初步数据表No.PD60180 -B
IR3220
全面保护H-桥直流电机
特点
过温关闭
过流关断
浪涌电流限制的软启动序列
E.S.D保护
状态反馈
睡眠模式直接连接电池
的制动/非制动操作
产品概述
R
DS （ ON）
V
cc.op.
I
续。
（大= 85℃ ）
I
关闭
O
市盈率。
F
REQ 。
12m
马克斯。
5.5 35V
7.0A
30A
20千赫
描述
红外3220是一个完全受保护的双通道高边开关IC
与另外两个低边开关（如IRF7474 - 可用
能01/01 ）中，IR 3220驱动并控制整个H桥
拓扑结构。它提供直通保护的每条腿，H
桥的逻辑控制，软启动序列和过电流/过
温度。保护措施。信号IN1和IN2选择操作
化模式和PWM软启动序列周期的cor-
反应活性低侧开关，以限制电动机
浪涌电流。使用推荐的部件号和
适当的冷却，内高端IPS保护整个
H桥的功能。软启动顺序由编程
RC时间常数和自动复位。
套餐
8引脚SOIC
（如IRF7474 ）
20引脚SOIC （宽体）
(IR3220)
典型连接
+蝙蝠。
VCC
GND
VRC
SS
在1 LS门1
M1
+5V
10 k
14!
M2
LS门2
DG
IN 2
诊断
反馈
R
10 k
顺时针方向运动
Rg
D
G
SO 8颗Mosfet
Rg
D
G
S
S
SO 8颗Mosfet
10 k
逆时针运动
C
微
调节器
电停
电停
0V
www.irf.com
1
IR3220
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都参考GND领先。 （ T环境= 25
o
C除非另有说明） 。符号与（2）指的M2输出。
符号
VM1 （ 2 ）
Vin1的（2）
VCC / GND
我IN1 （ 2 ）
vg1中（2）
VSS
VRC
IRC
VDG
IDG
ISD续。
ISD脉冲
ESD 1
ESD 2
PD
TJ最大。
TL
VCC最大。
IG1 （ 2 ）最大。
IG1 （ 2 ）平均。
参数
最大M1 （ M2 ）电压（有源钳位）
最IN 1 （2英寸）的电压
最大的Vcc引脚与GND引脚电压
最大IN1 （ IN 2 ）电流
最大的1号门（ 2号门）的电压
最大SS电压
最大电压VRC
在VRC引脚的最大输出电流
最大的诊断输出电压
诊断的最大输出电流
二极管最大。恒流值（Rth = 60° C / W） （ 1 ）
值（Rth = 45 ℃/ W）的（1）
二极管最大。脉冲电流（1）
静电放电（人体模型C = 100pF电容， R = 1500Ω ）
静电放电（机器型号C = 200pF的， R = 0Ω ， L = 10μH ）
最大功耗值（Rth = 60° C / W ）
马克斯。存储&工作结温
引线温度（焊接10秒）
最大的Vcc电压
最大栅极电流（吨< 5μS ）
最大平均栅极电流
分钟。
-0.3
0.3
-1
-0.3
-0.3
-0.3
—
-0.3
-1
—
—
—
—
—
—
-40
—
—
—
—
马克斯。
5.5
50
10
7.5
5.5
5.5
1
5.5
10
3.0
4.0
15
待定
待定
1.5
+150
300
37
100
10
单位
V
mA
V
mA
V
mA
A
VCC- 37 VCC + 0.3
V
W
°C
V
mA
（ 1 ）限制受结温（脉冲电流还受内部布线）
热特性
符号
RTH 1
2 RTH
参数
热结于AMB 。电阻（ STND足迹1 MOS上）
热结到环境的抵抗力（ 1"平方米，占地面积1 MOS上）
典型值。
60
45
马克斯。
—
—
单位
° C / W
2
www.irf.com
IR3220
推荐工作条件
这些值给出了一个快速的设计。对于这些条件之外的操作，请参考应用笔记。
符号
VCC
Vin1的（2）
Vin1的（2）
IOUT TA = 85°C
IOUT TA = 105℃
R IN
DG
R
C
门
参数
连续Vcc的电压（2）
高水平1 （2英寸）的输入电压
低水平1 （2英寸）的输入电压
连续输出电流值（Rth / AMB < 5 ° C / W ， TJ = 125°C ）
连续输出电流值（Rth / AMB < 5 ° C / W ， TJ = 125°C ）
串联电阻推荐使用IN引脚
DG引脚上推荐的上拉电阻
软启动电阻
软启动电容
低边开关推荐栅极电阻
分钟。
8
4
-0.3
—
—
10
1
5.0
0.1
0
马克斯。
18
5.5
0.9
7.0
4.5
20
20
100
3.3
50
单位
V
A
k
F
静态电气特性
（ TJ = 25
o
C， Vcc的= 14V ，除非另有规定）。
符号
RDS1上
在RDS2
VCC OPER 。
Vclamp1 （2）
Vf1的（2）
IM1 （ 2 ）漏
ICC关闭
国际刑事法院对
Vdgl
IDG泄漏
VIH1 （ 2）个。
VIL1 （ 2）个。
Iin1 （2）
Vccuv
Vccuv-
VSS +
VSS-
ISS泄漏
参数
通态电阻TJ = 25
o
C
通态电阻TJ = 150
o
C
功能电压范围
VCC为M1 （ M2）钳位电压
体二极管1（2）的正向电压
M1 （ M2）输出漏电流
电源电流关闭时（睡眠模式）
电源电流时ON
低级别的诊断输出电压
诊断输出漏电流
IN1 （ IN2 ）高阈值电压
IN1 （ IN2 ），低阈值电压
ON状态IN1 （ IN2 ）正向电流
VCC欠压锁定正向阈值
VCC UVLO负门槛
SS高级别阈值
SS水平低门槛
SS引脚漏电流
MIN 。 TYP 。
—
—
5.5
37
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
9
16
—
40
0.9
10
10
8
0.3
—
2.6
2.0
25
5
4
4
1
0.1
马克斯。单位测试条件
12
22
35
48
—
50
50
—
—
10
—
—
—
—
—
—
—
10
m
Vin1,2 = 5V ， 1m1,2 = 5A
ID = 10毫安看到Figs.1,2
ID = 5A ， Vin1,2 = 0V
VM1 ， 2 = 0V ; TJ = 25°C
Vin1的（2） = 0V
VIN1 = 5V
IDG = 1.6毫安
VDG = 5.5V
V
A
mA
V
A
V
A
VIN1 ， 2 = 5V
V
A
www.irf.com
3
IR3220
开关电气特性
VCC = 14V ，电阻性负载= 3.0Ω ，T
j
= 25
o
℃（除非另有规定） 。
？符号
Tdon
Tr1
Tr2
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
—
—
—
—
15
50
2.0
—
5
4
65
3
65
8
5
500
20
—
—
7
—
—
—
—
—
—
—
—
30
—
—
—
s
测试条件
导通延迟时间
上升时间输出电压= Vcc的-5V
从Tr1的年底上升时间
VOUT = 90 ％的Vcc的
的dV / dt （上）
打开的dV / dt
tdoff
打开-O FF延迟时间
Tf
下降时间为VOUT = Vcc的10 ％
的dV / dt （关）
关闭的dV / dt
IN1 （ 2 ）最大。频率。马克斯。频率上IN1 （ IN2 ）
软启动频率。
软启动振荡器频率
IG1 （ 2 ）分钟。
分钟。 1门（门2 ）电流
TRD
分钟。 IN1 （ 2 ）关闭时间重置SS
Vg1
1号门（门2 ）电压
见图3
V / μs的
s
V / μs的
Hz
千赫
mA
ms
V
参见图4
低侧驱动器
C = 3.0μF ， IN1 = IN2
保护特性
符号参数
TSD
ISD
TRESET
过温阈值
过电流阈值
最短时间恢复保护
分钟。
—
25
—
典型值。
165
30
100
马克斯。单位测试条件
—
35
—
o
C
A
S
见图2
见图2
IN1 = IN2 = 0V
注：低侧开关存在，以便有保护的整个H桥功能充分的冷却能力
由IR3220内部温度传感器。
功能框图
SS
VRC
REF 。
软启动占空比
+
S S小复位
-
UVLO
振荡器
GND
VCC
IN 1
VCC
H桥的逻辑控制
&状态反馈
40 V有源钳位
40 V有源钳位
IN 2
DG
SHOOT - THROUGH
保护
过电流
关闭
温度过高。
保护
过电流
关闭
SHOOT - THROUGH
保护
G1
LOW SIDE
司机
LOW SIDE
司机
G2
M1
M2
GND
4
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IR3220
真值表
IN1 IN2
L
L
L
H
L
H
H
L
H
L
H
H
模式
待机与制动 - 睡眠模式**
FOWARD旋转（正常工作）
FOWARD旋转（保护triiggered ）
反转（正常工作）
反转（保护触发）
待机无制动
DG
H
H
L
H
L
H
HS1
关闭
关闭
关闭
ON
关闭
关闭
LSS1
ON
在*
在*
关闭
关闭
关闭
HS2
关闭
ON
关闭
关闭
关闭
关闭
LSS2
ON
关闭
关闭
在*
在*
关闭
SS复位
ON
关闭
关闭
关闭
关闭
ON
*在软启动过程中，低侧部分的开关。
**栅栏被重置在这种模式下
铅定义
VCC
M1
M2
G1
G2
GND
正电源。
电机1输出（高边源 - 腿1 ）
电机2的输出（高侧源 - 腿2 ）
1号门驱动输出（低侧栅极 - 腿1 ）
2门驱动输出（低侧栅极 - 腿2 ）
电源地。
IN1
IN2
Dg
VRC
SS
逻辑输入1 （腿1 CDT /模式）
逻辑输入2 （ 2腿CDT /模式）
诊断输出（漏极开路）
电压参考。输出（软启动RC ）
RC软启动输入（在此输入电压
驱动开关占空比）
推荐低边MOSFET
例如IRF7413
OR
一个为10mΩ / 40V - SOIC 8封装功率MOSFET
铅作业
V CC Vcc的M 1 M 1 M 1 NC G1摹次输入1 VRC
D D DD
V CC的Vcc米2米×2米2 NC G2输入2 克S S小
S S S摹
8引脚 - SOIC
例如IRF7474
产品型号
20引脚 - SOIC （宽体）
IR3220
www.irf.com
5
初步数据表No.PD60180 -B
IR3220
全面保护H-桥直流电机
特点
过温关闭
过流关断
浪涌电流限制的软启动序列
E.S.D保护
状态反馈
睡眠模式直接连接电池
的制动/非制动操作
产品概述
R
DS （ ON）
V
cc.op.
I
续。
（大= 85℃ ）
I
关闭
O
市盈率。
F
REQ 。
12m
马克斯。
5.5 35V
7.0A
30A
20千赫
描述
红外3220是一个完全受保护的双通道高边开关IC
与另外两个低边开关（如IRF7474 - 可用
能01/01 ）中，IR 3220驱动并控制整个H桥
拓扑结构。它提供直通保护的每条腿，H
桥的逻辑控制，软启动序列和过电流/过
温度。保护措施。信号IN1和IN2选择操作
化模式和PWM软启动序列周期的cor-
反应活性低侧开关，以限制电动机
浪涌电流。使用推荐的部件号和
适当的冷却，内高端IPS保护整个
H桥的功能。软启动顺序由编程
RC时间常数和自动复位。
套餐
8引脚SOIC
（如IRF7474 ）
20引脚SOIC （宽体）
(IR3220)
典型连接
+蝙蝠。
VCC
GND
VRC
SS
在1 LS门1
M1
+5V
10 k
14!
M2
LS门2
DG
IN 2
诊断
反馈
R
10 k
顺时针方向运动
Rg
D
G
SO 8颗Mosfet
Rg
D
G
S
S
SO 8颗Mosfet
10 k
逆时针运动
C
微
调节器
电停
电停
0V
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1
IR3220
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都参考GND领先。 （ T环境= 25
o
C除非另有说明） 。符号与（2）指的M2输出。
符号
VM1 （ 2 ）
Vin1的（2）
VCC / GND
我IN1 （ 2 ）
vg1中（2）
VSS
VRC
IRC
VDG
IDG
ISD续。
ISD脉冲
ESD 1
ESD 2
PD
TJ最大。
TL
VCC最大。
IG1 （ 2 ）最大。
IG1 （ 2 ）平均。
参数
最大M1 （ M2 ）电压（有源钳位）
最IN 1 （2英寸）的电压
最大的Vcc引脚与GND引脚电压
最大IN1 （ IN 2 ）电流
最大的1号门（ 2号门）的电压
最大SS电压
最大电压VRC
在VRC引脚的最大输出电流
最大的诊断输出电压
诊断的最大输出电流
二极管最大。恒流值（Rth = 60° C / W） （ 1 ）
值（Rth = 45 ℃/ W）的（1）
二极管最大。脉冲电流（1）
静电放电（人体模型C = 100pF电容， R = 1500Ω ）
静电放电（机器型号C = 200pF的， R = 0Ω ， L = 10μH ）
最大功耗值（Rth = 60° C / W ）
马克斯。存储&工作结温
引线温度（焊接10秒）
最大的Vcc电压
最大栅极电流（吨< 5μS ）
最大平均栅极电流
分钟。
-0.3
0.3
-1
-0.3
-0.3
-0.3
—
-0.3
-1
—
—
—
—
—
—
-40
—
—
—
—
马克斯。
5.5
50
10
7.5
5.5
5.5
1
5.5
10
3.0
4.0
15
待定
待定
1.5
+150
300
37
100
10
单位
V
mA
V
mA
V
mA
A
VCC- 37 VCC + 0.3
V
W
°C
V
mA
（ 1 ）限制受结温（脉冲电流还受内部布线）
热特性
符号
RTH 1
2 RTH
参数
热结于AMB 。电阻（ STND足迹1 MOS上）
热结到环境的抵抗力（ 1"平方米，占地面积1 MOS上）
典型值。
60
45
马克斯。
—
—
单位
° C / W
2
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IR3220
推荐工作条件
这些值给出了一个快速的设计。对于这些条件之外的操作，请参考应用笔记。
符号
VCC
Vin1的（2）
Vin1的（2）
IOUT TA = 85°C
IOUT TA = 105℃
R IN
DG
R
C
门
参数
连续Vcc的电压（2）
高水平1 （2英寸）的输入电压
低水平1 （2英寸）的输入电压
连续输出电流值（Rth / AMB < 5 ° C / W ， TJ = 125°C ）
连续输出电流值（Rth / AMB < 5 ° C / W ， TJ = 125°C ）
串联电阻推荐使用IN引脚
DG引脚上推荐的上拉电阻
软启动电阻
软启动电容
低边开关推荐栅极电阻
分钟。
8
4
-0.3
—
—
10
1
5.0
0.1
0
马克斯。
18
5.5
0.9
7.0
4.5
20
20
100
3.3
50
单位
V
A
k
F
静态电气特性
（ TJ = 25
o
C， Vcc的= 14V ，除非另有规定）。
符号
RDS1上
在RDS2
VCC OPER 。
Vclamp1 （2）
Vf1的（2）
IM1 （ 2 ）漏
ICC关闭
国际刑事法院对
Vdgl
IDG泄漏
VIH1 （ 2）个。
VIL1 （ 2）个。
Iin1 （2）
Vccuv
Vccuv-
VSS +
VSS-
ISS泄漏
参数
通态电阻TJ = 25
o
C
通态电阻TJ = 150
o
C
功能电压范围
VCC为M1 （ M2）钳位电压
体二极管1（2）的正向电压
M1 （ M2）输出漏电流
电源电流关闭时（睡眠模式）
电源电流时ON
低级别的诊断输出电压
诊断输出漏电流
IN1 （ IN2 ）高阈值电压
IN1 （ IN2 ），低阈值电压
ON状态IN1 （ IN2 ）正向电流
VCC欠压锁定正向阈值
VCC UVLO负门槛
SS高级别阈值
SS水平低门槛
SS引脚漏电流
MIN 。 TYP 。
—
—
5.5
37
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
9
16
—
40
0.9
10
10
8
0.3
—
2.6
2.0
25
5
4
4
1
0.1
马克斯。单位测试条件
12
22
35
48
—
50
50
—
—
10
—
—
—
—
—
—
—
10
m
Vin1,2 = 5V ， 1m1,2 = 5A
ID = 10毫安看到Figs.1,2
ID = 5A ， Vin1,2 = 0V
VM1 ， 2 = 0V ; TJ = 25°C
Vin1的（2） = 0V
VIN1 = 5V
IDG = 1.6毫安
VDG = 5.5V
V
A
mA
V
A
V
A
VIN1 ， 2 = 5V
V
A
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3
IR3220
开关电气特性
VCC = 14V ，电阻性负载= 3.0Ω ，T
j
= 25
o
℃（除非另有规定） 。
？符号
Tdon
Tr1
Tr2
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
—
—
—
—
15
50
2.0
—
5
4
65
3
65
8
5
500
20
—
—
7
—
—
—
—
—
—
—
—
30
—
—
—
s
测试条件
导通延迟时间
上升时间输出电压= Vcc的-5V
从Tr1的年底上升时间
VOUT = 90 ％的Vcc的
的dV / dt （上）
打开的dV / dt
tdoff
打开-O FF延迟时间
Tf
下降时间为VOUT = Vcc的10 ％
的dV / dt （关）
关闭的dV / dt
IN1 （ 2 ）最大。频率。马克斯。频率上IN1 （ IN2 ）
软启动频率。
软启动振荡器频率
IG1 （ 2 ）分钟。
分钟。 1门（门2 ）电流
TRD
分钟。 IN1 （ 2 ）关闭时间重置SS
Vg1
1号门（门2 ）电压
见图3
V / μs的
s
V / μs的
Hz
千赫
mA
ms
V
参见图4
低侧驱动器
C = 3.0μF ， IN1 = IN2
保护特性
符号参数
TSD
ISD
TRESET
过温阈值
过电流阈值
最短时间恢复保护
分钟。
—
25
—
典型值。
165
30
100
马克斯。单位测试条件
—
35
—
o
C
A
S
见图2
见图2
IN1 = IN2 = 0V
注：低侧开关存在，以便有保护的整个H桥功能充分的冷却能力
由IR3220内部温度传感器。
功能框图
SS
VRC
REF 。
软启动占空比
+
S S小复位
-
UVLO
振荡器
GND
VCC
IN 1
VCC
H桥的逻辑控制
&状态反馈
40 V有源钳位
40 V有源钳位
IN 2
DG
SHOOT - THROUGH
保护
过电流
关闭
温度过高。
保护
过电流
关闭
SHOOT - THROUGH
保护
G1
LOW SIDE
司机
LOW SIDE
司机
G2
M1
M2
GND
4
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IR3220
真值表
IN1 IN2
L
L
L
H
L
H
H
L
H
L
H
H
模式
待机与制动 - 睡眠模式**
FOWARD旋转（正常工作）
FOWARD旋转（保护triiggered ）
反转（正常工作）
反转（保护触发）
待机无制动
DG
H
H
L
H
L
H
HS1
关闭
关闭
关闭
ON
关闭
关闭
LSS1
ON
在*
在*
关闭
关闭
关闭
HS2
关闭
ON
关闭
关闭
关闭
关闭
LSS2
ON
关闭
关闭
在*
在*
关闭
SS复位
ON
关闭
关闭
关闭
关闭
ON
*在软启动过程中，低侧部分的开关。
**栅栏被重置在这种模式下
铅定义
VCC
M1
M2
G1
G2
GND
正电源。
电机1输出（高边源 - 腿1 ）
电机2的输出（高侧源 - 腿2 ）
1号门驱动输出（低侧栅极 - 腿1 ）
2门驱动输出（低侧栅极 - 腿2 ）
电源地。
IN1
IN2
Dg
VRC
SS
逻辑输入1 （腿1 CDT /模式）
逻辑输入2 （ 2腿CDT /模式）
诊断输出（漏极开路）
电压参考。输出（软启动RC ）
RC软启动输入（在此输入电压
驱动开关占空比）
推荐低边MOSFET
例如IRF7413
OR
一个为10mΩ / 40V - SOIC 8封装功率MOSFET
铅作业
V CC Vcc的M 1 M 1 M 1 NC G1摹次输入1 VRC
D D DD
V CC的Vcc米2米×2米2 NC G2输入2 克S S小
S S S摹
8引脚 - SOIC
例如IRF7474
产品型号
20引脚 - SOIC （宽体）
IR3220
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