数据表号PD60173 rev.H
IR2183
(
4
）（S） & （的PbF ）
特点
半桥驱动器
套餐
8引脚PDIP
IR2183
14引脚PDIP
IR21834
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
3.3V和5V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
输出源出/吸入电流能力1.4A / 1.8A
也可用无铅（的PbF ）
8引脚SOIC
IR2183S
14引脚SOIC
IR21834S
描述
的IR2183 （4）（ S）的高电压，
交
高速功率MOSFET和IGBT
输入
传导
部分
死区时间
接地引脚
吨/吨OFF
逻辑
预防
与依赖高和低驱动
逻辑
侧参考输出通道。亲
2181
COM
HIN / LIN
no
无
二百二十〇分之一百八十NS
专有的HVIC和锁存免疫
21814
VSS / COM
2183
内部为500ns
COM
CMOS技术使rugge-
HIN / LIN
是的
二百二十〇分之一百八十NS
21834
计划0.4 5我们
VSS / COM
dized单片式结构。该
2184
内部为500ns
COM
IN / SD
是的
二百七十○分之六百八十NS
逻辑输入与标准兼容的
21844
计划0.4 5我们
VSS / COM
CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V
逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最小驱动器跨导。
浮置沟道，可用于驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置
它的工作频率高达600伏。
IR2181 / IR2183 / IR2184功能比较
典型连接
高达600V
V
CC
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2183
HO
V
CC
HIN
LIN
V
CC
HIN
LIN
DT
V
SS
R
DT
V
SS
COM
LO
V
B
V
S
高达600V
IR21834
TO
负载
（请参阅铅作业的正确的PIN
配置）此/这些图（ S）秀
电气连接只。请参考我们的
应用笔记和DesignTips电路正常
电路板布局。
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1
IR2183
(
4
）（S） & （的PbF ）
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
DT
V
IN
V
SS
dV
S
/ DT
P
D
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
可编程死区时间引脚电压（ IR21834只）
逻辑输入电压（ HIN &
LIN
)
逻辑地（ IR21834只）
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
- 0.3
V
SS
- 0.3
V
CC
- 25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
SS
+ 10
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
1.6
1.0
125
200
75
120
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
RTH
JA
热阻，结到环境
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
° C / W
T
J
T
S
T
L
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
和V
SS
胶印的评价与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
DT
V
SS
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（ HIN &
LIN
)
可编程死区时间引脚电压（ IR21834只）
逻辑地（ IR21834只）
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
V
SS
-5
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
SS
+ 5
V
CC
5
单位
V
T
A
环境温度
-40
125
°
C
注1 ：逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
注2 ： HIN和LIN引脚在内部钳位用5.2V齐纳二极管。
2
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IR2183(4
）（S） & （的PbF ）
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25 ℃， DT = VSS的，除非另有规定。
符号
吨
花花公子
MT
tr
tf
DT
MDT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
延迟匹配
|
吨 - 花花公子
开启上升时间
关断下降时间
死区时间： LO关断何导通（ DT
LO- HO） &
何关断到LO开启（ DT
HO- LO ）
死区时间的匹配=
|
DT
LO- HO
- DT
HO- LO
|
分钟。
—
—
典型值。
180
220
0
40
20
400
5
0
0
马克斯。单位测试条件
270
330
35
60
35
520
6
50
600
微秒
纳秒
纳秒
VS = 0V
V
S
= 0V或600V
V
S
= 0V
V
S
= 0V
RDT = 0
RDT = 200K
(IR21834)
RDT=0
RDT = 200K
(IR21834)
|
—
—
—
280
4
—
—
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM ， DT = V
SS
和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IL
, V
IH
我
IN
参数是参考V
SS
/ COM ，并适用于各自的输入导线： HIN和LIN 。在V
O
, I
O
和Ron
参数参考COM和适用于各个输出引线： HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”输入电压HIN &逻辑“0”为
LIN
逻辑“0”输入电压HIN &逻辑“1”为
LIN
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.7
—
—
—
—
20
0.4
—
—
8.0
7.4
0.3
1.4
1.8
—
—
—
—
—
60
1.0
25
—
8.9
8.2
0.7
1.9
2.3
—
0.8
1.2
0.1
50
150
1.6
60
1.0
9.8
9.0
—
—
—
A
V
O
= 0V,
PW
≤
10
s
V
O
= 15V,
PW
≤
10
s
A
A
mA
V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
I
O
= 0A
I
O
= 0A
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 0V或5V
HIN = 5V ，
LIN
= 0V
HIN = 0V ，
LIN
= 5V
V
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3
IR2183(4
）（S） & （的PbF ）
铅定义
符号说明
HIN
LIN
DT
VSS
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
高侧栅极驱动器输出（ HO）逻辑输入，相位（参考COM的IR2183和
VSS为IR21834 ）
低侧栅极驱动器输出逻辑输入（ LO ）的相位（参考COM的IR2183
和VSS为IR21834 ）
可编程死区时间领先，引用到VSS 。 （仅适用于IR21834 ）
（仅21834 ）逻辑地
高压侧浮动电源
高侧栅极驱动器输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动器输出
偏低的回报
铅作业
1
2
3
4
HIN
LIN
COM
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
1
2
3
4
HIN
LIN
COM
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
8引脚PDIP
8引脚SOIC
IR2183
1
2
3
4
5
6
7
HIN
LIN
VSS
DT
COM
LO
VCC
VB
HO
VS
IR2183S
1
4
13
12
11
10
9
8
1
2
3
4
5
6
7
HIN
LIN
VSS
DT
COM
LO
VCC
VB
HO
VS
1
4
13
12
11
10
9
8
14引脚PDIP
14引脚SOIC
IR21834
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IR21834S
5
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