PD - 91372B
IRF1010NS/L
HEXFET
功率MOSFET
D
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
表面贴装（ IRF1010NS ）
通孔低调（ IRF1010NL ）
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.011W
G
I
D
= 84A
S
描述
绝对最大额定值
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性，可以消散
高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRF1010NL ）可用于低
配置文件的应用程序。
D 2白
TO-262
参数
马克斯。
84
60
290
3.8
170
1.1
± 20
360
43
17
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
热阻
参数
R
QJC
R
qJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
马克斯。
0.90
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
5/13/99
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
IRF1010NS/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
DV
（ BR ） DSS
/ DT
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
55
2.0
29
典型值。
0.06
11
66
40
46
7.5
2900
880
330
MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
0.011
W
V
GS
= 10V ，我
D
= 43A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 43A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
130
I
D
= 43A
23
NC V
DS
= 44V
53
V
GS
= 10V ，参照图6和13
V
DD
= 28V
I
D
= 43A
ns
R
G
= 3.6W
R
D
= 0.62W ，参照图10
铅之间，
nH
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
pF
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
84
展示
A
G
整体反转
390
S
p-n结二极管。
1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 43A ，V
GS
= 0V
81 120
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 43A
240 370
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
使用IRF1010N数据和测试条件
基于最大允许Caculated连续电流
结温;推荐电流处理的
包参考设计提示＃ 93-4
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 390 μH
R
G
= 25W ，我
AS
= 43A 。 （参见图12）
T
J
175°C
I
SD
43A ， di / dt的
260A / μs的，V
DD
V
（ BR ） DSS
,
**当安装在1 ＆ QUOT ;方形板（FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
www.irf.com
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
IRF1010NS/L
1000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1000
我，漏 - 源电流（A ）
D
100
我，漏 - 源电流（A ）
D
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175°C
T
C
= 175°C
1
10
100
4.5V
10
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25°C
T
C
= 25°C
10
A
100
10
0.1
A
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 72A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
T
J
= 25°C
100
T
J
= 175°C
2.0
1.5
10
1.0
0.5
1
4
5
6
7
V
DS
= 25V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V
GS
= 10V
80 100 120 140 160 180
A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
IRF1010NS/L
5000
4000
3000
C
OSS
2000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
国际空间站
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 43A
V
DS
= 44V
V
DS
= 28V
16
C，电容（pF ）
12
8
C
RSS
1000
4
0
1
10
100
A
0
0
20
40
60
测试电路
见图13
80
100
120
140
A
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10s
100
100s
100
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
1ms
10
10ms
10
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
GS
= 0V
2.4
A
1
1
T
C
= 25°C
T
J
= 175°C
单脉冲
10
A
100
2.8
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
IRF1010NS/L
V
DS
100
V
GS
不限按包
80
R
G
10V
D.U.T.
V
DD
-
+
I
D
，漏电流（ A）
60
脉冲宽度
1
s
占空比
0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
40
V
DS
90%
20
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
www.irf.com
5
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
QQ：2880707522 复制
