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PD - 9.590A
IRCZ34
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
动态的dv / dt额定值
电流检测
175 ° C工作温度
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
V
DSS
= 60V
R
DS （ ON）
= 0.050
I
D
= 30A
描述
国际整流器第三代HEXFETs提供了设计者
快速开关，坚固耐用的设备的最佳组合，低导通电阻和
成本效益。
该HEXSence装置提供的漏极电流的通过精确分数
要用于控制或保护装置的两个附加引线。这些
装置表现出类似的电特性和热特性作为其IRF-系列
相当于零件号。开尔文源连接的提供有效
消除共源极电感的问题时， HEXSence是
作为在非电流检测应用了一种快速，大电流开关。
的TO-220 HexSense
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或螺丝
马克斯。
30
21
120
88
0.59
±20
15
4.5
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
分钟。
—
—
—
马克斯。
—
0.50
—
单位
1.7
—
62
° C / W
**当使用最小的占用空间，建议安装在FR- 4电路板。对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
C-7
IRCZ34
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
C
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
r
C
OSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
电流检测比率
感测单元的输出电容
分钟。
60
–––
–––
2.0
9.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1340
–––
典型值。
–––
0.065
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
100
29
52
4.5
7.5
1300
640
96
–––
9.0
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.050
V
GS
= 10V ，我
D
= 18A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 18A
25
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
250
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
-100
V
GS
= -20V
46
I
D
= 30A
11
nC
V
DS
= 48V
22
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 30V
–––
I
D
= 30A
–––
R
G
= 12
–––
R
D
= 1.0Ω ，见图。 10
–––
nH
–––
–––
–––
–––
1480
–––
铅之间，
6毫米（ 0.25英寸）的
从包
和中心
模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
I
D
= 30A ，V
GS
= 10V
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， = 1.0MHz的
pF
–––
pF
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
30
A
120
1.6
230
1.4
V
ns
nC
––– –––
––– 120
––– 0.70
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 30A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 30A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
≤
30A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.019mH
R
G
= 25, I
AS
= 30A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
C-8
IRCZ34
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图。 1典型的输出特性，
T
C
=25°C
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图。 2典型的输出特性，
T
C
=175°C
V
DS
，栅极至源极电压（伏）
R
DS （ ON）
，漏极至源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
，结温（ ° C）
图。 4归一化导通电阻与
温度
图。 3典型的传输特性
C-9
IRCZ34
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图。 5典型电容与漏 -
源极电压
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
电容（pF）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 6典型栅极电荷与栅 -
源极电压
I
SD
，反向漏电流（安培）
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图。 7典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
I
D
漏电流（安培）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图。 8最大安全工作区
C-10
IRCZ34
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 9最大漏极电流与案例
温度
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
起始物为
J
，结温（ ° C）
图。 12C最大雪崩能量
与漏电流
t
1
， Rectiangular脉冲持续时间（秒）
图。 11最大有效瞬态热阻，结至外壳
C-11
热Repsonse （Z
θJC
)
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