【汽车MOSFET特点llllll先进的工艺技术超低导通电阻175 ° C工作温度快速开关重复性雪崩中】,IC型号IRF1405ZSPBF,IRF1405ZSPBF PDF资料,IRF1405ZSPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

汽车MOSFET

特点

l

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

D

IRF1405ZPbF

IRF1405ZSPbF

IRF1405ZLPbF

V

DSS

= 55V

R

DS （ ON）

= 4.9m

PD - 97018

G

S

描述

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。附加功能

这种设计的是一个175 ℃的结操作

温度，开关速度快，提高了

重复雪崩额定值。这些功能的COM

茎，使这个设计非常高效，

在汽车应用中使用可靠的设备

和各种其他应用程序。

I

D

= 75A

TO-220AB

IRF1405ZPbF

D

2

PAK

IRF1405ZSPbF

TO-262

IRF1405ZLPbF

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C连续漏电流， V

GS

@ 10V

（硅有限公司）

I

D

@ T

C

= 100℃连续漏电流， V

GS

@ 10V

I

D

@ T

C

= 25°C连续漏电流， V

GS

@ 10V

（包装有限公司）

I

DM

漏电流脉冲

P

D

@T

C

= 25 °C功耗

马克斯。

150

110

75

600

230

1.5

± 20

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

线性降额因子

V

GS

栅极 - 源极电压

E

AS （限热）

单脉冲雪崩能量

E

AS

（测试）

单脉冲雪崩能量测试值

d

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

雪崩电流

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

h

270

420

看到图12a ， 12b中，15，16

-55 + 175

g

°C

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

结到环境（ PCB安装，稳态）

y

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.65

–––

62

40

单位

° C / W

i

HEXFET

是国际整流器公司的注册商标。

www.irf.com

1

07/22/05

IRF1405Z/S/LPbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

55

–––

2.0

88

–––

0.049

3.7

–––

120

31

46

18

110

48

82

4.5

7.5

4780

770

410

2730

600

910

–––

4.9

4.0

–––

20

250

200

-200

180

–––

nH

–––

pF

ns

nC

nA

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 75A

V

S

A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 25V ，我

D

= 75A

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

I

D

= 75A

V

DS

= 44V

V

GS

= 10V

V

DD

= 25V

I

D

= 75A

R

G

= 4.4

V

GS

= 10V

e

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的

G

D

S

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 44V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至44V

f

源极 - 漏极额定值和特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

30

75

A

600

1.3

46

45

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

S

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 75A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 75A ，V

DD

= 25V

的di / dt = 100A / μs的

e

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

限制T

JMAX

，参见图12a和12b ，15，16为典型

最大。结温。（见图11）。

重复雪崩性能。

限制T

JMAX

，起始物为

J

= 25℃时，L = 0.10mH

从样品失效人口这个值来决定。

R

G

= 25, I

AS

= 75A ，V

GS

= 10V 。不属于

100％的测试，以在生产中此值。

推荐使用高于此值。

这个被施加到D

2

白，装在1"方形PCB时

脉冲宽度

≤

1.0ms的;占空比

≤

2%.

（FR-4或G- 10材料）。对于推荐的足迹，

C

OSS

EFF 。是一个固定的电容，赋予相同

焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

充电时间为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

2

www.irf.com

IRF1405Z/S/LPbF

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

底部

100

底部

4.5V

10

4.5V

10

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

200

ID ，漏 - 源电流

(Α)

T J = 150℃

100

政府飞行服务队，正向跨导（ S）

175

150

125

100

75

50

25

0

T J = 175℃

T J = 25°C

10

T J = 25°C

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

1

4

6

8

10

12

0

25

50

75

100 125 150 175 200

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型正向跨导

与漏电流

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3

IRF1405Z/S/LPbF

100000

OSS = C DS + C GD

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

12.0

ID = 75A

10.0

8.0

6.0

4.0

2.0

0.0

VDS = 44V

VDS = 28V

C，电容（pF ）

10000

西塞

1000

科斯

CRSS

100

1

10

100

0

20

40

60

80

100

120

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.00

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.00

T J = 175℃

10.00

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1000

100

100sec

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

1msec

10msec

100

1000

1.00

T J = 25°C

0.10

0.0

0.5

1.0

1.5

VGS = 0V

2.0

2.5

VSD ，源极到漏极电压（V ）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF1405Z/S/LPbF

150

125

ID ，漏电流（ A）

2.5

不限按包

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID = 75A

VGS = 10V

2.0

100

75

50

25

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

1.5

1.0

0.5

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

T J ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

1

D = 0.50

热响应（Z thJC ）

0.1

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.01

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.001

0.01

0.1

1

10

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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