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PD - 94965A
IRF1010EPbF
l
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
LEAD -FREE
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 60V
R
DS （ ON）
= 12m
G
S
I
D
= 84A
先进的HEXFET
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平到约50瓦。低热
的TO- 220贡献电阻和低封装成本
在整个行业中的广泛接受。
描述
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
84
59
330
200
1.4
± 20
50
17
4.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.75
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
07/04/07
IRF1010EPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。
60
–––
–––
2.0
69
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
12
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 50A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 50A
25
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
130
I
D
= 50A
28
nC
V
DS
= 48V
44
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 30V
–––
I
D
= 50A
ns
–––
R
G
= 3.6
–––
V
GS
= 10V ，参照图10
铅之间，
4.5
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
7.5
–––
而中心的模具接触
3210 –––
V
GS
= 0V
690 –––
V
DS
= 25V
140 –––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
1180 ?? 320 ??兆焦耳我
AS
= 50A ，L = 260μH
典型值。
–––
0.064
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
78
48
53
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 84
展示
A
G
整体反转
––– ––– 330
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 50A ，V
GS
= 0V
––– 73 110
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 50A
––– 220 330
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
起始物为
J
= 25℃时，L = 260μH
最大。结温。 （参见图11）
操作之外的额定范围。
R
G
= 25, I
AS
= 50A ，V
GS
= 10V （见图12）
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
基于最大允许计算出的连续电流
I
SD
≤
50A ， di / dt的
≤
230A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
结温。套餐限制电流为75A 。
T
≤
175°C
J
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
这是在破坏设备的典型值，代表
2
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IRF1010EPbF
1000
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
4.5V
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 84A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
2.0
100
1.5
1.0
0.5
10
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
4
5
6
7
8
9
10
11
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRF1010EPbF
6000
5000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + C
DS GD
20
I
D
= 50A
V
DS
= 48V
V
DS
= 30V
V
DS
= 12V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
C，电容（pF ）
16
4000
西塞
3000
12
科斯
2000
8
1000
CRSS
4
0
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0
测试电路
见图13
0
20
40
60
80
100
120
140
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100
T
J
= 175
°
C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100sec
10
1
T
J
= 25
°
C
10
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
1msec
0.1
0.0
V
GS
= 0 V
0.6
1.2
1.8
2.4
10msec
100
1000
1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF1010EPbF
100
不限按包
80
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
-
V
DD
60
V
GS
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
40
20
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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IRGC50B120UB
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IRKHF152-06GL
IRKUF200-06CP
ICS680-01
ISL98001CQZ-240
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IS42S16800A1
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IT83C151C-L16
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ISL6564ACRZ
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IDT2308A-4DC
IRKVF81-08EN
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ICS601G-01
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    -
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