IR3505Z
数据表
XPHASE3
TM
相位IC
描述
该IR3505Z IC相结合的红外
XPhase3
TM
控制IC提供了一个全功能的，灵活的方式来
实现电源解决方案的最新的高性能CPU和ASIC的。 “控制” IC提供
整个系统的控制和接口与任何数量的“相位”集成电路，其中每个驱动器和显示器的单个
多相转换的阶段。该
XPhase3
TM
体系结构的结果是小的电源，少
昂贵的，并且更容易，同时提供更高的效率比传统的方法来设计。
特点
7V / 2A栅极驱动器（ 4A GATEL灌电流）
支持转换器的输出电压高达5.1 V（仅限于VCCL - 1.4V ）
支持无损耗电感电流检测
前馈电压模式控制
集成的自举同步PFET
每相只有四个IC相关的外部元件
三线模拟总线连接控制和相位IC （ VDAC ，误差放大器， ISHARE ）
3线数字总线，无需外部元件准确的菊花链相时序控制
调试功能相分离，从IC转换器
PWM斜坡，电流检测放大器，与当前股价放大器的自校准
单线双向平均电流共享
小型耐热增强型16升3 x 3mm的MLPQ封装
符合RoHS
应用电路
第20页1
2009年3月17日
IR3505Z
订购信息
产品型号
IR3505ZMTRPBF
* IR3505ZMPBF
只有*样品
包
16引脚MLPQ
（3 ×3毫米的机身）
16引脚MLPQ
（3 ×3毫米的机身）
订购数量
3000每卷
100块条
绝对最大额定值
超过以下所列强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只
并且该设备在这些或超出在操作指示的任何其他条件的功能操作
规格部分不暗示。
工作结温............... .. 0
o
C至150
o
C
存储温度范围..................... 。 -65
o
C至150
o
C
MSL等级............................................. 2
回流焊温度................................. .260
o
C
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
引脚名称
i股
DACIN
LGND
PHSIN
PHSOUT
CLKIN
保护地
GATEL
VCCL
BOOST
GATEH
SW
VCC
CSIN +
CSIN-
EAIN
V
最大
8V
3.3V
不适用
8V
8V
8V
0.3V
8V
8V
34V
34V
34V
18V
8V
8V
8V
V
民
-0.3V
-0.3V
不适用
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V DC，为-5V
100ns
-0.3V
-0.3V
-0.3V DC，为-5V
100ns
-0.3V DC，为-5V
100ns
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
I
来源
1mA
1mA
不适用
1mA
2mA
1mA
5A为100ns的，
200毫安DC
5A为100ns的，
200毫安DC
不适用
1A为100ns的，
百毫安DC
3A为100纳秒，
百毫安DC
3A为100纳秒，
百毫安DC
不适用
1mA
1mA
1mA
I
SINK
1mA
1mA
不适用
1mA
2mA
1mA
不适用
5A为100ns的，
200毫安DC
5A为100ns的，
200毫安DC
3A为100纳秒，
百毫安DC
3A为100纳秒，
百毫安DC
不适用
10mA
1mA
1mA
1mA
注意：
1.最大GATEH - SW = 8V
2.最大BOOST - GATEH = 8V
第20页2
2009年3月17日
IR3505Z
推荐工作条件与保证金可靠运行
8.0V
≤
V
CC
≤
16V, 4.75V
≤
V
CCL
≤
7.5V, 0.5V
≤
V（ DACIN ）
≤
1.6V ，为250kHz
≤
CLKIN
≤
为9MHz ，为250kHz
≤
PHSIN
≤1.5MHz,
0
o
C
≤
T
J
≤
125
o
C
电气特性
电气特性包括在推荐的操作条件保证值的传播。
典型值表示中间值，这是关系到25 ℃。
GATEH
=为3.3nF ，C
GATEL
= 6.8nF （除非
另有规定） 。
参数
栅极驱动器
GATEH源电阻
GATEH水槽电阻
GATEL源电阻
GATEL汇电阻
GATEH源电流
GATEH灌电流
GATEL源电流
GATEL灌电流
GATEH上升时间
GATEH下降时间
GATEL上升时间
GATEL下降时间
GATEL低到高GATEH
延迟
GATEH低到高GATEL
延迟
禁止下拉
阻力
时钟
CLKIN门槛
CLKIN偏置电流
CLKIN相位延迟
PHSIN门槛
PHSOUT传播
延迟
PHSIN下拉
阻力
PHSOUT高压
PHSOUT低电压
测试条件
BOOST - SW = 7V 。注1
BOOST - SW = 7V 。注1
VCCL - PGND = 7V 。注1
VCCL - PGND = 7V 。注1
BOOST = 7V ， GATEH = 2.5V ， SW = 0V 。
BOOST = 7V ， GATEH = 2.5V ， SW = 0V 。
VCCL = 7V ， GATEL = 2.5V ，保护地= 0V 。
VCCL = 7V ， GATEL = 2.5V ，保护地= 0V 。
BOOST - SW = 7V ，测量1V至4V
转换时间
BOOST - SW = 7V ，测量4V至1V
转换时间
VCCL - 地线= 7V ，测量1V至4V
转换时间
VCCL - 地线= 7V ，测量4V至1V
转换时间
BOOST = VCCL = 7V ， SW = PGND = 0V ，
从GATEL测量时间下降到1V至
GATEH上升到1V
BOOST = VCCL = 7V ， SW = PGND = 0V ，
从GATEH测量时间下降到1V至
GATEL上升到1V
注1
民
典型值
1.0
1.0
1.0
0.4
2.0
2.0
2.0
4.0
5
5
10
5
10
20
最大
2.5
2.5
2.5
1.0
单位
A
A
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
20
10
40
10
20
40
ns
30
80
130
k
比较V（ VCCL ）
CLKIN = V （ VCCL ）
测量时间从CLKIN<1V到
GATEH>1V
比较V（ VCCL ）
测量时间从CLKIN > （ VCCL * 50 ％ ）
到PHSOUT > （ VCCL * 50％）。 10pF的@ 125
o
C
40
-0.5
40
35
4
30
45
0.0
75
50
15
100
0.6
0.4
57
0.5
125
55
35
170
%
A
ns
%
ns
k
V
我（ PHSOUT ） = -10mA ，测量VCCL -
PHSOUT
我（ PHSOUT ） = 10毫安
1
1
V
第20页3
2009年3月17日
IR3505Z
参数
PWM比较器
PWM斜坡斜率
输入失调电压
EAIN偏置电流
最小脉冲宽度
最低GATEH关断
时间
电流检测放大器
CSIN +/-偏置电流
CSIN +/-偏置电流
不匹配
输入失调电压
收益
单位增益带宽
压摆率
差分输入范围
差分输入范围
共模输入范围
溃败在T
J
= 25
o
C
溃败在T
J
= 125
o
C
ISHARE源电流
ISHARE灌电流
分享调节放大器
输入失调电压
差分输入范围
收益
单位增益带宽
PWM斜坡电压楼
最大的PWM斜坡楼
电压
最小PWM斜楼
电压
车身制动比较
阈值电压与EAIN
坠落。
阈值电压与EAIN
不断攀升。
迟滞
传播延迟
Vin=12V
注1
0
≤
EAIN
≤
3V
注1
测试条件
民
典型值
最大
单位
毫伏/
％ DC
mV
A
ns
nS
nA
nA
mV
V/V
兆赫
V / μs的
mV
mV
V
k
k
mA
mA
mV
V
V/V
千赫
mV
mV
120
180
240
mV
-220
-160
-100
42
-5
-5
20
-200
-50
-1
30
4.8
52.5
0
-0.3
65
80
0
0
57
5
5
75
160
200
50
1
注1
CSIN + = CSIN- = DACIN 。措施
输入参考的失调DACIN
0.5V
≤
V（ DACIN ） < 1.6V
C（ ISHARE ） = 10pF的。在测量ISHARE 。
注1
0.8V
≤
V（ DACIN ）
≤
1.6V ，注1
0.5V
≤
V（ DACIN ） < 0.8V ，注1
注1
注1
32.5
6.8
6
35
8.8
-10
-5
0
2.3
3.6
0.500
0.500
-3
-1
4
4
-116
3.0
4.7
1.6
1.4
0
5.0
8.5
0
50
50
Note2
3.7
5.4
2.9
2.9
3
1
6
17
+116
注1
注1
CSIN + = CSIN- = DACIN 。注1
注1
ISHARE无关
测相DACIN
ISHARE = DACIN - 200mV的
测量相对于地板
ISHARE无关
ISHARE = DACIN + 200mV的
测量相对于地板
ISHARE无关
测相PWM斜楼
电压
测相PWM斜楼
电压
VCCL = 5V 。测量时间从EAIN <
V（ DACIN ） （ 200mV的过载）到GATEL
过渡到< 4V 。
-300
-200
70
40
-200
-100
105
65
-110
-10
130
90
mV
mV
mV
ns
第20页4
2009年3月17日
IR3505Z
参数
OVP比较器
OVP阈值
测试条件
民
-1.0
15
典型值
-0.8
40
最大
-0.4
70
单位
V
nS
步骤五（ ISHARE ） ，直到GATEL驱动器
高。比较V（ VCCL ）
传播延迟
V（ VCCL ） = 5V ，步骤V （ ISHARE ）从
V（ DACIN ）到V （ VCCL ） 。测量时间
V(GATEL)>4V.
同步整流禁用比较
阈值电压
五世（ CSIN- ） / V （ DACIN ） ，下面的比
其中V（ GATEL ）始终为低电平。
负电流比较器
输入失调电压
注1
传播延迟时间
应用级电压为V（ CSIN + ） -
V（ CSIN- ） 。测量时间为V（ GATEL ） <
1V.
自举二极管
正向电压
我（ BOOST ） = 30mA时VCCL = 6.5V
调试比较
阈值电压
比较V（ VCCL ）
一般
VCC电源电流
VCCL电源电流
升压电源电流
4.75V
≤
V
(
BOOST ） -V （ SW ）
≤
8V
DACIN偏置电流
SW浮置电压
所测定的应用
66
75
86
%
-16
100
0
200
16
400
mV
nS
180
-250
1.1
3.1
1.2
-1.5
260
-150
3.0
6.7
3.5
-0.75
0.3
480
-50
6.1
12.1
5.8
1
mV
mV
mA
mA
mA
A
V
注1 ：
通过设计保证，但在生产中测试
注2 ：
VCCL - 0.5V或VCC - 2.5V ，以较低者为准
第20页5
2009年3月17日
QQ：2881677436 复制
