PD - 90585
重复性一个ALANCHE和dv / dt评分
V
HEXFET晶体管
直通孔（ TO- 204AA / AE ）
产品概述
产品型号
IRF034
IRF034
60V的N通道
BVDSS
DS （ ON）
60V
0.050
I
D
25Α
该HEXFET技术是关键，国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。
高效的几何形状和这个最新独特的加工
“最先进的”设计实现：极低的通态电阻
tance结合高跨导;再出众
诗能源和二极管恢复dv / dt能力。
该HEXFET晶体管还具有所有的好estab-
MOSFET的lished优点，例如电压控制，
非常快速的切换，易于并联和温度的
电气参数的稳定性。
它们非常适合用于诸如开关
电源，电机控制，逆变器，斩波器，音频
放大器和高能量脉冲电路。
TO-3
产品特点：
n
n
n
n
n
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
密封式
简单的驱动要求
易于并联的
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 0V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 0V ， TC = 100℃
我DM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
25
16
100
75
0.60
±20
19
-
-
4.5
-55到150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
11.5(typical)
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
01/23/01
IRF034
电气特性
参数
BVDSS
ΔBV
DSS / ΔTJ
RDS （ ON）
VGS （ TH）
政府飞行服务队
IDSS
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
民
60
—
—
—
2.0
9.3
—
—
—
—
21
4.4
9.7
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.68
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.1
—
—
0.050
0.058
4.0
—
25
250
100
-100
47
10
22
21
110
53
80
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 16A
VGS = 10V ，ID = 25A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS > 15V ， IDS = 16A
VDS = 48V ， VGS = 0V
VDS = 48V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 25A
VDS = 30V
VDD = 30V ， ID = 25A ，
RG = 7.5Ω
漏极至源极击穿电压
分解温度系数
电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
IGSS
我GSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1300
650
100
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
100
1.8
220
9.6
测试条件
A
V
nS
c
T
j
= 25 ℃， IS = 25A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 25A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
thJA
结到外壳
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
—
1.67
30
° C / W
测试条件
典型的插座安装
对于脚注参考最后一页
2
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重复性一个ALANCHE和dv / dt评分
V
HEXFET晶体管
直通孔（ TO- 204AA / AE ）
产品概述
产品型号
IRF034
IRF034
60V的N通道
BVDSS
DS （ ON）
60V
0.050
I
D
25Α
该HEXFET技术是关键，国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。
高效的几何形状和这个最新独特的加工
“最先进的”设计实现：极低的通态电阻
tance结合高跨导;再出众
诗能源和二极管恢复dv / dt能力。
该HEXFET晶体管还具有所有的好estab-
MOSFET的lished优点，例如电压控制，
非常快速的切换，易于并联和温度的
电气参数的稳定性。
它们非常适合用于诸如开关
电源，电机控制，逆变器，斩波器，音频
放大器和高能量脉冲电路。
TO-3
产品特点：
n
n
n
n
n
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
密封式
简单的驱动要求
易于并联的
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 0V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 0V ， TC = 100℃
我DM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
25
16
100
75
0.60
±20
19
-
-
4.5
-55到150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
11.5(typical)
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
01/23/01
IRF034
电气特性
参数
BVDSS
ΔBV
DSS / ΔTJ
RDS （ ON）
VGS （ TH）
政府飞行服务队
IDSS
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
民
60
—
—
—
2.0
9.3
—
—
—
—
21
4.4
9.7
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.68
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.1
—
—
0.050
0.058
4.0
—
25
250
100
-100
47
10
22
21
110
53
80
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 16A
VGS = 10V ，ID = 25A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS > 15V ， IDS = 16A
VDS = 48V ， VGS = 0V
VDS = 48V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 25A
VDS = 30V
VDD = 30V ， ID = 25A ，
RG = 7.5Ω
漏极至源极击穿电压
分解温度系数
电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
IGSS
我GSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1300
650
100
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
100
1.8
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9.6
测试条件
A
V
nS
c
T
j
= 25 ℃， IS = 25A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 25A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
thJA
结到外壳
结到环境
最小典型最大单位
—
—
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1.67
30
° C / W
测试条件
典型的插座安装
对于脚注参考最后一页
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