IR25607SPBF
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
兼容3.3V逻辑
独立的逻辑电源电压范围从3.3V到20V
逻辑和电源接地± 5V偏置
CMOS施密特触发与下拉输入
逐周期边沿触发关断逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
同相输入输出
产品概述
V
OFFSET
I
O+/-
V
OUT
吨/关（典型值）。
延迟匹配（典型值）。
600V最大。
2A / 2A
10 – 20V
120 & 94纳秒
20纳秒
描述
该IR25607是一款高压，高速功率MOSFET
和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧
参考输出通道。专有的HVIC和锁存器
免疫CMOS技术使坚固耐用的单片
建设。逻辑输入与标准兼容的
CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出
驱动器具有高脉冲电流缓冲级，
最小驱动器跨导。传输延迟
相匹配，以简化在高频应用中使用。该
浮动通道可以用于驱动N沟道功率
MOSFET或IGBT在高侧配置中哪些
可在高达600 V
.
封装选项
16引脚SOIC宽体
订购信息
基本零件编号
IR25607SPBF
IR25607SPBF
标准包装
套餐类型
SO16W
SO16W
形式
管
磁带和卷轴
QUANTITY
45
1000
订购型号
IR25607SPBF
IR25607STRPBF
1
www.irf.com
2012国际整流器
2012年4月13日
IR25607SPBF
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压
参数参考COM绝对的电压。热电阻和功率耗散额定值
在船上安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
DVS / DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤ +25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
V
CC
– 25
V
SS
-0.3
—
—
—
—
-55
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
SS
+ 25
V
CC
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
50
1.25
100
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
对于正确的操作设备应在推荐的条件内使用。在V
S
和V
SS
OFFSET
收视率与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
V
S
10
0
V
SS
+ 3
-5
V
SS
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
SS
+ 20
5
V
DD
125
单位
V
°C
逻辑运算的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 （请参考设计提示DT97-3了解更多
详细说明） 。
当V
DD
< 5V，最小V
SS
偏移量被限制为-V
DD
.
3
www.irf.com
2012国际整流器
2012年4月2日|
PD ＃
IR25607SPBF
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
） = 15V ， CL = 1000pF的，V
SS
= COM和T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
吨
花花公子
TSD
tr
tf
MT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
分钟。
—
—
—
—
—
—
典型值。
120
94
110
25
17
—
马克斯。
150
125
140
35
25
20
ns
单位
测试条件
V
S
= 0V
V
S
= 600V
V
S
= 600V
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
) = 15V, V
SS
= COM和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IN
, V
TH
我
IN
参数是参考V
SS
并适用于所有的三个逻辑输入导线： HIN ， LIN和SD 。在V
O
和
I
O
参数参考COM和适用于各个输出引线： HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
检疫侦缉犬
I
IN +
I
IN-
V
BSUV +
V
BSUV-
V
CCUV +
V
CCUV-
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
BS
电源欠压积极
门槛
V
BS
电源欠压负
门槛
V
CC
电源欠压积极
门槛
V
CC
电源欠压负
门槛
高输出短路脉冲
当前
低输出短路脉冲
当前
分钟。
9.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.5
7.0
7.4
7.0
2
2
典型值。
—
—
—
—
—
125
180
15
20
—
8.6
8.2
8.5
8.2
2.5
2.5
马克斯。
—
6.0
1.2
0.1
50
230
340
30
40
1
9.7
9.4
9.6
9.4
—
A
—
V
O
= 0V, V
IN
= V
DD
PW = 10微秒
V
O
= 15V, V
IN
= V
DD
PW = 10微秒
V
单位
测试条件
V
μA
I
O
= 0A
I
O
= 0A
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0V
4
www.irf.com
2012国际整流器
2012年4月2日|
PD ＃
QQ：2881677436 复制
