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PD - 95332A

汽车MOSFET

特点

l

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

D

IRF2804PbF

IRF2804SPbF

IRF2804LPbF

V

DSS

= 40V

R

DS （ ON）

= 2.0m

G

S

描述

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。附加功能

这种设计的是一个175 ℃的结操作

温度，开关速度快，提高了

重复雪崩额定值。这些功能的COM

茎，使这个设计的一个非常有效的

而在汽车应用使用可靠的设备

tions和各种各样的其它应用。

I

D

= 75A

TO-220AB

IRF2804PbF

D

2

PAK

IRF2804SPbF

TO-262

IRF2804LPbF

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

D

@ T

C

= 25°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

E

AS

（测试）

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V （硅有限公司）

连续漏电流， V

GS

@ 10V （参见图9）中

连续漏电流， V

GS

@ 10V

（包装有限公司）

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量（热有限公司）

单脉冲雪崩能量测试值

雪崩电流

马克斯。

270

190

75

1080

300

2.0

± 20

540

1160

看到图12a ， 12b中， 15,16

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

c

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

°C

c

i

d

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

h

焊接温度，持续10秒

热阻

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

参数

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

结到环境（ PCB安装，稳态）

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.50

–––

62

40

l

单位

° C / W

j

HEXFET

是国际整流器公司的注册商标。

www.irf.com

1

08/25/05

IRF2804/S/LPbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

SMD

R

DS （ ON）

TO-220

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

40

–––

2.0

130

–––

0.031

1.5

1.8

–––

160

41

66

13

120

130

4.5

7.5

6450

1690

840

5350

1520

2210

–––

2.0

2.3

4.0

–––

20

250

200

-200

240

62

99

–––

pF

条件

V V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 75A

V

GS

= 10V ，我

D

= 75A

V V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

s V

DS

= 10V ，我

D

= 75A

μA V

DS

= 40V, V

GS

= 0V

V

DS

= 40V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

nA的V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

NC I

D

= 75A

V

DS

= 32V

V

GS

= 10V

NS V

DD

= 20V

I

D

= 75A

R

G

= 2.5

V

GS

= 10V

D

nH的铅之间，

f

6毫米（0.25英寸）。

从包

G

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

S

而中心的模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的，见图。五

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 32V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至32V

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

56

67

270

A

1080

1.3

84

100

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 75A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 75A ，V

DD

= 20V

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

f

S

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（见图11）。

限制T

JMAX

，起始物为

J

= 25°C,

L = 0.24mH ，R

G

= 25, I

AS

= 75A ，V

GS

=10V.

部分不推荐使用高于此值。

I

SD

≤

75A ， di / dt的

≤

220A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C.

脉冲宽度

≤

1.0ms的;占空比

≤

2%.

C

OSS

EFF 。是一个固定的电容，赋予相同

充电时间为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

限制T

JMAX

，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复

雪崩性能。

从样品失效人口这个值来决定。 100 ％

测试，在生产该值。

这个被施加到D

2

白，装在1"方形PCB时

（FR-4或G- 10材料）。对于推荐的足迹，

焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

最大

DS （ ON）

当d

2

白和TO -262 （ SMD ）器件。

的TO-220装置将具有0.45 °C / W的Rth的值。

2

www.irf.com

IRF2804/S/LPbF

10000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

10000

顶部

1000

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

底部

5.0V

4.5V

BOTTOM 4.5V

VGS

V

GS

100

10

4.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

4.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

0.1

1

10

100

1

0.1

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

300

FS ，正向跨导（ S）

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

250

T J = 175℃

100

T J = 25°C

200

150

T J = 25°C

10

T J = 175℃

100

1

4.0

5.0

6.0

VDS = 10V

20μs的脉冲宽度

7.0

8.0

9.0

50

0

40

80

VDS = 10V

20μs的脉冲宽度

120

160

200

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型正向跨导

与漏电流

www.irf.com

3

IRF2804/S/LPbF

20

12000

10000

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + C ，光盘短路

gs

gd

CRSS = C

gd

COSS =硫化镉+ C

gd

ID = 75A

VDS = 32V

VDS = 20V

VDS = 8.0V

16

C，电容（pF ）

8000

12

6000

西塞

8

4000

4

2000

科斯

CRSS

0

1

10

100

0

40

80

120

160

200

240

Q g总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

1000

100sec

100.0

T J = 175℃

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

10.0

100

1msec

10msec

1.0

T J = 25°C

0.1

0.2

0.6

1.0

1.4

VGS = 0V

1.8

2.2

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

0

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

VSD ，源toDrain电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF2804/S/LPbF

300

250

ID ，漏电流（ A）

2.0

不限按包

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

ID = 75A

VGS = 10V

200

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

1.5

（归一化）

1.0

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

TJ ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

1

D = 0.50

热响应（Z thJC ）

0.1

0.20

0.10

0.05

0.01

0.02

0.01

0.001

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

0.0001

1E-008

1E-007

1E-006

1E-005

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

5