IR3084U
的XPhase
描述
该IR3084U控制IC结合了IR
的XPhase
TM
相位IC提供了一个全功能的，灵活的
的方式来实现一个完整的VR10 ， VR11 ，皓龙，或Athlon64处理器的电源解决方案。 “控制”IC
提供整个系统的控制和接口与任何数量的“相位”集成电路，其中每个驱动器和
监视多相变换器的单相。的的XPhase
TM
架构在一个电源
更小，更便宜，更容易，同时提供更高的效率比常规设计
的方法。
IR3084U则是基于IR3084 VR10控制IC ，但采用了以下修改;
支持VR11 7位VID ， VR10 7位扩展VID ，和Opteron / Athlon64处理器的5位VID代码
支持VR11和传统的Opteron / Athlon64处理器的启动顺序
VID选择引脚设置为DAC VR10 ， VR11 ，或者皓龙/ Athlon64处理器
INTL_MD输出引脚指示哪个DAC选择 - 英特尔或AMD
VOSENS-浮动检测保护事件中的CPU ，该VOSENS-迹被打破
允许通过VID选择引脚设置为VR10 ， VR11或皓龙/ Athlon64处理器输入阈值
VID输入阈值由VID选择引脚设置为0.6V （ VR10 / VR11 ）或1.24V （ AMD）
空载根据VID选择设定值电流改变极性以适应VR10 ， VR11
（从负偏置DAC ），或者皓龙/ Athlon64处理器（从正面偏置DAC ） 。
TM
数据表号PD94719
VR10 ， VR11 & OPTERON / ATHLON64控制IC
特点
1与相匹配的IC X相运行
7位VR 10/11兼容VID 0.5 ％整体系统设定值精度
5位Opteron / Athlon64处理器兼容的VID为1％整体系统设定值精度
可编程动态VID转换率
+/- 300mV的差分远端检测
在错误的可编程VID偏移电压放大器的非反相输入允许零点偏移
可编程150kHz至1MHz的振荡
可编程VID偏移及负载线路输出阻抗
可编程打嗝过流保护有延时，以防止误触发
简体VR就绪输出提供正确的操作指示，避免误触发
从12V输入， 9.9V欠压锁定操作
6.8V / 6毫安偏置稳压器提供系统参考电压
相IC栅极驱动器偏置稳压器/ VRHOT比较
降低过电流检测延迟消除和典型应用外部电阻
小型耐热增强型28L MLPQ封装
分页： 47 1
9/14/2005
IR3084U
订购INFORAMATION
设备
IR3084UMTRPBF
IR3084UMPBF
订购数量
3000磁带和卷轴
海贼王100条
绝对最大额定值
工作结温............... ..0 150
o
C
存储温度范围..................... 。 -65
o
C至150
o
C
ESD额定值............................................. HBM 1B类JEDEC标准
湿度敏感度等级........................... JEDEC等级3 @ 260
o
C
针＃
1
2
3-9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
引脚名称
VIDSEL
INTL_MD
VID6VID0
VOSNS-
ROSC
VDAC
OCSET
VSETPT
IIN
VDRP
FB
EAOUT
RMPOUT
VBIAS
VCC
LGND
REGFB
Regdrv
REGSET
SS / DEL
VRRDY
启用
V
最大
20V
20V
20V
0.5V
20V
20V
20V
20V
20V
20V
20V
10V
20V
20V
20V
不适用
20V
20V
20V
20V
20V
20V
V
民
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.5V
-0.5V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
不适用
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
I
来源
1mA
1mA
1mA
10mA
1mA
1mA
1mA
1mA
1mA
5mA
1mA
20mA
5mA
50mA
1mA
50mA
1mA
10mA
1mA
1mA
1mA
1mA
I
SINK
1mA
1mA
1mA
10mA
1mA
1mA
1mA
1mA
1mA
5mA
1mA
20mA
5mA
10mA
50mA
1mA
1mA
50mA
1mA
1mA
20mA
1mA
第47 3
9/14/2005
IR3084U
电气规格
除非另有说明，这些规格适用于： 9.5V
≤
V
CC
≤
16V,
0.3V ≤
VOSNS-
≤
0.3V,
0
o
C
≤
T
J
≤
100
o
C， ROSC = 24kΩ ， CSS / DEL = 0.1μF ± 10 ％
参数
VDAC参考
VR10 / VR11系统给定值
准确度（偏离
在表1 & 2％测试电路
图1，它在模拟-VR
操作）
的Opteron / Athlon64处理器系统设定
点精度
源出电流
灌电流
VR10 / VR11 VIDx输入
门槛
的Opteron / Athlon64处理器VIDx输入
门槛
VIDx输入偏置电流
VIDx 11111x消隐延迟
VIDSEL拉电压
VIDSEL上拉电阻
VIDSEL VR10 /皓龙
门槛
VIDSEL皓电压
VIDSEL皓/ VR11
门槛
误差放大器器
输入失调电压
FB偏置电流
VSETPT偏置电流
VSETPT偏置电流
DC增益
增益带宽积
转角频率
压摆率
源出电流
灌电流
最大电压
分压
测量V（ FB ） - V（ VSETPT ）每个测试
电路如图1。适用于所有VID
码。注2 。
VR10 / VR11模式
的Opteron / Athlon64处理器模式
注1
注1
45度相移，注意1
注1
5
1
48.5
54
90
6
1.4
1.2
0.5
150
30
0.0
0.1
51
47
100
10
200
3.2
0.7
1.1
350
125
5
0.5
53.5
39
110
400
5
0.35
1.7
600
200
mV
μA
μA
μA
dB
兆赫
Hz
V / μs的
mA
mA
mV
mV
VID
≥
1V ， 10kΩ≤ROSC≤100kΩ ，
25
o
C
≤
T
J
≤
100
o
C
0.8V
≤
VID < 1V ， 10kΩ≤ROSC≤100kΩ ，
25
o
C
≤
T
J
≤
100
o
C
25
o
C
≤
T
J
≤
100
o
C
包括OCSET和VSETPT电流
包括OCSET和VSETPT电流
0.5
5
1
104
92
500
1.04
0V < VIDx < VCC
测量时间，直到VRRDY驱动低
VIDSEL浮动
VIDSEL “ LOW”
6.49K从VIDSEL到GND
5
0.5
1.95
2.25
0.5
0.9
1.8
113
100
600
1.24
0
1.3
2.4
4.5
0.6
1.3
1.95
0.5
+5
1
122
108
700
1.44
5
2.1
2.85
9
0.7
1.7
2.1
%
mV
%
μA
μA
mV
V
μA
μs
V
K
V
V
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
VBIAS - VEAOUT （参考
VBIAS ）
正常运行或故障模式
第47 4
9/14/2005
IR3084U
参数
电流检测输入
IIN偏置电流
IIN预处理下拉
阻力
IIN预处理RESET
门槛
IIN预处理SET
门槛
VDRP缓冲放大器
输入失调电压
源出电流
灌电流
带宽（ -3dB ）
压摆率
VBIAS稳压器
输出电压
电流限制
输入失调电压
OCSET偏置电流
软启动和延时
START DELAY （ TD1 ）
软启动时间（ TD2 ）
VID样品延迟（ TD3 ）
DVID回转时间& VRRDY
延迟（ TD4 + TD5 ）
电源良好延迟
超频延迟时间
SS / DEL到FB输入失调
电压
SS / DEL充电电流
SS / DEL放电电流
充电/放电电流
比
OC放电电流
充电电压
OC / VRRDY延迟比较
门槛
OC / VRRDY延迟比较
门槛
延迟比较滞后
VID样品延迟
比较器的阈值
SS / DEL放电
比较器的阈值
第47 5
RDRP =
∞
RDRP =
∞,
时间达到1.1V
只有VR10 / VR11模式
只有VR10 / VR11模式
的Opteron / Athlon64处理器模式。从实测
核心电压= 1.1V时VRRDY过渡HI 。
测试条件
V（ SS / DEL ） > 0.85V ，V （ EAOUT ） > 0.5V
V（ SS / DEL ） < 0.35V
V（ EAOUT ）
V（ SS / DEL ）
民
2.0
5.6
0.20
0.35
典型值
0.2
12.5
0.35
0.60
最大
1.0
19.4
0.50
0.85
单位
A
K
V
V
V（ VDRP ） - V（ IIN ） ， 0.5V < V（ IIN ） < 5V
0.5V < V（ IIN ） < 5V
0.5V < V（ IIN ） < 5V
注1
注1
5mA
<我（ VBIAS ） < 0毫安
10
9.0
0.2
1
5
6.6
35
10
53.5
1.2
0.8
0.2
0.5
0.7
150
2
6.8
0.85
6
10
6.9
20
0
51
1.8
1.8
1.0
1.3
2.3
250
1.3
70
6.5
11.2
40
3.85
80
100
20
3.10
215
6
4.0
4.1
mV
mA
mA
兆赫
V / μs的
V
mA
mV
μA
ms
ms
ms
ms
ms
us
V
μA
μA
μA/μA
μA
V
mV
mV
mV
V
mV
7.2
6
10
48.5
2.6
2.8
2.5
2.2
4.7
350
1.5
100
9
12.5
60
4.1
过流比较
1V < V（ OCSET ） < 5V
随着FB = 0V ，调整V（ SS / DEL ），直到
EAOUT推动高
0.85
40
4
9.5
注1
相对于充电电压， SS / DEL
升起
相对于充电电压， SS / DEL
落下
注1
只有VR10 / VR11模式
20
3.6
9/14/2005
QQ：2881677436 复制
