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IR25604SPBF
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
3.3V ， 5V和15V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V偏置
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
同相输入输出
产品概述
600V最大。
200毫安/ 350毫安
10 – 20V
220 & 200纳秒
V
OFFSET
I
O+/-
V
OUT
吨/关（典型值）。
描述
该IR25604是一款高压，高速功率MOSFET
和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧
参考输出通道。专有的HVIC和锁存器
免疫CMOS技术使坚固耐用的单片
建设。逻辑输入与标准兼容的
CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出
驱动器具有高脉冲电流缓冲级，
最小驱动器跨导。浮动通道可
可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT中
它的工作频率高达600 V的高侧配置
封装选项
8引脚SOIC
订购信息
基本零件编号
IR25604SPBF
IR25604SPBF
标准包装
套餐类型
SO8N
SO8N
形式
管
磁带和卷轴
QUANTITY
95
2500
订购型号
IR25604SPBF
IR25604STRPBF
1
www.irf.com
2012国际整流器
2012年4月13日
IR25604SPBF
典型连接图
2
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2012国际整流器
2012年4月13日
IR25604SPBF
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压
参数参考COM绝对的电压。热电阻和功率耗散额定值
在船上安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
DVS / DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
允许的偏移电压瞬变
封装的功率耗散@ TA≤ + 25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
—
—
—
—
-55
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
0.625
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
对于正确的操作设备应在推荐的条件内使用。在V
S
胶印的评价测试
与所有供应偏置在15V的差分。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
V
S
10
0
0
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
125
V
单位
°C
逻辑运算的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 （请参考设计提示DT97-3了解更多
详细说明） 。
3
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2012国际整流器
2012年4月13日
IR25604SPBF
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 15V ， CL = 1000 pF的和T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
MT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
分钟。
—
—
—
—
—
典型值。
220
200
150
50
0
马克斯。
300
280
220
80
30
ns
单位
测试条件
V
S
= 0V
V
S
= 0V或600V
V
S
= 0V
V
S
= 0V
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 15V和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IN
, V
TH
我
IN
参数
参考COM 。在V
O
我
O
参数参考COM并适用于各个
输出引线： HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压
正向阈值
V
CC
和V
BS
电源欠压
负门槛
迟滞
高输出短路脉冲
当前
低输出短路脉冲
当前
分钟。
2.9
—
—
—
—
20
60
—
—
8
7.4
0.3
120
250
典型值。
—
—
0.8
0.3
—
75
120
5
—
8.9
8.2
0.7
200
350
马克斯。
—
0.8
1.4
0.6
50
130
180
20
2
9.8
9
---
—
mA
—
V
O
= 0V
PW = 10微秒
V
O
= 15V
PW = 10微秒
V
单位
测试条件
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
I
O
= 20毫安
I
O
= 20毫安
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 5V
V
IN
= 0V
V
μA
4
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2012国际整流器
2012年4月13日
IR25604SPBF
功能框图
5
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2012国际整流器
2012年4月13日
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推荐型号
IDT74FCT257ATDQ
IDT54FBT2373DB
IS42S32200E-6BLI
IDT74FCT826CTP
IBM0165400BJ3-60
IRKUF152-06EL
ICM7212AMLPL
ISL6118HIB
IDT72261L25TF
IDT74FCT841CEB
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IR2151S
IDT71V65803S133BGI
IDT74ALVCH162820
IXZH10N50LA
ICL7136IPL
IDT6116LA35SOB
IC89E54-12PL
IT310
IPU103N08N3G
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    IR25604STRPBF
    -
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    终端采购配单精选

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辉华拓展
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原装原厂公司现货
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INFINEON/英飞凌
2418+
2500
SOP
原装订货实单确认
深圳市创芯联盈电子有限公司
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IR25604STRPBF
Infineon Technologies
2432+
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SOIC-8
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
北京首天伟业科技有限公司
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IR25604STRPBF
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8-SOIC
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深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
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IR
24+
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IR25604STRPBF
Infineon Technologies
24+
10000
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深圳市碧威特网络技术有限公司
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