PD - 95444
先进的工艺技术
l
表面贴装（ IRF1010ES ）
l
通孔低调（ IRF1010EL ）
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
LEAD -FREE
描述
l
IRF1010ESPbF
IRF1010ELPbF
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 60V
R
DS （ ON）
= 12m
G
S
先进的HEXFET
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术，
实现极低的导通电阻每硅片面积。
这样做的好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个
极其有效的和为在一个广泛使用的可靠装置
各种应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用其
较低的内部连接性和功耗最高
2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRF1010EL ）可用于低
配置文件的应用程序。
I
D
= 84A
D
2
PAK
IRF1010ES
TO-262
IRF1010EL
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
84
59
330
200
1.4
± 20
50
17
4.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.75
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
06/29/04
IRF1010ES/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。
60
–––
–––
2.0
69
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
12
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 50A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 50A
25
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
130
I
D
= 50A
28
nC
V
DS
= 48V
44
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 30V
–––
I
D
= 50A
ns
–––
R
G
= 3.6
–––
V
GS
= 10V ，参照图10
铅之间，
4.5
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
7.5
–––
而中心的模具接触
3210 –––
V
GS
= 0V
690 –––
V
DS
= 25V
140 –––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
1180 ?? 320 ??兆焦耳我
AS
= 50A ，L = 260μH
典型值。
–––
0.064
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
78
48
53
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 84
展示
A
G
整体反转
––– ––– 330
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 50A ，V
GS
= 0V
––– 73 110
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 50A
––– 220 330
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 260μH
R
G
= 25, I
AS
= 50A ，V
GS
=10V
（参见图12）
I
SD
≤
50A ， di / dt的
≤
230A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
这是在破坏设备的典型值，代表
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为75A 。
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。为
推荐的足迹和焊接技术是指应用程序
注意＃ AN- 994
2
www.irf.com
IRF1010ES/LPbF
1000
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
10
4.5V
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 84A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
100
2.0
1.5
1.0
0.5
10
4
5
6
7
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
11
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
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