PD - 90370

重复性一个ALANCHE和dv / dt评分

V

HEXFET晶体管

直通孔（ TO- 204AA / AE ）

产品概述

产品型号

IRF240

BVDSS

200V

R

DS （ ON）

0.18

I

D

18A

IRF240

200V N沟道

该HEXFET

技术的关键是国际

IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。

高效的几何形状和这个最新独特的加工

“最先进的”设计实现：极低的通态电阻

tance结合高跨导;再出众

诗能源和二极管恢复dv / dt能力。

该HEXFET晶体管还具有所有的好estab-

MOSFET的lished优点，例如电压控制，

非常快速的切换，易于并联和温度的

电气参数的稳定性。

它们非常适合用于诸如开关

电源，电机控制，逆变器，斩波器，音频

放大器和高能量脉冲电路。

TO-3

产品特点：

n

n

n

n

n

重复雪崩额定值

动态的dv / dt额定值

密封式

简单的驱动要求

易于并联的

绝对最大额定值

参数

ID @ VGS = 0V ， TC = 25°C

ID @ VGS = 0V ， TC = 100℃

我DM

PD @ TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv / dt的

TJ

T英镑

连续漏电流

连续漏电流

漏电流脉冲

马克斯。功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度

重量

18

11

72

125

1.0

±20

450

18

12.5

5.0

-55到150

300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）

11.5(typical)

W

W / ℃，

单位

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

o

C

g

对于脚注参考最后一页

www.irf.com

1

01/24/01

IRF240

电气特性

参数

BVDSS

ΔBV

DSS / ΔTJ

RDS （ ON）

VGS （ TH）

政府飞行服务队

IDSS

@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）

民

200

—

—

—

2.0

6.1

—

—

—

—

32

2.2

14

—

—

—

—

—

典型值最大值单位

—

0.29

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

6.1

—

—

0.18

0.21

4.0

—

25

250

100

-100

60

10.6

38

20

152

58

67

—

V

V /°C的

V

S( )

A

测试条件

VGS = 0V ，ID = 1.0毫安

参考至25℃ ， n = 1.0毫安

VGS = 10V ，ID = 11A

VGS = 10V ，ID = 18A

VDS = VGS ，ID = 250μA

VDS > 15V ， IDS = 11A

VDS = 160V ， VGS = 0V

VDS = 160V

VGS = 0V ， TJ = 125°C

VGS = 20V

VGS = -20V

VGS = 10V ，ID = 18A

VDS = 100V

VDD = 100V ，ID = 18A，

RG = 9.1Ω

漏极至源极击穿电压

分解温度系数

电压

静态漏 - 源极导通状态

阻力

栅极阈值电压

正向跨导

零栅极电压漏极电流

IGSS

我GSS

Qg

QGS

QGD

td

（上）

tr

td

（关闭）

tf

LS + LD

栅极 - 源极漏进

栅极 - 源极漏反

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总电感

nA

nC

ns

nH

从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从

包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从

包）

西塞

科斯

CRSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

—

—

—

1300

400

130

—

—

pF

VGS = 0V ， VDS = 25V

F = 1.0MHz的

源极 - 漏极二极管额定值和特性

参数

IS

ISM

VSD

吨RR

QRR

吨

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

最小典型最大单位

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

18

72

1.5

500

5.3

测试条件

A

V

nS

C

T

j

= 25 ℃， IS = 18A ，V GS = 0V

TJ = 25°C ， IF = 18A ， di / dt的

≤

100A/s

VDD

≤

50V

固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。

热阻

参数

RthJC

thJA

结到外壳

结到环境

最小典型最大单位

—

—

—

—

1.0

30

° C / W

测试条件

典型的插座安装

对于脚注参考最后一页

2

www.irf.com

IRF240

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRF240

13 a& B

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF240

V

DS

V

GS

R

G

R

D

D.U.T.

+

-

V

DD

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

5

IRF240

数据表

1999年3月

网络文件编号

1584.3

18A ， 200V ， 0.180 Ohm的N通道

功率MOSFET

这种N沟道增强型硅栅功率科幻场

场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET设计，

经过测试，并保证能承受一个特定的编辑水平

能在操作中的击穿雪崩模式。所有

这些功率MOSFET设计用于应用程序，例如

开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，

继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动

晶体管需要高速，低栅极驱动电源。

这些类型可以直接从集成操作

电路。

以前发育类型TA17422 。

特点

18A ， 200V

r

DS （ ON）

= 0.180

单脉冲能量额定雪崩

SOA是功耗有限公司

纳秒的开关速度

线性传输特性

高输入阻抗

相关文献

- TB334 “指南焊锡表面贴装

组件到PC板“

订购信息

产品型号

IRF240

包

TO-204AE

BRAND

IRF240

符号

D

注：订购时，包括整个零件编号。

G

S

包装

JEDEC TO- 204AE

顶视图

漏

（法兰）

SOURCE （PIN 2 ）

GATE （引脚1）

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。

http://www.intersil.com或407-727-9207

|

版权

Intersil公司1999

IRF240

绝对最大额定值

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

IRF240

200

200

18

11

72

±20

125

1.0

580

-55到150

300

260

单位

V

V

A

A

A

V

W

W/

o

C

mJ

o

C

o

C

o

C

漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V

DS

漏极至栅极电压（R

GS

= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V

DGR

连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

D

T

C

= 100

o

温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

D

漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

DM

门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V

GS

最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P

D

线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê

AS

工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼

J

, T

英镑

最高温度焊接

信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼

L

包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼

PKG

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意：

1. T

J

= 25

o

C至125

o

C.

电气连接特定的阳离子

参数

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

符号

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D（上）

I

GSS

r

DS （ ON）

g

fs

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

L

D

之间测得的

联系方式拧紧头

更接近源

和门销和中心

模具

测量从

来源铅的6mm

（ 0.25英寸）从包头到

来源粘合垫

修改MOSFET

符号显示的

内部设备

电感

D

L

D

G

L

S

S

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250μA （图10）

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

V

DS

=额定BV

DSS

, V

GS

= 0V

V

DS

= 0.8×额定BV

DSS

, V

GS

= 0V ，T

J

= 125

o

C

V

DS

＆ GT ;我

D（ ON ）×

r

DS （ ON）最大值

, V

GS

= 10V

V

GS

=

±20V

V

GS

= 10V ，我

D

= 10A（图8,9 ）

V

DS

= 10V ，我

D

= 11V （图12）

V

DD

= 100V ，我

D

≈

18A ，R

G

= 9.1, R

L

= 5.3

（图17,18 ） MOSFET开关时间

基本上是独立工作温度

民

200

2.0

-

-

18

-

-

6.7

-

-

-

-

典型值

-

-

-

-

-

-

0.14

9.0

16

27

40

31

43

8

27

1275

500

160

5.0

最大

-

4.0

25

250

-

±100

0.180

-

30

60

80

60

60

-

-

-

-

-

-

单位

V

V

A

A

A

nA

S

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

pF

pF

pF

nH

漏源击穿电压

门至门限电压

零栅极电压漏极电流

通态漏电流（注2 ）

门源漏

漏极至源极导通电阻

正向跨导（注2 ）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

（门源+栅漏）

门源费

栅漏“米勒”充电

输入电容

输出电容

反向传输电容

内部排水电感

V

GS

= 10V ，我

D

= 18A ，V

DS

= 0.8×额定BV

DSS

,

I

G（ REF ）

= 1.5毫安（图14 ， 19 ， 20 ），栅极电荷

基本上是独立工作温度

-

-

-

V

GS

= 0V, V

DS

= 25V ， F = 1.0MHz的（图11 ）

-

-

-

-

内部源极电感

L

S

-

12.5

-

nH

热阻结到外壳

热阻结到环境

R

θJC

R

θJA

自由空气操作

-

-

-

-

1.0

30

o

C / W

o

C / W

2

IRF240

源极到漏极二极管特定网络阳离子

参数

连续源极到漏极电流

脉冲源极到漏极电流

（注3）

符号

I

SD

I

SM

测试条件

修改MOSFET

符号显示的

整体逆转的p-n

结二极管

G

D

民

-

-

典型值

-

-

最大

18

72

单位

A

A

S

源极到漏极二极管电压（注2 ）

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意事项：

V

SD

t

rr

Q

RR

T

J

= 25

o

C，我

SD

= 18A ，V

GS

= 0V （图13）

T

J

= 150

o

C，我

SD

= 18A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

T

J

= 150

o

C，我

SD

= 18A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

-

-

-

-

650

4.1

2.0

-

-

V

ns

C

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%.

3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。

4. V

DD

= 50V ，起始物为

J

= 25

o

C，L = 2.7mH ，R

G

= 25Ω ，峰值I

AS

= 9A 。参见图15和16 。

典型性能曲线

1.2

功耗乘法器

1.0

除非另有规定编

20

0.8

0.6

0.4

0.2

0

I

D,

漏电流（ A）

16

12

8

4

0

0

50

100

150

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（

o

C)

T

C

，外壳温度（

o

C)

图1.归功耗与案例

温度

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

1.0

Z

θJC

，热阻抗

0.5

0.2

0.1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

t

1

t

2

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

每单位基础=

R

θJC

= 1.0

o

CW

T

JM

- T

C

= P

DM

X Z

θJC

(t)

10

-4

10

-3

10

-2

0.1

1

10

0.01

10

-5

t

1

，矩形脉冲持续时间（ S）

图3.归一化最大瞬态热阻抗

3

IRF240

典型性能曲线

100

除非另有规定编

（续）

40

10V

8V

9V

为80μs脉冲测试

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

10s

100s

10

1ms

操作在此

区域被限定

由R

DS （ ON）

10ms

100ms

DC

T

C

= 25

o

C

T

J

=最大额定

单脉冲

10

2

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

10

3

32

7V

24

16

V

GS

= 6V

1

8

5V

4V

0.1

1.0

0

0

10

20

30

40

V

DS

，漏源极电压（ V）

50

图4.正向偏置安全工作区

图5.输出特性

40

为80μs脉冲测试

32

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

= 10V

V

GS

= 9V

V

GS

= 8V

40

T

J

= -55

o

C

32

T

J

= 25

o

C

T

J

= 125

o

C

24

V

DS

＆ GT ;我

D（上）

个R

DS （ ON）最大值

为80μs脉冲测试

16

24

V

GS

= 7V

V

GS

= 6V

16

8

V

GS

= 5V

V

GS

= 4V

8

0

0

1

2

3

4

V

DS

，漏源极电压（ V）

5

0

0

2

4

6

8

V

SD

，门源电压（ V）

10

图6.饱和特性

图7.传热特性

0.5

为80μs脉冲测试

归一漏极至源极

抗性

r

DS （ ON）

，漏极到源极

0.4

导通电阻（ Ω ）

V

GS

= 10V

0.3

2.5

I

D

= 18A

V

GS

= 10V

2.0

1.5

0.2

V

GS

= 20V

0.1

1.0

0.5

0

0

20

60

40

I

D

，漏电流（ A）

80

100

0

-40

0

40

80

120

o

C)

T

J

，结温（

160

注：为2μs脉冲加热效果甚微。

图8.漏极至源极导通电阻VS门

电压和漏极电流

图9.归一漏极至源极ON

电阻与结温

4

IRF240

典型性能曲线

1.25

归一漏极至源极

击穿电压

I

D

= 250A

除非另有规定编

（续）

2000

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

GS

+ C

GD

C

RSS

= C

GD

C

OSS

≈

C

DS

+ C

GS

1.15

C，电容（pF ）

1800

1.05

1200

C

国际空间站

0.95

800

C

RSS

C

OSS

0.85

400

0.75

-40

0

40

80

120

160

0

0

T

J

，结温（

o

C)

10

20

30

40

V

DS

，漏源极电压（ V）

50

图10.归一漏极至源极击穿

电压Vs结温

图11.电容VS漏源极电压

19.0

I

SD

，源极到漏极电流（A）

为80μs脉冲测试

g

fs

，跨导（ S）

15.2

T

J

= -55

o

C

T

J

= 25

o

C

T

J

= 125

o

C

7.6

50

20

11.4

10

T

J

= 150

o

C

T

J

= 25

o

C

5

3.8

2

0

0

8

16

24

I

D

，漏电流（ A）

32

40

1

0

0.4

0.8

1.2

1.6

V

SD

，源极到漏极电压（ V）

2.0

图12.跨VS漏极电流

图13.源极到漏极二极管电压

20

V

GS ，

门源电压（ V）

I

D

= 18A

16

V

DS

= 40V

12

V

DS

= 100V

V

DS

= 160V

8

4

0

0

12

24

36

48

60

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

图14.栅极至源极电压Vs栅极电荷

5

IRF240

机械数据

尺寸mm （英寸）

40.01 (1.575)

马克斯。

26.67

(1.050)

马克斯。

4.47 (0.176)

弧度。

2 PLS 。

N沟道

功率MOSFET

FOR HI- REL

应用

V

DSS

I

D（续）

R

DS （ ON）

200V

18A

0.18

W

22.23 (0.875)

马克斯。

11.43 (0.450)

6.35 (0.250)

1.09 (0.043)

0.97 (0.038)

DIA 。

30.40 (1.197)

29.90 (1.177)

12.19 (0.48)

11.18 (0.44)

1.63 (0.064)

1.52 (0.060)

2

11.18 (0.440)

10.67 (0.420)

4.09 (0.161)

3.84 (0.151)

2 PLS

1

特点

密封TO3金属

包

16.97 (0.668)

16.87 (0.664)

简单的驱动要求

筛选选项可用

TO3金属封装

PIN 1 - 源

引脚2门

绝对最大额定值

(T

例

= 25 ° C除非另有说明）

V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

R

q

JC

R

q

JA

栅 - 源电压

连续漏电流@ T

例

= 25°C

连续漏电流@ T

例

= 100°C

漏电流脉冲

功率耗散@ T

例

= 25°C

线性降额因子

工作和存储温度范围

热阻结到外壳

热阻结到环境

±20V

18A

11A

72A

125W

1.0W/°C

-55 ℃150℃

1.0 ° C / W最大。

30℃ / W的最大值。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

预赛。 6/00

IRF240

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

参数

BV

DSS

静电额定值

漏极 - 源极击穿电压

测试条件

V

GS

= 0

I

D

= 1毫安

V

GS

= 10V

V

GS

= 10V

V

DS

= V

GS

V

DS

15V

V

GS

= 0

V

GS

= 20V

V

GS

= –20V

V

GS

= 0

V

DS

= 25V

F = 1MHz的

V

GS

= 10V

V

DS

= 0.5BV

DSS

I

D

= 18A

V

DS

= 0.5BV

DSS

V

DD

= 100V

I

D

= 18A

R

G

= 9.1

W

I

D

= 18A

I

D

= 11A

I

D

= 18A

I

D

= 250

m

A

I

DS

= 11A

V

DS

= 0.8BV

DSS

T

J

= 125°C

I

D

= 1毫安

分钟。

200

典型值。

马克斯。

单位

V

D

BV

DSS

温度COEF网络cient

D

T

J

击穿电压

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通状态

阻力

正向跨导

零栅极电压漏极电流

正向栅 - 源极漏

反向栅极 - 源极漏

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅 - 源电荷

门 - 漏极（ “米勒” ）费

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

参考至25℃

0.29

0.18

0.21

2

6.1

25

250

100

-100

1300

400

130

32

2.2

14

60

10.6

38

20

152

58

67

18

72

4

V /°C的

W

V

)

W

(

S(

W

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

g

fs

I

DSS

I

GSS

I

GSS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

L

D

L

S

m

A

nA

pF

nC

nC

ns

源 - 漏极二极管的特性

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

封装特性

内部排水电感

内部源极电感

I

S

= 18A

V

GS

= 0

I

S

= 18A

T

J

= 25°C

d

i

/ d

t

100A/

m

s V

DD

50V

（从6mm向下漏极引线焊盘到模具的中心）

A

V

ns

T

J

= 25°C

1.5

500

5.3

5.0

13

m

C

nH

（从6mm下来源铅源焊盘中心）

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

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