PD - 97057
汽车MOSFET
特点
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IRF2804S-7PPbF
HEXFET
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
LEAD -FREE
V
DSS
= 40V
G
S
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。其他为特色的
这种设计的Tures的是175 ° C的结operat-
荷兰国际集团的温度，开关速度快， im-
事实证明重复雪崩额定值。这些特点
Tures的结合起来，使这个设计非常
高效，可靠的装置，用于在汽车用途
应用程序和各种各样的其它应用
系统蒸发散。
R
DS （ ON）
= 1.6m
I
D
= 160A
S（引脚2,3 ， 5,6,7 ）
G（引脚1 ）
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （参见图9）中
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
马克斯。
320
230
160
1360
330
2.2
± 20
630
1050
看到图12a ， 12b中， 15,16
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
c
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
c
h
d
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
g
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
j
参数
典型值。
–––
0.50
马克斯。
0.50
–––
62
40
单位
° C / W
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
j
结到环境（ PCB安装，稳态）
ij
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
www.irf.com
1
10/10/05
IRF2804S-7PPbF
350
300
ID ，漏电流（ A）
2.0
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
TC ，外壳温度（ ° C）
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
不限按包
ID = 160A
VGS = 10V
1.5
1.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
τ
C
τ
τ
2
0.01
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.1951 0.000743
0.3050
0.008219
τ
1
0.001
CI-
τi /日
次I /日
单脉冲
（热反应）
0.0001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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