双/倍频交错MOSFET驱动器
IR3598
特点
在一个16引脚QFN封装的双MOSFET驱动器
包
多模操作，配置驱动程序
无论是作为双重或倍频/交错模式
DRIVERS
从4V可变栅极驱动至13V到
优化系统效率
5V VCC和VDRV睡眠状态的能力
其中只有5V可用
专为驱动3nF的在<为12ns大驱动
从5V至12V的任何电压（典型值）
供给到VDRV销
低侧驱动器 - 0.85Ω源/ 0.38Ω汇
高侧驱动器 - 1.1Ω源/ 0.60Ω汇
传播延迟为20ns <
两个司机集成自举二极管
能够高输出开关频率
从150kHz的高达大于1MHz的
兼容IR的专利活动
三电平（ ATL） PWM的最快响应
瞬态过冲以及行业
标准的3.3V和5V三态的信号
大多数模式
非重叠和欠电压保护
耐热增强型16引脚QFN封装
无铅符合RoHS的封装
低静态功耗，以优化效率
描述
该IR3598是一种高效率的双驱动器可切换
一对中的同步的高侧和低侧的N沟道MOSFET
降压转换器，并与IR的数字PWM进行了优化
控制器，以提供对今天的总电压调节溶液
先进计算应用。节省空间的16引脚QFN封装
封装， IR3598可显著提高密度在高
相数的电压调节器节能50％以上的电路板空间
与传统的驱动程序。
的IR3598可以配置为在对偶两个独立的驱动
与各个PWM信号模式，或作为交织DOUBLER
驾驶其中一个PWM信号在内部分裂，从而驱动两
成对的MOSFET 180 °异相的。跨离开行动
内部优化管理的多个三态动作
在瞬态阶段，低电流的单相运行，并
PS2的操作（参见图8和图9 ）的DOUBLER模式可以增加一倍
来自控制器的有效的最大相位数，使
良好控制的，高相位计数电压调节器。
该IR3598有一个专有的电路保持MOSFET
带动整个4.0V至13.2V的驱动电压范围的力量
从而确保快速切换，即使5V待机驱动操作
在系统睡眠模式。集成的启动二极管减少
外部元件数量。该IR3598还具有自适应
非重叠控制贯通保护。
该IR3598的PWM输入与IR的快速有效兼容
三电平（ ATL）的PWM信号以及3.3V和5V三态
的PWM信号。
应用
台式机的CPU和GPU的解决方案
性能超频CPU和GPU的VR解决方案
优化使用+ 5VSB睡眠状态S3系统
基本应用
R
VCC
5V
C
VCC
BOOT1
VCC
请参考表1
请参考表1
PWM从控制器
NC
EN
NC
V_VGD
V
引脚图
12V
16
BOOT1
模式
1
顶视图
2
3
4
GND
垫= 17针
采用3x3mm QFN
BOOT2
9
EN
11
10
R
Boot1
C
Boot1
HG1
SW1
LG1
15
14
13
12
功能
VCC
NC
模式
功能
PWM1
PWM2
IR3598
12V
VDRV
HG2
SW2
LG2
VDRV
GND
BOOT2
R
Boot2
C
DRV
5
C
Boot2
6
7
SW2
HG2
LG2
图1 ： IR3598典型DOUBLER模式
应用电路
1
2011年10月27日|最后| V1.09
图2 ： IR3598包顶视图
PWM2
PWM1
8
SW1
HG1
LG1
双/倍频交错MOSFET驱动器
IR3598
典型应用
12V
5V
BOOT1
VCC
模式
功能
HG1
SW1
LG1
R
系列
R
Th
R
系列
RCS
CCS
RCSP
V_CPU_L1
L
O
A
D
V
RCSM
+3.3V
VCC
PWM1
PWM2
PWM1
PWM2
12V
HG2
SW2
LG2
IR3598
IR3538/
CHL8328
ISEN1
IRTN1
ISEN2
IRTN2
V_VGD
VDRV
GND
V
BOOT2
VSEN
VRTN
RRES
TSEN
R
Th2
V18A
+ 12V主
R
VIN_1
VR_RDY_L1
VR_RDY_L2
VINSEN
R
VIN_2
TSEN2
1
R
Th2
SV_ALERT ＃
SV_CLK
SV_DIO
12V
V
至/从
中央处理器
V
V
3.3V
V
VR_HOT ＃
5V
BOOT1
VCC
模式
HG1
SW1
LG1
CFP
至/从
系统
GPO_B
1
PSI
2
I2C或
SMBUS
SMB_DIO
SMB_CLK
SMB_ALERT
SV_ADDR
PM_ADDR
ISEN8
IRTN8
RCSP_L2
R
系列
R
Th
R
系列
V
V
功能
PWM7
PWM8
V_VGD
V
PWM1
PWM2
VDRV
GND
12V
HG2
SW2
LG2
BOOT2
IR3598
V
V
ISEN7
IRTN7
RCS
CCS
12V
RCSM_L2
VSEN_L2
VRTN_L2
GND
VAR_GATE
IR3537/CHL8510
BOOT
HIGATE
VCC
HVCC开关
LVCC
PWM LOGATE
GND
模式
V_VGD
可选变量
栅极驱动电路
图4 ：采用IR3598 MOSFET驱动器的双模式& IR3538 / CHL8328控制器的8相CPU VR解决方案
与IR3537 / CHL8510为VGD驱动程序
4
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双/倍频交错MOSFET驱动器
IR3598
12V
5V
BOOT1
VCC
模式
功能
HG1
SW1
LG1
R
系列
R
Th
R
系列
RCS
CCS
RCSP
V_CPU_L1
L
O
A
D
RCSM
+3.3V
VCC
PWM1
V_VGD
V
V
PWM
12V
IR3598
HG2
SW2
LG2
VDRV
GND
BOOT2
VSEN
VRTN
RRES
ISEN1
IRTN1
TSEN
R
Th2
V
IR3538/
CHL8328
PWM2
12V
5V
BOOT1
VCC
HG1
SW1
LG1
V18A
模式
功能
PWM
12V
IR3598
HG2
SW2
LG2
+ 12V主
R
VIN_1
VR_RDY_L1
VR_RDY_L2
V_VGD
VDRV
GND
V
BOOT2
VINSEN
R
VIN_2
TSEN2
1
R
Th2
ISEN2
IRTN2
SV_ALERT ＃
SV_CLK
SV_DIO
12V
V
至/从
中央处理器
V
V
3.3V
V
VR_HOT ＃
5V
BOOT1
VCC
模式
HG1
SW1
LG1
CFP
至/从
系统
PWM8
GPO_B
1
PSI
2
I2C或
SMBUS
SMB_DIO
SMB_CLK
SMB_ALERT
SV_ADDR
PM_ADDR
ISEN8
IRTN8
V
功能
PWM
12V
IR3598
HG2
SW2
LG2
V_VGD
VDRV
GND
V
BOOT2
V
V
RCSP_L2
R
系列
R
Th
R
系列
V
RCS
CCS
12V
RCSM_L2
VSEN_L2
VRTN_L2
GND
VAR_GATE
IR3537/CHL8510
BOOT
HIGATE
VCC
HVCC开关
LVCC
PWM LOGATE
GND
模式
V_VGD
可选变量
栅极驱动电路
图5 ：采用IR3598 MOSFET驱动器的倍频器模式下& IR3538 / CHL8328控制器16期VR解决方案
与IR3537 / CHL8510为VGD
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