 > IRF2807STRLPBF
PD - 94170
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
动态的dv / dt额定值
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
描述
l
HEXFET
功率MOSFET
D
IRF2807S
IRF2807L
V
DSS
= 75V
R
DS （ ON）
= 13m
G
S
I
D
= 82A
先进的HEXFET
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高
功率能力和尽可能低的导通电阻，在任何
现有的表面贴装封装。对D
2
白是适合
由于其低的内部连接的高电流的应用
性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面
安装应用程序。
通孔版（ IRF2807L ）可用于低
配置文件的应用程序。
D
2
PAK
IRF2807S
TO-262
IRF2807L
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
82
58
280
230
1.5
± 20
43
23
5.9
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.65
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
02/14/02
IRF2807S/IRF2807L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。
75
–––
–––
2.0
38
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
13
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 43A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 43A
25
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
160
I
D
= 43A
29
nC
V
DS
= 60V
55
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 38V
–––
I
D
= 43A
ns
–––
R
G
= 2.5
–––
V
GS
= 10V ，参照图10
铅之间，
4.5 –––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
7.5 –––
而中心的模具接触
3820 –––
V
GS
= 0V
610 –––
V
DS
= 25V
130 –––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
1280 ?? 340 ??兆焦耳我
AS
= 50A ，L = 370μH
典型值。
–––
0.074
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
64
49
48
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 82
展示
A
G
整体反转
––– ––– 280
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.2
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 43A ，V
GS
= 0V
––– 100 150
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 43A
––– 410 610
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 370μH
R
G
= 25, I
AS
= 43A ，V
GS
= 10V （见图12）
I
SD
≤
43A ， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
这是在破坏设备的典型值，代表
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为75A 。
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。为
推荐的足迹和焊接技术是指应用程序
注意＃ AN- 994
2
www.irf.com
IRF2807S/IRF2807L
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）

VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000

VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
4.5V
20μs的脉冲宽度

T = 25℃
J
°
1
10
100
10
0.1
10
0.1
20μs的脉冲宽度

T = 175℃
J
°
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
I
D
= 71A

R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
T
J
= 25
°
C

T
J
= 175
°
C

2.0
100
1.5
1.0
0.5
10
4.0

V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
7.0
8.0
5.0
6.0
9.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V

0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF2807S/IRF2807L
7000
6000
5000
4000
3000
20
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + C ，C
gs
gd
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + C
DS GD
I
D
= 43A

V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
16

V
DS
= 60V
V
DS
= 37V
V
DS
= 15V
C，电容（pF ）
西塞
12
科斯
2000
1000
0
1
10
100
8
CRSS
4
0
0
40

测试电路
见图13
120
80
160
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
T
J
=

175
°
C
I
SD
，反向漏电流（ A）
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100sec
10
T
J
= 25
°
C

1
10
1msec
0.1
0.0
V
GS
= 0 V

0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
1
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
10
10msec
100
1000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF2807S/IRF2807L
100

不限按包
80
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
-
V
DD
60
V
GS
40
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
20
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度
( °C)
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01

单脉冲
（热反应）
0.01
0.00001

注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.01
0.001

P
DM
t
1
t
2
0.1
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
www.irf.com
5
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IDT54541DTSO
IS42S16160D-75EBLI
IS63LV1024L-12H
IRHM8360
IRKU41/12A
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ISL24006IRZ-T7
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