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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第524页 > IR21814S
初步数据表号PD60030 rev.O
IR2213 (S) & (的PbF )
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+ 1200V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为12 20V
欠压锁定两个通道
兼容3.3V逻辑
独立的逻辑电源电压范围从3.3V到20V
逻辑和电源接地± 5V偏置
CMOS施密特触发与下拉输入
逐周期边沿触发关断逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
同相输入输出
也可用无铅(的PbF )
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
(典型值)。
延迟匹配
1200V最大。
1.7A / 2A
12 - 20V
280 & 225纳秒
30纳秒
套餐
描述
该IR2213 ( S)是一种高电压,高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器,带有独立的高,
低侧参考输出通道。所有权
16引脚SOIC
HVIC和锁存免疫CMOS技术使
(宽体)
坚固耐用的单片式结构。逻辑输入
14引脚PDIP
与标准CMOS或LSTTL输出兼容,
下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级,最小驱动器跨导。传播延迟匹配
为了简化在高频应用中使用。浮置沟道,可用于驱动一个N沟道功率
MOSFET或IGBT在其中工作频率高达1200伏的高压侧的配置。
典型连接
HO
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
COM
LO
V
B
V
S
高达1200V
TO
负载
(请参阅铅作业的正确引脚配置) 。这个/这些图( s)显示电
连接而已。请参考我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
www.irf.com
1
IR2213(
S
) & (的PbF )
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
DVS / DT
P
D
R
thJA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压( HIN , LIN & SD )
允许的偏移电源电压瞬变(图2)
包装功耗@ T
A
+25°C
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
( 14引脚PDIP )
( 16引脚SOIC )
( 14引脚PDIP )
( 16引脚SOIC )
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
V
CC
- 25
V
SS
- 0.3
-55
马克斯。
1225
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
SS
+ 25
V
CC
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
50
1.6
1.25
75
100
125
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在VS和VSS抵消收视率进行了测试与所有供应偏置在15V的差分。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压( HIN , LIN & SD )
分钟。
V
S
+ 12
注1
V
S
12
0
V
SS
+ 3
-5 (注2 )
V
SS
马克斯。
V
S
+ 20
1200
V
B
20
V
CC
V
SS
+ 20
5
V
DD
单位
V
注1 :逻辑操作的V
S
在-5至+ 1200V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 (请参考设计提示
DT97-3有详细介绍) 。
注2 :当V
DD
<5V ,最小V
SS
偏移量被限制为-V
DD
2
www.irf.com
IR2213(
S
) & (的PbF )
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
) = 15V ,C
L
= 1000pF的,T
A
= 25° C和V
SS
= COM ,除非另有规定。动态
电特性是使用图3中所示的测试电路进行测量。
符号
t
on
t
关闭
t
sd
t
r
t
f
MT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
延时匹配,HS & LS的开启/关闭
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
280
225
230
25
17
30
V
S
= 0V
V
S
= 1200V
V
S
= 1200V
ns
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
) = 15V ,T
A
= 25° C和V
SS
= COM ,除非另有规定。在V
IN
, V
TH
IN
参数
是参考V
SS
并适用于所有的三个逻辑输入导线: HIN , LIN和SD 。在V
O
O
参数
参考COM和适用于各个输出引线: HO或LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
检疫侦缉犬
I
IN +
I
IN-
V
BSUV +
V
BSUV-
V
CCUV +
V
CCUV-
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压,V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
静态V
DD
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
BS
电源欠压负向
门槛
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
电源欠压负向
门槛
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
9.5
8.7
7.9
8.7
7.9
1.7
2.0
125
180
15
20
10.2
9.3
10.2
9.3
2.0`
2.5
6.0
1.2
0.1
50
230
340
30
40
1.0
11.7
10.7
11.7
10.7
A
V
O
= 0V, V
IN
= V
DD
PW
10
s
V
O
= 15V, V
IN
= 0V
PW
10
s
V
A
V
I
O
= 0A
I
O
= 0A
V
B
= V
S
= 1200V
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0V
www.irf.com
3
IR2213(
S
) & (的PbF )
功能框图
V
B
V
DD
R Q
S
HIN
HV
水平
UV
检测
脉冲
滤波器
R
R
S
Q
HO
V
DD
/V
CC
水平
脉冲
V
S
SD
UV
检测
V
CC
V
DD
/V
CC
水平
LIN
R Q
V
SS
S
LO
延迟
COM
铅定义
符号说明
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
逻辑电源
高侧栅极驱动器输出逻辑输入( HO) ,相
关机逻辑输入
低侧栅极驱动器输出逻辑输入( LO )的相位
逻辑地
高压侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低端电源
低侧栅极驱动输出
偏低的回报
铅作业
14引脚PDIP
16引脚SOIC (宽体)
IR2213
产品型号
4
IR2213S
www.irf.com
IR2213(
S
) & (的PbF )
HV = 10 1200V
<50 V / ns的
图1.输入/输出时序图
图2.浮动电源电压暂态测试电路
HIN
LIN
( 0 1200V )
50%
50%
tr
90%
花花公子
90%
tf
HO
LO
图3.开关时间测试电路
10%
10%
图4.开关时间波形定义
50%
HIN
LIN
50%
50%
SD
TSD
90%
MT
LO
HO
10%
MT
90%
HO
LO
LO
图5:关断波形定义
HO
图6.延迟匹配波形定义
www.irf.com
5
数据表号PD60172 Rev.G
IR2181
(
4
)(S) & (的PbF )
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
3.3V和5V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
输出源出/吸入电流能力1.4A / 1.8A
也可用无铅(的PbF )
套餐
8引脚PDIP
IR2181
14引脚PDIP
IR21814
8引脚SOIC
IR2181S
14引脚SOIC
IR21814S
IR2181 / IR2183 / IR2184功能比较
描述
部分
的IR2181 (4)( S)的高电压,
2181
COM
高速功率MOSFET和IGBT
HIN / LIN
no
二百二十〇分之一百八十NS
21814
VSS / COM
具有独立的高,低驱动
2183
内部为500ns
COM
HIN / LIN
是的
二百二十〇分之一百八十NS
侧参考输出通道。亲
21834
计划0.4 5我们
VSS / COM
2184
内部为500ns
COM
专有的HVIC和锁存免疫
IN / SD
是的
二百七十○分之六百八十NS
21844
计划0.4 5我们
VSS / COM
CMOS技术使rugge-
dized单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到兼容
3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低驱动跨
传导。浮置沟道,可用于驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧
配置该工作频率高达600伏。
输入
逻辑
传导
预防
逻辑
死区时间
接地引脚
吨/吨OFF
典型连接
高达600V
V
CC
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2181
IR21814
HO
V
CC
HIN
LIN
高达600V
V
CC
HIN
LIN
V
B
V
S
TO
负载
(请参阅铅作业的正确的PIN
配置) 。这个/这些图( s)显示
电气连接只。请参阅
我们的应用笔记和DesignTips的
正确的电路板布局。
V
SS
V
SS
COM
LO
www.irf.com
1
IR2181
(
4
)(S) & (的PbF )
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
dV
S
/ DT
P
D
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压( HIN & LIN - IR2181 / IR21814 )
逻辑接地( IR21814只)
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
+25°C
( 8引脚PDIP )
( 8引脚SOIC )
( 14引脚PDIP )
( 14引脚SOIC )
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
- 0.3
V
CC
- 25
-50
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
SS
+ 10
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
1.6
1.0
125
200
75
120
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
RTH
JA
热阻,结到环境
( 8引脚PDIP )
( 8引脚SOIC )
( 14引脚PDIP )
( 14引脚SOIC )
° C / W
T
J
T
S
T
L
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
和V
SS
胶印的评价与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压( HIN & LIN - IR2181 / IR21814 )
逻辑地( IR21814 / IR21824只)
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
-5
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
SS
+ 5
5
125
单位
V
°C
注1 :逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 (请参考设计提示
DT97-3有详细介绍) 。
注2 : HIN和LIN引脚在内部钳位用5.2V齐纳二极管。
2
www.irf.com
IR2181
(
4
)(S) & (的PbF )
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM ,C
L
= 1000pF的,T
A
= 25°C.
符号
花花公子
MT
tr
tf
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
延时匹配,HS & LS的开启/关闭
开启上升时间
关断下降时间
分钟。
典型值。
180
220
0
40
20
马克斯。单位测试条件
270
330
35
60
35
纳秒
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V或600V
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IL
, V
IH
IN
参数
参考V
SS
/ COM ,并适用于各自的输入导线HIN和LIN 。在V
O
, I
O
和Ron参数
参考COM和适用于各个输出引线: HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”输入电压( IR2181 / IR21814 )
逻辑“0”输入电压( IR2181 / IR21814 )
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压,V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.7
20
50
8.0
7.4
0.3
1.4
1.8
60
120
25
8.9
8.2
0.7
1.9
2.3
0.8
1.2
0.1
50
150
240
60
1.0
9.8
9.0
A
V
O
= 0V,
PW
10
s
V
O
= 15V,
PW
10
s
V
A
V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
I
O
= 0A
I
O
= 0A
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 5V
V
IN
= 0V
www.irf.com
3
IR2181
(
4
)(S) & (的PbF )
功能方框图
VB
2181
HIN
VSS / COM
水平
HV
水平
脉冲
发电机
UV
检测
R
脉冲
滤波器
R
S
Q
HO
VS
VCC
UV
检测
LO
LIN
VSS / COM
水平
延迟
COM
VB
21814
HIN
VSS / COM
水平
HV
水平
脉冲
发电机
UV
检测
R
脉冲
滤波器
R
S
Q
HO
VS
VCC
UV
检测
LO
LIN
VSS / COM
水平
延迟
COM
VSS
4
www.irf.com
IR2181
(
4
)(S) & (的PbF )
铅定义
符号说明
HIN
LIN
VSS
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
高侧栅极驱动器输出( HO) ,在相逻辑输入( IR2181 / IR21814 )
低侧栅极驱动器输出( LO )的逻辑输入,相位( IR2181 / IR21814 )
逻辑接地( IR21814只)
高压侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动输出
偏低的回报
铅作业
1
2
3
4
HIN
LIN
COM
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
1
2
3
4
HIN
LIN
COM
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
8引脚PDIP
8引脚SOIC
IR2181
IR2181S
1
2
3
4
5
6
7
HIN
LIN
VSS
VB
HO
VS
COM
LO
VCC
1
4
13
1
2
3
HIN
LIN
VSS
VB
HO
VS
COM
LO
VCC
1
4
13
12
11
10
9
8
12
4
11
5
10
6
9
7
8
14引脚PDIP
14引脚SOIC
IR21814
www.irf.com
IR21814S
5
数据表号PD60172 Rev.G
IR2181
(
4
)(S) & (的PbF )
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
3.3V和5V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
输出源出/吸入电流能力1.4A / 1.8A
也可用无铅(的PbF )
套餐
8引脚PDIP
IR2181
14引脚PDIP
IR21814
8引脚SOIC
IR2181S
14引脚SOIC
IR21814S
IR2181 / IR2183 / IR2184功能比较
描述
部分
的IR2181 (4)( S)的高电压,
2181
COM
高速功率MOSFET和IGBT
HIN / LIN
no
二百二十〇分之一百八十NS
21814
VSS / COM
具有独立的高,低驱动
2183
内部为500ns
COM
HIN / LIN
是的
二百二十〇分之一百八十NS
侧参考输出通道。亲
21834
计划0.4 5我们
VSS / COM
2184
内部为500ns
COM
专有的HVIC和锁存免疫
IN / SD
是的
二百七十○分之六百八十NS
21844
计划0.4 5我们
VSS / COM
CMOS技术使rugge-
dized单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到兼容
3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低驱动跨
传导。浮置沟道,可用于驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧
配置该工作频率高达600伏。
输入
逻辑
传导
预防
逻辑
死区时间
接地引脚
吨/吨OFF
典型连接
高达600V
V
CC
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2181
IR21814
HO
V
CC
HIN
LIN
高达600V
V
CC
HIN
LIN
V
B
V
S
TO
负载
(请参阅铅作业的正确的PIN
配置) 。这个/这些图( s)显示
电气连接只。请参阅
我们的应用笔记和DesignTips的
正确的电路板布局。
V
SS
V
SS
COM
LO
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1
IR2181
(
4
)(S) & (的PbF )
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
dV
S
/ DT
P
D
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压( HIN & LIN - IR2181 / IR21814 )
逻辑接地( IR21814只)
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
+25°C
( 8引脚PDIP )
( 8引脚SOIC )
( 14引脚PDIP )
( 14引脚SOIC )
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
- 0.3
V
CC
- 25
-50
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
SS
+ 10
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
1.6
1.0
125
200
75
120
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
RTH
JA
热阻,结到环境
( 8引脚PDIP )
( 8引脚SOIC )
( 14引脚PDIP )
( 14引脚SOIC )
° C / W
T
J
T
S
T
L
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
和V
SS
胶印的评价与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压( HIN & LIN - IR2181 / IR21814 )
逻辑地( IR21814 / IR21824只)
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
-5
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
SS
+ 5
5
125
单位
V
°C
注1 :逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 (请参考设计提示
DT97-3有详细介绍) 。
注2 : HIN和LIN引脚在内部钳位用5.2V齐纳二极管。
2
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IR2181
(
4
)(S) & (的PbF )
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM ,C
L
= 1000pF的,T
A
= 25°C.
符号
花花公子
MT
tr
tf
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
延时匹配,HS & LS的开启/关闭
开启上升时间
关断下降时间
分钟。
典型值。
180
220
0
40
20
马克斯。单位测试条件
270
330
35
60
35
纳秒
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V或600V
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IL
, V
IH
IN
参数
参考V
SS
/ COM ,并适用于各自的输入导线HIN和LIN 。在V
O
, I
O
和Ron参数
参考COM和适用于各个输出引线: HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”输入电压( IR2181 / IR21814 )
逻辑“0”输入电压( IR2181 / IR21814 )
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压,V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.7
20
50
8.0
7.4
0.3
1.4
1.8
60
120
25
8.9
8.2
0.7
1.9
2.3
0.8
1.2
0.1
50
150
240
60
1.0
9.8
9.0
A
V
O
= 0V,
PW
10
s
V
O
= 15V,
PW
10
s
V
A
V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
I
O
= 0A
I
O
= 0A
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 5V
V
IN
= 0V
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3
IR2181
(
4
)(S) & (的PbF )
功能方框图
VB
2181
HIN
VSS / COM
水平
HV
水平
脉冲
发电机
UV
检测
R
脉冲
滤波器
R
S
Q
HO
VS
VCC
UV
检测
LO
LIN
VSS / COM
水平
延迟
COM
VB
21814
HIN
VSS / COM
水平
HV
水平
脉冲
发电机
UV
检测
R
脉冲
滤波器
R
S
Q
HO
VS
VCC
UV
检测
LO
LIN
VSS / COM
水平
延迟
COM
VSS
4
www.irf.com
IR2181
(
4
)(S) & (的PbF )
铅定义
符号说明
HIN
LIN
VSS
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
高侧栅极驱动器输出( HO) ,在相逻辑输入( IR2181 / IR21814 )
低侧栅极驱动器输出( LO )的逻辑输入,相位( IR2181 / IR21814 )
逻辑接地( IR21814只)
高压侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动输出
偏低的回报
铅作业
1
2
3
4
HIN
LIN
COM
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
1
2
3
4
HIN
LIN
COM
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
8引脚PDIP
8引脚SOIC
IR2181
IR2181S
1
2
3
4
5
6
7
HIN
LIN
VSS
VB
HO
VS
COM
LO
VCC
1
4
13
1
2
3
HIN
LIN
VSS
VB
HO
VS
COM
LO
VCC
1
4
13
12
11
10
9
8
12
4
11
5
10
6
9
7
8
14引脚PDIP
14引脚SOIC
IR21814
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IR21814S
5
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