不建议用于新设计
更换产品 - IR3507ZPBF
IR3507PbF
数据表
XPHASE3
TM
相位IC
描述
该IR3507相位IC结合了IR
XPhase3
TM
控制IC提供了一个全功能的，灵活的方式来
实现电源解决方案的最新的高性能CPU和ASIC的。 “控制” IC提供
整个系统的控制和接口与任何数量的“相位”集成电路，其中每个驱动器和显示器的单个
多相转换的阶段。该
XPhase3
TM
体系结构的结果是小的电源，少
昂贵的，并且更容易，同时提供更高的效率比传统的方法来设计。
特点IR3507相位IC
电源状态指示器（ PSI ）接口提供的能力，最大限度地提高工作效率在轻负载。
7V / 2A栅极驱动器（ 4A GATEL灌电流）
转换器的输出电压高达5.1 V（仅限于VCCL - 1.4V ）
无损耗电感电流检测
前馈电压模式控制
集成的自举同步PFET
只有四个每相外部元件
三线模拟总线连接控制和相位IC （ VID ，误差放大器， IOUT ）
3线数字总线，无需外部元件准确的菊花链相时序控制
反偏置电路防止过度下垂的输出电压在PSI去断言
在上电期间PSI输入被忽略
调试功能相分离，从IC转换器
PWM斜坡，电流检测放大器，与当前股价放大器的自校准
单线双向平均电流共享
小型耐热增强型20L 4 x 4mm的MLPQ封装
符合RoHS
应用电路
12V
EAIN
20
19
18
17
CSIN +
CSIN-
EAIN
VCC
NC
16
RCS
SW
15
14
13
12
11
CBST
L
CCS
IOUT
PSI
DACIN
1
2
3
4
5
IOUT
PSI
DACIN
LGND
PHSOUT
GATEL
PHSIN
NC
CLKIN
保护地
GATEH
VOUT +
IR3507
BOOST
VCCL
NC
COUT
VOUT-
6
7
8
9
PHSIN
PHSOUT
CLKIN
CVCCL
VCCL
图1应用电路
分页： 19 1
IR机密
10
2009年4月2日
不建议用于新设计
更换产品 - IR3507ZPBF
IR3507PbF
订购数量
3000每卷
100块条
订购信息
产品型号
IR3507MTRPBF
* IR3507MPBF
只有*样品
包
20引脚MLPQ
（4×4毫米的机身）
20引脚MLPQ
（4×4毫米的机身）
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损伤
装置。这些压力额定值只，设备的功能操作在这些或任何其他
超出了规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。
工作结温............... .. 0到150
o
C
存储温度范围..................... 。 -65
o
C至150
o
C
ESD额定值............................................. HBM等级1C JEDEC标准
MSL等级............................................. 2
回流焊温度................................. .260
o
C
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
引脚名称
IOUT
PSI
DACIN
LGND
PHSIN
NC
PHSOUT
CLKIN
保护地
GATEL
NC
VCCL
BOOST
GATEH
SW
V
最大
8V
8V
3.3V
不适用
8V
不适用
8V
8V
0.3V
8V
不适用
8V
40V
40V
34V
V
民
-0.3V
-0.3V
-0.3V
不适用
-0.3V
不适用
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V DC，为-5V
100ns
不适用
-0.3V
-0.3V
-0.3V DC，为-5V
100ns
-0.3V DC，为-5V
100ns
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
不适用
I
来源
1mA
1mA
1mA
不适用
1mA
不适用
2mA
1mA
5A为100ns的，
200毫安DC
5A为100ns的，
200毫安DC
不适用
不适用
1A为100ns的，
百毫安DC
3A为100纳秒，
百毫安DC
3A为100纳秒，
百毫安DC
不适用
1mA
1mA
1mA
不适用
I
SINK
1mA
1mA
1mA
不适用
1mA
不适用
2mA
1mA
不适用
5A为100ns的，
200毫安DC
不适用
5A为100ns的，
200毫安DC
3A为100纳秒，
百毫安DC
3A为100纳秒，
百毫安DC
不适用
10mA
1mA
1mA
1mA
不适用
16
VCC
34V
17
CSIN +
8V
18
CSIN-
8V
19
EAIN
8V
20
NC
不适用
注意：
1.最大GATEH - SW = 8V
2.最大BOOST - GATEH = 8V
第19 2
IR机密
2009年4月2日
不建议用于新设计
更换产品 - IR3507ZPBF
IR3507PbF
推荐工作条件与保证金可靠运行
8.0V
≤
V
CC
≤
28V, 4.75V
≤
V
CCL
≤
7.5V, 0
o
C
≤
T
J
≤
125
o
C. 0.5V
≤
V（ DACIN ）
≤
1.6V ，频率500kHz
≤
CLKIN
≤
为9MHz ，为250kHz
≤
PHSIN
≤1.5MHz
电气特性
电气特性包括在推荐的操作条件保证值的传播。
典型值表示中间值，这是关系到25 ℃。
C
GATEH
=为3.3nF ，C
GATEL
= 6.8nF （除非另有规定） 。
参数
栅极驱动器
GATEH源电阻
GATEH水槽电阻
GATEL源电阻
GATEL汇电阻
GATEH源电流
GATEH灌电流
GATEL源电流
GATEL灌电流
GATEH上升时间
GATEH下降时间
GATEL上升时间
GATEL下降时间
GATEL低到高GATEH
延迟
GATEH低到高GATEL
延迟
禁止下拉
阻力
时钟
CLKIN门槛
CLKIN偏置电流
CLKIN相位延迟
PHSIN门槛
PHSOUT传播
延迟
PHSIN下拉
阻力
PHSOUT高压
PHSOUT低电压
测试条件
BOOST - SW = 7V 。注1
BOOST - SW = 7V 。注1
VCCL - PGND = 7V 。注1
VCCL - PGND = 7V 。注1
BOOST = 7V ， GATEH = 2.5V ， SW = 0V 。
BOOST = 7V ， GATEH = 2.5V ， SW = 0V 。
VCCL = 7V ， GATEL = 2.5V ，保护地= 0V 。
VCCL = 7V ， GATEL = 2.5V ，保护地= 0V 。
BOOST - SW = 7V ，测量1V至4V
转换时间
BOOST - SW = 7V ，测量4V至1V
转换时间
VCCL - 地线= 7V ，测量1V至4V
转换时间
VCCL - 地线= 7V ，测量4V至1V
转换时间
BOOST = VCCL = 7V ， SW = PGND = 0V ，
从GATEL测量时间下降到1V至
GATEH上升到1V
BOOST = VCCL = 7V ， SW = PGND = 0V ，
从GATEH测量时间下降到1V至
GATEL上升到1V
注1
民
典型值
1.0
1.0
1.0
0.4
2.0
2.0
2.0
4.0
5
5
10
5
10
20
最大
2.5
2.5
2.5
1.0
单位
A
A
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
20
10
40
10
20
40
ns
30
80
130
k
比较V（ VCCL ）
CLKIN = V （ VCCL ）
测量时间从CLKIN<1V到GATEH>1V
比较V（ VCCL ）
测量时间从CLKIN > （ VCCL * 50 ％ ）
到PHSOUT > （ VCCL * 50％）， 10pF的负载
@125
o
C
40
-0.5
40
35
4
45
0.0
75
50
15
57
0.5
125
55
35
%
A
ns
%
ns
30
我（ PHSOUT ） = -10mA ，测量VCCL -
PHSOUT
我（ PHSOUT ） = 10毫安
1
100
0.6
0.4
170
k
V
1
V
第19 3
IR机密
2009年4月2日
不建议用于新设计
更换产品 - IR3507ZPBF
IR3507PbF
民
42
-5
-5
20
典型值
52.5
0
-0.3
55
80
最大
57
5
5
70
160
单位
毫伏/
％ DC
mV
A
ns
ns
参数
PWM比较器
PWM斜坡斜率
输入失调电压
EAIN偏置电流
最小脉冲宽度
最低GATEH关断
时间
电流检测放大器
CSIN +/-偏置电流
CSIN +/-偏置电流
不匹配
输入失调电压
收益
单位增益带宽
压摆率
差分输入范围
差分输入范围
共模输入范围
溃败在T
J
= 25
o
C
溃败在T
J
= 125
o
C
IOUT源电流
IOUT灌电流
分享调节放大器
输入失调电压
差分输入范围
收益
单位增益带宽
PWM斜坡电压楼
最大的PWM斜坡楼
电压
最小PWM斜楼
电压
PSI比较
瑞星阈值电压
下降阈值电压
迟滞
阻力
浮动电压
测试条件
Vin=12V
注1
0
≤
EAIN
≤
3V
注1
注1
CSIN + = CSIN- = DACIN 。措施
输入参考的失调DACIN
0.5V
≤
V（ DACIN ） < 1.6V
C（ IOUT ） = 10pF的。在测量IOUT 。
注1
0.8V
≤
V（ DACIN ）
≤
1.6V ，注1
0.5V
≤
V（ DACIN ） < 0.8V ，注1
注1
注1
-200
-50
-1
30.0
4.8
0
0
0
32.5
6.8
6
200
50
1
35.0
8.8
nA
nA
mV
V/V
兆赫
V / μs的
mV
mV
V
k
k
mA
mA
mV
V
V/V
千赫
mV
mV
mV
-10
-5
0
2.3
3.6
0.5
0.5
-3
-1
4
4
-116
120
-220
3.0
4.7
1.6
1.4
0
5.0
8.5
0
180
-160
50
50
Note2
3.7
5.4
2.9
2.9
3
1
6
17
116
240
-100
注1
注1
CSIN + = CSIN- = DACIN 。注1
注1
IOUT打开，测量相对DACIN
IOUT = DACIN - 200mV的。措施
相对于地面电压。
IOUT = DACIN + 200mV的。措施
相对于地面电压。
注1
注1
注1
520
400
50
200
800
620
550
70
500
700
650
120
850
1150
mV
mV
mV
k
mV
第19 4
IR机密
2009年4月2日
不建议用于新设计
更换产品 - IR3507ZPBF
IR3507PbF
民
-300
-200
70
40
典型值
-200
-100
105
65
最大
-110
-10
130
90
单位
mV
mV
mV
ns
参数
车身制动比较
阈值电压与EAIN
减少
阈值电压与EAIN
增加
迟滞
传播延迟
测试条件
测量相电压楼
测量相电压楼
VCCL = 5V 。测量时间从EAIN <
V（ DACIN ） （ 200mV的过载）到GATEL
过渡到< 4V 。
OVP比较器
OVP阈值
步骤V （ IOUT ） ，直到GATEL驱动器
高。比较V（ VCCL ）
传播延迟
V（ VCCL ） = 5V ，步骤V （ IOUT ）从
V（ DACIN ）到V （ VCCL ） 。测量时间
V(GATEL)>4V.
同步整流禁用比较
阈值电压
五世（ CSIN- ） / V （ DACIN ） ，下面的比
其中V（ GATEL ）始终为低电平。
负电流比较器
输入失调电压
注1
传播延迟时间
应用级电压为V（ CSIN + ） -
V（ CSIN- ） 。测量时间为V（ GATEL ） <
1V.
自举二极管
正向电压
我（ BOOST ） = 30mA时VCCL = 6.8V
调试比较
阈值电压
比较V（ VCCL ）
一般
VCC电源电流
8V
≤
V
(
VCC ） < 10V
VCC电源电流
10V
≤
V
(
VCC ）
≤
16V
VCCL电源电流
升压电源电流
4.75V
≤
V
(
BOOST ） -V （ SW ） ？ 8V
DACIN偏置电流
SW浮置电压
-1.0
15
-0.8
40
-0.4
70
V
ns
66
75
86
%
-16
100
0
200
16
400
mV
ns
360
-250
1.1
1.1
3.1
0.5
-1.5
0.1
520
-150
4.0
2.0
8.0
1.5
-0.75
0.3
960
-50
6.1
4
12.1
3
1
0.4
mV
mV
mA
mA
mA
mA
A
V
注1 ：
通过设计保证，但在生产中测试
注2 ：
V
CCL
-0.5V或V
CC
- 2.5V ，以较低者为准
第19 5
IR机密
2009年4月2日
IR3507
数据表
XPHASE3
TM
相位IC
描述
该IR3507相位IC结合了IR
XPhase3
控制IC提供了一个全功能的，灵活的方式来
实现电源解决方案的最新的高性能CPU和ASIC的。 “控制” IC提供
整个系统的控制和接口与任何数量的“相位”集成电路，其中每个驱动器和显示器的单个
TM
多相转换的阶段。该
XPhase3
体系结构的结果是小的电源，少
昂贵的，并且更容易，同时提供更高的效率比传统的方法来设计。
TM
特点IR3507相位IC
电源状态指示器（ PSI ）接口提供的能力，最大限度地提高工作效率在轻负载。
7V / 2A栅极驱动器（ 4A GATEL灌电流）
转换器的输出电压高达5.1 V（仅限于VCCL - 1.4V ）
无损耗电感电流检测
前馈电压模式控制
集成的自举同步PFET
只有四个每相外部元件
三线模拟总线连接控制和相位IC （ VID ，误差放大器， IOUT ）
3线数字总线，无需外部元件准确的菊花链相时序控制
反偏置电路防止过度下垂的输出电压在PSI去断言
在上电期间PSI输入被忽略
调试功能相分离，从IC转换器
PWM斜坡，电流检测放大器，与当前股价放大器的自校准
单线双向平均电流共享
小型耐热增强型20L 4 x 4mm的MLPQ封装
符合RoHS
应用电路
12V
EAIN
20
19
18
CSIN +
CSIN-
17
EAIN
VCC
NC
16
RCS
SW
15
14
13
12
11
CBST
L
CCS
IOUT
PSI
DACIN
1
2
3
4
5
IOUT
PSI
DACIN
LGND
PHSOUT
GATEL
PHSIN
NC
CLKIN
保护地
GATEH
VOUT +
IR3507
BOOST
VCCL
NC
COUT
VOUT-
7
PHSIN
PHSOUT
CLKIN
CVCCL
VCCL
图1应用电路
分页： 19 1
2008年1月9日
10
6
8
9
IR3507
订购信息
产品型号
IR3507MTRPBF
* IR3507MPBF
只有*样品
包
20引脚MLPQ
（4×4毫米的机身）
20引脚MLPQ
（4×4毫米的机身）
订购数量
3000每卷
100块条
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损伤
装置。这些压力额定值只，设备的功能操作在这些或任何其他
超出了规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。
工作结温............... .. 0 ℃150℃
o
o
存储温度范围..................... 。 - 65 ℃150℃
MSL等级............................................. 2
o
回流焊温度................................. 0.260
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
引脚名称
IOUT
PSI
DACIN
LGND
PHSIN
NC
PHSOUT
CLKIN
保护地
GATEL
NC
VCCL
BOOST
GATEH
SW
V
最大
8V
8V
3.3V
不适用
8V
不适用
8V
8V
0.3V
8V
不适用
8V
40V
40V
34V
V
民
-0.3V
-0.3V
-0.3V
不适用
-0.3V
不适用
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V DC，为-5V
100ns
不适用
-0.3V
-0.3V
-0.3V DC，为-5V
100ns
-0.3V DC，为-5V
100ns
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
不适用
I
来源
1mA
1mA
1mA
不适用
1mA
不适用
2mA
1mA
5A为100ns的，
200毫安DC
5A为100ns的，
200毫安DC
不适用
不适用
1A为100ns的，
百毫安DC
3A为100纳秒，
百毫安DC
3A为100纳秒，
百毫安DC
不适用
1mA
1mA
1mA
不适用
I
SINK
1mA
1mA
1mA
不适用
1mA
不适用
2mA
1mA
不适用
5A为100ns的，
200毫安DC
不适用
5A为100ns的，
200毫安DC
3A为100纳秒，
百毫安DC
3A为100纳秒，
百毫安DC
不适用
10mA
1mA
1mA
1mA
不适用
o
16
VCC
34V
17
CSIN +
8V
18
CSIN-
8V
19
EAIN
8V
20
NC
不适用
注意：
1.最大GATEH - SW = 8V
2.最大BOOST - GATEH = 8V
第19 2
2008年1月9日
IR3507
推荐工作条件与保证金可靠运行
o
o
8.0V
V
CC
28V, 4.75V
V
CCL
7.5V ， 0℃
T
J
125 0.5V C.
500kHz
?? & / 。 ， 1 ?? ？ 0+ ]
250kHz
3+6,1 0+]
电气特性
电气特性包括在推荐的操作条件保证值的传播。
典型值表示中间值，这是关系到25°
C.
C
GATEH
=为3.3nF ，C
GATEL
= 6.8nF （除非另有规定） 。
参数
栅极驱动器
GATEH源电阻
GATEH水槽电阻
GATEL源电阻
GATEL汇电阻
GATEH源电流
GATEH灌电流
GATEL源电流
GATEL灌电流
GATEH上升时间
GATEH下降时间
GATEL上升时间
GATEL下降时间
GATEL低到高GATEH
延迟
GATEH低到高GATEL
延迟
禁止下拉
阻力
时钟
CLKIN门槛
CLKIN偏置电流
CLKIN相位延迟
PHSIN门槛
PHSOUT传播
延迟
PHSIN下拉
阻力
PHSOUT高压
PHSOUT低电压
第19 3
测试条件
BOOST - SW = 7V 。注1
BOOST - SW = 7V 。注1
VCCL - PGND = 7V 。注1
VCCL - PGND = 7V 。注1
BOOST = 7V ， GATEH = 2.5V ， SW = 0V 。
BOOST = 7V ， GATEH = 2.5V ， SW = 0V 。
VCCL = 7V ， GATEL = 2.5V ，保护地= 0V 。
VCCL = 7V ， GATEL = 2.5V ，保护地= 0V 。
BOOST - SW = 7V ，测量1V至4V
转换时间
BOOST - SW = 7V ，测量4V至1V
转换时间
VCCL - 地线= 7V ，测量1V至4V
转换时间
VCCL - 地线= 7V ，测量4V至1V
转换时间
BOOST = VCCL = 7V ， SW = PGND = 0V ，
从GATEL测量时间下降到1V至
GATEH上升到1V
BOOST = VCCL = 7V ， SW = PGND = 0V ，
从GATEH测量时间下降到1V至
GATEL上升到1V
注1
民
典型值
1.0
1.0
1.0
0.4
2.0
2.0
2.0
4.0
5
5
10
5
10
10
30
20
20
80
最大
2.5
2.5
2.5
1.0
单位
A
A
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
N
10
10
20
10
40
40
130
比较V（ VCCL ）
CLKIN = V （ VCCL ）
测量时间从CLKIN<1V到GATEH>1V
比较V（ VCCL ）
测量时间从CLKIN > （ VCCL * 50 ％ ）
到PHSOUT > （ VCCL * 50％）， 10pF的负载
o
@125 C
40
-0.5
40
35
4
30
45
0.0
75
50
15
100
0.6
0.4
57
0.5
125
55
35
170
%
A
ns
%
ns
N
V
我（ PHSOUT ） = -10mA ，测量VCCL -
PHSOUT
我（ PHSOUT ） = 10毫安
1
1
V
2008年1月9日
IR3507
参数
PWM比较器
PWM斜坡斜率
输入失调电压
EAIN偏置电流
最小脉冲宽度
最低GATEH关断
时间
电流检测放大器
CSIN +/-偏置电流
CSIN +/-偏置电流
不匹配
输入失调电压
收益
单位增益带宽
压摆率
差分输入范围
差分输入范围
共模输入范围
o
溃败在T
J
= 25 C
o
溃败在T
J
= 125 C
IOUT源电流
IOUT灌电流
分享调节放大器
输入失调电压
差分输入范围
收益
单位增益带宽
PWM斜坡电压楼
最大的PWM斜坡楼
电压
最小PWM斜楼
电压
PSI比较
瑞星阈值电压
下降阈值电压
迟滞
阻力
浮动电压
测试条件
Vin=12V
注1
0
EAIN
3V
注1
民
42
-5
-5
20
典型值
52.5
0
-0.3
55
80
最大
57
5
5
70
160
单位
毫伏/
％ DC
mV
A
ns
ns
注1
CSIN + = CSIN- = DACIN 。措施
输入参考的失调DACIN
0.5V
C（ IOUT ） = 10pF的。在测量IOUT 。
注1
0.8V
注1
0.5V
注1
注1
注1
-200
-50
-1
30.0
4.8
0
0
0
32.5
6.8
6
200
50
1
35.0
8.8
nA
nA
mV
V/V
兆赫
V/
s
mV
mV
V
k
k
mA
mA
mV
V
V/V
千赫
mV
mV
mV
-10
-5
0
2.3
3.6
0.5
0.5
-3
-1
4
4
-116
120
-220
3.0
4.7
1.6
1.4
0
5.0
8.5
0
180
-160
50
50
Note2
3.7
5.4
2.9
2.9
3
1
6
17
116
240
-100
注1
注1
CSIN + = CSIN- = DACIN 。注1
注1
IOUT打开，测量相对DACIN
IOUT = DACIN - 200mV的。措施
相对于地面电压。
IOUT = DACIN + 200mV的。措施
相对于地面电压。
注1
注1
注1
520
400
50
200
800
620
550
70
500
700
650
120
850
1150
mV
mV
mV
k
mV
第19 4
2008年1月9日
IR3507
参数
车身制动比较
阈值电压与EAIN
减少
阈值电压与EAIN
增加
迟滞
传播延迟
OVP比较器
OVP阈值
测试条件
测量相电压楼
测量相电压楼
民
-300
-200
70
40
典型值
-200
-100
105
65
最大
-110
-10
130
90
单位
mV
mV
mV
ns
VCCL = 5V 。测量时间从EAIN <
V（ DACIN ） （ 200mV的过载）到GATEL
过渡到< 4V 。
步骤V （ IOUT ） ，直到GATEL驱动器
高。比较V（ VCCL ）
传播延迟
V（ VCCL ） = 5V ，步骤V （ IOUT ）从
V（ DACIN ）到V （ VCCL ） 。测量时间
V(GATEL)>4V.
同步整流禁用比较
阈值电压
五世（ CSIN- ） / V （ DACIN ） ，下面的比
其中V（ GATEL ）始终为低电平。
负电流比较器
输入失调电压
注1
传播延迟时间
应用级电压为V（ CSIN + ） -
V（ CSIN- ） 。测量时间为V（ GATEL ） <
1V.
自举二极管
正向电压
我（ BOOST ） = 30mA时VCCL = 6.8V
调试比较
阈值电压
比较V（ VCCL ）
一般
VCC电源电流
8V
9
(
VCC ） < 10V
VCC电源电流
10V
9
(
VCC ）
16V
VCCL电源电流
升压电源电流
4.75V
9
(
BOOST ） -V （ SW ） ？ 8V
DACIN偏置电流
SW浮置电压
注1 ：
通过设计保证，但在生产中测试
注2 ：
V
CCL
-0.5V或V
CC
- 2.5V ，以较低者为准
-1.0
15
-0.8
40
-0.4
70
V
ns
66
75
86
%
-16
100
0
200
16
400
mV
ns
360
-250
1.1
1.1
3.1
0.5
-1.5
0.1
520
-150
4.0
2.0
8.0
1.5
-0.75
0.3
960
-50
6.1
4
12.1
3
1
0.4
mV
mV
mA
mA
mA
mA
A
V
第19 5
2008年1月9日
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