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PD - 95493

汽车MOSFET

典型应用

l

IRF2805PbF

HEXFET

功率MOSFET

D

l

气候控制， ABS ，电子制动，

挡风玻璃雨刷器

LEAD -FREE

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

G

V

DSS

= 55V

R

DS （ ON）

= 4.7m

S

特点

l

l

l

l

l

I

D

= 75A

描述

专为汽车应用，这HEXFET

动力

MOSFET采用最新的加工技术，以实现极

低导通电阻每硅片面积。这种设计的附加功能

一个175 ℃的结的工作温度，快速开关速度和im-

事实证明重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该

设计一个非常有效和可靠的设备在汽车使用

应用程序和各种各样的其它应用。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

I

D

@ T

C

I

D

@ T

C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

= 100°C

= 25°C

= 25°C

连续漏电流， V

GS

@ 10V （硅有限公司）

连续漏电流， V

GS

@ 10V （见图9 ）

连续漏电流， V

GS

@ 10V （包装有限公司）

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

单脉冲雪崩能量测试的价值？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

马克斯。

175

120

75

700

330

2.2

± 20

450

1220

看到图12a ， 12b中，15，16

-55 + 175

单位

A

V

GS

E

AS

E

AS

（ 6西格玛）

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

°C

300 （ 1.6毫米从案例）

1.1 (10)

牛顿米（磅英寸）

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.45

–––

62

单位

° C / W

HEXFET （R）是国际整流器公司的注册商标。

www.irf.com

1

07/01/04

IRF2805PbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

g

fs

正向跨导

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

55

–––

–––

2.0

91

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.06

3.9

–––

–––

–––

–––

–––

–––

150

38

52

14

120

68

110

4.5

7.5

5110

1190

210

6470

860

1600

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

4.7

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 104A

4.0

V

V

DS

= 10V ，我

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 104A

20

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

200

V

GS

= 20V

nA

-200

V

GS

= -20V

230

I

D

= 104A

57

NC V

DS

= 44V

78

V

GS

= 10V

–––

V

DD

= 28V

–––

I

D

= 104A

ns

–––

R

G

= 2.5

–––

V

GS

= 10V

D

铅之间，

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

而中心的模具接触

S

–––

V

GS

= 0V

–––

pF的V

DS

= 25V

–––

= 1.0MHz的，见图。五

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 44V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至44V

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

175

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 700

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 104A ，V

GS

= 0V

––– 80 120

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 104A

––– 290 430

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（见图11）。

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.08mH

R

G

= 25, I

AS

= 104A 。（参见图12）。

I

SD

≤

104A ， di / dt的

≤

240A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

C

OSS

EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间

为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80 ％的V

DSS

.

限制T

JMAX

，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复

雪崩性能。

从样品失效人口这个值来决定。 100 ％

测试，在生产该值。

2

www.irf.com

IRF2805PbF

1000

VGS

顶部

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

4.5V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

4.5V

10

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

0.1

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

200

T J = 25°C

政府飞行服务队，正向跨导（ S）

ID ，漏 - 源电流

(

A)

TJ = 175℃

160

T J = 175℃

120

T J = 25°C

80

100

40

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

0

0

40

80

120

160

200

10

4.0

5.0

6.0

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

7.0

8.0

9.0

10.0

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型正向跨导

与漏电流

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3

IRF2805PbF

10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

国际空间站

= C GS + C GD ，C DS

短

CRSS

科斯

= Cgd的

= C + Cgd的

ds

20

ID = 104A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VDS = 44V

VDS = 28V

8000

16

C，电容（pF ）

6000

12

西塞

4000

8

2000

4

科斯

0

1

10

CRSS

100

0

0

40

80

120

160

200

240

Q g总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

10000

在这一领域

限制根据RDS （ ON）

100.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

T J = 175℃

1000

10.0

100

100sec

1msec

1.0

TJ = 25°C

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

10msec

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

VGS = 0V

1.4

1.6

1.8

1

100

1000

VSD ，源toDrain电压（ V）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF2805PbF

180

3.0

I

D

= 175A

不限按包

150

2.5

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

120

2.0

I

D

，漏电流（ A）

（归一化）

90

1.5

60

1.0

30

0.5

V

GS

= 10V

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100 120 140 160 180

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

T

J

，结温

(

°

C)

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

1

(Z

thJC

)

D = 0.50

0.1

0.20

0.10

热响应

0.05

0.02

0.01

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

t

1

/ t

2

J

= P

DM

X Z

thJC

+T

C

0.1

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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