【PD- 94504HEXFET功率MOSFET应用l高频DC- DC转换器l电机控制lUninter】,IC型号IRF1312S,IRF1312S PDF资料,IRF1312S经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD- 94504

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

l

电机控制

l

Uninterrutible电源

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装torqe ， 6-32或M3螺丝

IRF1312

IRF1312S

IRF1312L

I

D

95A

V

DSS

80V

R

DS （ ON）

最大

10m

TO-220AB

IRF1312

D

2

PAK

IRF1312S

TO-262

IRF1312L

马克斯。

95

67

380

3.8

210

1.4

± 20

5.1

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

笔记

通过

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

结到环境（印刷电路板安装）

在第11页

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.73

–––

62

40

单位

° C / W

www.irf.com

1

7/01/02

IRF1312/S/L

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

80

–––

3.5

–––

典型值。

–––

0.078

6.6

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

10

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 57A

5.5

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

1.0

V

DS

= 76V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 64V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

92

–––

典型值。

–––

93

36

34

25

130

47

51

5450

550

340

1910

380

620

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 57A

140

I

D

= 57A

–––

NC V

DS

= 40V

–––

V

GS

= 10V,

–––

V

DD

= 40V

–––

I

D

= 57A

ns

–––

R

G

= 4.5

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 64V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至64V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

马克斯。

250

57

21

单位

mJ

A

mJ

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 95

展示

A

G

整体反转

––– ––– 380

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 57A ，V

GS

= 0V

––– 64

96

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 57A

––– 150 230

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2

www.irf.com

IRF1312/S/L

1000

VGS

顶部

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

1000

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

顶部

10

1

10

0.1

5.0V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

5.0V

0.01

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.00

2.5

ID ，漏 - 源电流

(

A)

100.00

T J = 175℃

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

ID = 95A

VGS = 10V

2.0

T J = 25°C

1.00

（归一化）

10.00

1.5

0.10

1.0

0.01

5

6

7

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

8

9

10

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRF1312/S/L

100000

20

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

国际空间站

= C GS + Cgd的，

短

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

ID = 57A

DS

16

VDS = 64V

VDS = 40V

VDS = 16V

C，电容（pF ）

10000

12

西塞

8

1000

科斯

CRSS

4

测试电路

见图13

0

100

1

10

100

0

40

80

120

160

200

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q g总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

10000

在这一领域

限制根据RDS （ ON）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1000

100.0

T J = 175℃

100

100sec

10

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

10.0

1.0

T J = 25°C

10msec

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

VGS = 0V

1.4

1.6

1.8

0.1

100

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

VSD ，源toDrain电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF1312/S/L

100

不限按包

80

ID ，漏电流（ A）

V

DS

V

GS

R

G

R

D

D.U.T.

+

-

V

DD

60

V

GS

40

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

20

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

1

(Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

热响应

0.1

0.10

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

t

1

/ t

2

+T

C

0.1

0.05

0.02

0.01

J

= P

DM

X Z

thJC

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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PD- 94504

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

l

电机控制

l

Uninterrutible电源

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装torqe ， 6-32或M3螺丝

IRF1312

IRF1312S

IRF1312L

I

D

95A

V

DSS

80V

R

DS （ ON）

最大

10m

TO-220AB

IRF1312

D

2

PAK

IRF1312S

TO-262

IRF1312L

马克斯。

95

67

380

3.8

210

1.4

± 20

5.1

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

笔记

通过

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

结到环境（印刷电路板安装）

在第11页

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.73

–––

62

40

单位

° C / W

www.irf.com

1

7/01/02

IRF1312/S/L

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

80

–––

3.5

–––

典型值。

–––

0.078

6.6

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

10

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 57A

5.5

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

1.0

V

DS

= 76V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 64V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

92

–––

典型值。

–––

93

36

34

25

130

47

51

5450

550

340

1910

380

620

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 57A

140

I

D

= 57A

–––

NC V

DS

= 40V

–––

V

GS

= 10V,

–––

V

DD

= 40V

–––

I

D

= 57A

ns

–––

R

G

= 4.5

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 64V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至64V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

马克斯。

250

57

21

单位

mJ

A

mJ

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 95

展示

A

G

整体反转

––– ––– 380

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 57A ，V

GS

= 0V

––– 64

96

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 57A

––– 150 230

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2

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1000

VGS

顶部

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

1000

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

顶部

10

1

10

0.1

5.0V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

5.0V

0.01

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.00

2.5

ID ，漏 - 源电流

(

A)

100.00

T J = 175℃

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

ID = 95A

VGS = 10V

2.0

T J = 25°C

1.00

（归一化）

10.00

1.5

0.10

1.0

0.01

5

6

7

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

8

9

10

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

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100000

20

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

国际空间站

= C GS + Cgd的，

短

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

ID = 57A

DS

16

VDS = 64V

VDS = 40V

VDS = 16V

C，电容（pF ）

10000

12

西塞

8

1000

科斯

CRSS

4

测试电路

见图13

0

100

1

10

100

0

40

80

120

160

200

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q g总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

10000

在这一领域

限制根据RDS （ ON）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1000

100.0

T J = 175℃

100

100sec

10

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

10.0

1.0

T J = 25°C

10msec

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

VGS = 0V

1.4

1.6

1.8

0.1

100

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

VSD ，源toDrain电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF1312/S/L

100

不限按包

80

ID ，漏电流（ A）

V

DS

V

GS

R

G

R

D

D.U.T.

+

-

V

DD

60

V

GS

40

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

20

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

1

(Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

热响应

0.1

0.10

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

t

1

/ t

2

+T

C

0.1

0.05

0.02

0.01

J

= P

DM

X Z

thJC

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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