IRF1010ZS/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
55
–––
–––
2.0
33
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.049
5.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
63
19
24
18
150
36
92
4.5
7.5
2840
420
250
1630
360
560
–––
–––
7.5
4.0
–––
20
250
200
-200
95
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
V
S
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 75A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 75A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V
V
DD
= 28V
I
D
= 75A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
e
e
e
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至44V
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
22
15
75
A
360
1.3
33
23
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 75A ，V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
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5000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 75A
VDS = 44V
VDS = 28V
4000
16
C，电容（pF ）
3000
西塞
12
2000
8
1000
4
科斯
CRSS
0
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100.0
1000
T J = 175℃
100
100sec
10
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
10msec
10.0
T J = 25°C
1.0
0.1
0.2
0.6
1.0
1.4
VGS = 0V
1.8
0.1
100
1000
VSD ，源toDrain电压（ V）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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100
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
2.5
不限按包
80
ID ，漏电流（ A）
ID = 75A
2.0
VGS = 10V
（归一化）
60
1.5
40
20
1.0
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.01
0.1
单脉冲
（热反应）
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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