数据表号PD60201 Rev.D
IR2301 （S） & （的PbF ）
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为5 20V
欠压锁定两个通道
3.3V ， 5V和15V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
同相输入输出
也可用无铅（的PbF ）
套餐
8引脚PDIP
IR2301
8引脚SOIC
IR2301S
描述
二千三百零一分之二千一百零六// 2108 // 2109 /二千三百〇四分之二千三百〇二功能比较
的IR2301 （ S）的高电压，高速
交
输入
传导
功率MOSFET和IGBT驱动器与indepen-
死区时间
接地引脚
部分
预防
逻辑
凹痕高，低侧参考输出
逻辑
2106/2301
通道。专有的HVIC和锁存免疫
COM
HIN / LIN
no
无
21064
VSS / COM
CMOS技术使坚固耐用的单
2108
内部540ns
COM
HIN / LIN
是的
岩屑建设。逻辑输入兼容
可编程0.54 5
s
21084
VSS / COM
与标准CMOS或LSTTL输出，下降到
2109/2302
内部540ns
COM
IN / SD
是的
3.3V逻辑。输出驱动器具有高
可编程0.54 5
s
21094
VSS / COM
脉冲电流缓冲级，最低
是的
内部为100ns
HIN / LIN
COM
2304
驱动器跨导。浮置沟道
可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT ，其中可在高达高侧配置
600伏。
典型连接
高达600V
（请参阅铅
分配
正确的针连接
成形） 。这种/
牛逼电子旗下ê
图（多个）
显示电
连接
只。请重新
FER我们的应用程序
阳离子笔记
和DesignTips
电路正常
电路板布局。
V
CC
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2301
www.irf.com
1
IR2301 （S） & （的PbF ）
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
COM - 0.3
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
125
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试的所有物资偏置在15V的差分。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
环境温度
分钟。
V
S
+ 5
注1
V
S
5
0
COM
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
150
单位
V
°
C
注1 ：逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
2
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数据表号PD60200
revb
IR2304 （S ） & （的PbF ）
特点
半桥驱动器
产品概述
V
OFFSET
I
O+/-
（分钟）
V
OUT
延迟匹配
内部死区时间
t
开/关
（典型值）。
600V最大。
60毫安/ 130毫安
10 - 20V
50纳秒
100纳秒
二百二十零分之二百二十〇 NS
设计为引导操作浮动通道
到+ 600V 。耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
3.3V ， 5V ， 15V和输入逻辑兼容输入
跨导预防逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
内部100ns的死区时间
输出同相输入
可提供无铅
包
描述
的IR2304 （ S）的一个高电压，高速
功率MOSFET和IGBT驱动器，具有不知疲倦
悬垂的高和低侧参考输出
通道。专有的HVIC和锁存免疫
CMOS技术
使坚固耐用的单片式结构。
逻辑输入与标准兼容的
CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。
输出驱动器具有高脉冲电流
租金缓冲级，最低驱动
跨导。浮置沟道可以是
用于驱动N沟道功率MOSFET
或IGBT在高侧配置中哪些
工作频率高达600伏。
8引脚PDIP
8引脚SOIC
2106/2301/2108/2109/2302/2304功能比较
部分
2106/2301
21064
2108
21084
2109/2302
21094
2304
输入
逻辑
HIN / LIN
HIN / LIN
IN / SD
HIN / LIN
交
传导
预防
逻辑
no
是的
是的
是的
死区时间
接地引脚
COM
VSS / COM
COM
VSS / COM
COM
VSS / COM
COM
无
内部540ns
可编程0.54 5
s
内部540ns
可编程0.54 5
s
内部为100ns
框图
VCC
高达600V
HIN
LIN
LIN
HIN
VCC
COM
VB
HO
VS
LO
TO
负载
IR2304
www.irf.com
1
IR2304(S)&(PbF)
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压，电流都被定义成阳性的任何领先。热阻
和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
S
V
B
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
COM
dV
S
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
高侧偏移电压
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动输出电压HO
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压LO
逻辑输入电压（ HIN ， LIN ）
逻辑地
允许偏移电压摆率
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
热阻，结到环境
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
分钟。
V
B
- 25
-0.3
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
V
CC
-25
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
V
B
+ 0.3
625
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
0.625
1.0
200
125
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试的所有物资偏置在15V的差分。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
LO
V
IN
V
CC
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧（ HO）的输出电压
低端（LO ）输出电压
逻辑输入电压（ HIN ， LIN ）
低端电源电压
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
COM
COM
10
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
V
CC
V
CC
20
125
单位
V
°C
注1 ：
逻辑运算的V
S
的COM -5到COM + 600V 。举办了V逻辑状态
S
COM -5V到COM -V
BS
.
2
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